下圖是一些常見元素的單質(zhì)或化合物之間的轉(zhuǎn)化關(guān)系。溶液中的水以及部分反應(yīng)物或生成物未標(biāo)出。A、E是空氣中的兩種主要成分，C是由兩種元素組成的新型材料，且和SiC具有相同的價電子數(shù)和原子數(shù)，J是一種能引起溫室效應(yīng)的氣體，K是兩性化合物。反應(yīng)③、④、⑤用于工業(yè)中生產(chǎn)H。

回答下列問題：

⑴物質(zhì)C的晶體類型　　　 ；

⑵ 寫出反應(yīng)③的化學(xué)方程式：　　　　　　　　　　　　　　　 ；

⑶ 寫出反應(yīng)⑥的離子方程式：　　　　　　　　　　　　　　　 ；

⑷ B和SiC的納米級復(fù)合粉末是新一代大規(guī)模集成電路理想的散熱材料。反應(yīng)①是科學(xué)家研究開發(fā)制備該納米級復(fù)合粉末的最新途徑。已知B由Si及另外兩種元素組成，且Si與另外兩種元素的物質(zhì)的量之比均為1∶4，寫出反應(yīng)①的化學(xué)方程式：　　　　　　　　　 　　　　　　　　　。

下圖是一些常見元素的單質(zhì)或化合物之間的轉(zhuǎn)化關(guān)系。溶液中的水以及部分反應(yīng)物或生成物未標(biāo)出。A、E是空氣中的兩種主要成分，C是由兩種元素組成的新型材料，且和SiC具有相同的價電子數(shù)和原子數(shù)，D是一種單質(zhì)，F(xiàn)為氣體，J是一種能引起溫室效應(yīng)的氣體，K是兩性化合物。反應(yīng)③、④、⑤用于工業(yè)中生產(chǎn)H。回答下列問題：

   （1）寫出下列物質(zhì)的化學(xué)式：F              ，I                  

   （2）寫出反應(yīng)③的化學(xué)方程式：                                               ；

   （3）寫出反應(yīng)⑥的離子方程式：                                              ；

   （4）B和SiC的納米級復(fù)合粉末是新一代大規(guī)模集成電路理想的散熱材料。反應(yīng)①是科學(xué)家研究開發(fā)制備該納米級復(fù)合粉末的最新途徑。已知B由Si及另外兩種元素組成，且Si與另外兩種元素的物質(zhì)的量之比均為1∶4，寫出反應(yīng)①的化學(xué)方程式：                                                                 。