清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)（如某些有機(jī)物，無機(jī)鹽，金屬、Si、SiO₂粉塵等）。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機(jī)溶劑、雙氧水、濃酸、強(qiáng)堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH、Na₂SiO₃等混合溶液在75～90℃反應(yīng)25～35 min，效果良好�；卮鹣铝袉栴}

Ⅰ.（1）寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式               ，對單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型，他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng)，首先是Si與OH^一反應(yīng)，生成SiO₄^4一，然后SiO₄^4一迅速水解生成H₄SiO₄�；�于此原理分析反應(yīng)中氧化劑為                   。

（2）本�；瘜W(xué)興趣小組同學(xué)，為驗(yàn)證Seidel的理論是否正確，完成以下實(shí)驗(yàn)：

結(jié)論：從實(shí)驗(yàn)上說明堿性水溶液條件下，H₂O可作                劑；NaOH作_____             劑，降低反應(yīng)             。高溫?zé)o水環(huán)境下，NaOH作               劑。

Ⅱ.在工業(yè)中利用鎂制取硅：2Mg＋SiO₂2MgO＋Si，同時(shí)有副反應(yīng)發(fā)生：2Mg＋SiMg₂Si，Mg₂Si遇鹽酸迅速反應(yīng)生成SiH₄(硅烷)，SiH₄在常溫下是一種不穩(wěn)定、易分解的氣體。如圖是進(jìn)行Mg與SiO₂反應(yīng)的實(shí)驗(yàn)裝置：

由于氧氣的存在對該實(shí)驗(yàn)有較大影響，實(shí)驗(yàn)中應(yīng)通入氣體X作為保護(hù)氣，試管中的固體藥品可選用________(填序號)。        a．石灰石　　　b．鋅�！　　�c．純堿

（4）實(shí)驗(yàn)開始時(shí)，必須先通入X氣體，再加熱反應(yīng)物，其理由是______________________________，當(dāng)反應(yīng)開始后，移走酒精燈反應(yīng)能繼續(xù)進(jìn)行，其原因是___________________________。

（5）反應(yīng)結(jié)束后，待冷卻至常溫時(shí)，往反應(yīng)后的混合物中加入稀鹽酸。可觀察到閃亮的火星，產(chǎn)生此現(xiàn)象的原因用化學(xué)方程式表示為_______________________________________。

清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)（如某些有機(jī)物，無機(jī)鹽，金屬、Si、SiO₂粉塵等）。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機(jī)溶劑、雙氧水、濃酸、強(qiáng)堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH、Na₂SiO₃等混合溶液在75～90℃反應(yīng)25～35 min，效果良好�；卮鹣铝袉栴}
Ⅰ.（1）寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式              ，對單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型，他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng)，首先是Si與OH^一反應(yīng)，生成SiO₄^4一，然后SiO₄^4一迅速水解生成H₄SiO₄�；�于此原理分析反應(yīng)中氧化劑為                  。
（2）本�；瘜W(xué)興趣小組同學(xué)，為驗(yàn)證Seidel的理論是否正確，完成以下實(shí)驗(yàn)：

硅及其化合物對人類現(xiàn)代文明具有特殊貢獻(xiàn)，請回答下列有關(guān)問題：

(1)硅原子的結(jié)構(gòu)示意圖：________。

(2)下列物品或設(shè)備所用的材料屬于硅酸鹽的是________。

①長江三峽水泥大壩；②石英光導(dǎo)纖維；③陶瓷坩堝；④普通玻璃；⑤硅太陽能電池

A．①②③? ???? B．③④⑤?????? C．②③④? ???? D．①③④

(3)常溫下，SiCl4為液態(tài)，沸點(diǎn)為57.6℃，在空氣中冒白霧。制備高純度硅的中間產(chǎn)物SiCl4中溶有液態(tài)雜質(zhì)，若要得到高純度SiCl4，應(yīng)采用的方法是________；用化學(xué)方程式及必要文字解釋SiCl4在空氣中冒白霧的原因：_______________________________________。

(4)工業(yè)上可用SiCl4(g)制備高溫結(jié)構(gòu)陶瓷氮化硅，其反應(yīng)方程式為

3SiCl4(g)＋2N2(g)＋6H2(g) Si3N4(s)＋12HCl(g)　ΔH＝a kJ/mol(a＜0)

①該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式K＝______________.

②在密閉恒容容器中，能表示上述反應(yīng)達(dá)到平衡狀態(tài)的是________。

A．3v逆(N2)＝v正(H2)

B．v正(HCl＝4v正＝4v正(SiCl4)

C．混合氣體密度保持不變

D．c(N2)∶c(H2)∶c(HCl)＝1∶3∶6

③在某條件下達(dá)到平衡時(shí)，H2與HCl物質(zhì)的量之比為m∶n；保持其他條件不變，降低溫度達(dá)到平衡時(shí)，H2與HCl物質(zhì)的量之比________m∶n(填“>”、“＝”或“＜”)。