已知A.B.C.D的原子序數(shù)都不大于20.其中D比A的原子序數(shù)大1.C和D形成CD3型化合物.B是同周期除稀有氣體外原子半徑最大的原子.D離子和B離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu).A的氣態(tài)氫化物對氫氣的相對密度為17.A的最高價氧化物的式量為80.1.8g C與足量稀硫酸反應(yīng).在標(biāo)準(zhǔn)狀況下.放出2.24L氫氣.A原子核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù).C原子核內(nèi)質(zhì)子數(shù)比中子數(shù)少1.請回答: (1)寫出元素符號A B C D , (2)用電子式表示A.B形成化合物的形成過程: 查看更多

 

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已知A、B、C、D的原子序數(shù)都不超過18,它們的離子aA(n+1)+、bBn+、cC(n+1)-、dDn-均具有相同的電子層結(jié)構(gòu),則下列敘述正確的是( 。

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已知A、B、C、D的原子序數(shù)都不超過18,它們的離子aA(n+1)+、bBn+、cC(n+1)-、dDn-均具有相同的電子層結(jié)構(gòu),則下列敘述正確的是( 。

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已知A、B、C、D的原子序數(shù)都不超過18,它們的離子aA(n1)、bBncC(n1)、dDn均具有相同的電子層結(jié)構(gòu),則下列敘述正確的是(   )

A. 原子序數(shù):a>b>c>d

B. 離子半徑:A(n1)>Bn>C(n1)>Dn

C. 離子還原性:A(n1)>Bn,離子氧化性:C(n1)>Dn

D. 單質(zhì)還原性:B>A,單質(zhì)氧化性:D>C

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已知A、B、C、D的原子序數(shù)都不超過18,它們的離子aA(n+1)+bBn、cC(n+1)-、dDn均具有相同的電子層結(jié)構(gòu),則下列敘述正確的是()

A. 原子序數(shù):abcd

B. 離子半徑:A(n+1)+>Bn>C(n+1)->Dn

C. 離子還原性:A(n+1)+>Bn,離子氧化性:C(n+1)->Dn

D. 單質(zhì)還原性:B>A,單質(zhì)氧化性:D>C

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已知A、B、C、D的原子序數(shù)都不超過18,它們的離子aA(n+1)+、bBn+cC(n+1)-dDn-具有相同的電子層結(jié)構(gòu),則下列說法正確的是(    )

A.原子序數(shù):a>b>c>d       

B.離子半徑:A(n+1)+>Bn+>C(n+1)->Dn-

C.離子還原性:A(n+1)+>Bn+    離子氧化性:C(n+1)->Dn-

D.單質(zhì)還原性:B>A        單質(zhì)氧化性:D>C

 

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