題目列表(包括答案和解析)
化學(xué)鍵 | Si—O | Si—Cl | H—H | H—Cl | Si—Si | Si—C |
鍵能/kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
請(qǐng)回答下列問題:
(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”=):SiC_______Si;SiCl4_______SiO2。
(2)圖1-1立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子,請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。
圖1-1
化學(xué)鍵 | Si—O | Si—Cl | H—H | H—Cl | Si—Si | Si—C |
鍵能/kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制取:
SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl (g)
該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH=______________kJ·mol -1
化學(xué)鍵 | Si—O | Si—Cl | H—H | H—Cl | Si—Si | Si—C |
鍵能/kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
請(qǐng)回答下列問題:
(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”)
SiC_________Si;SiCl4_____________SiO2
(2)圖3-9中立方體中心的“·”表示硅晶體中的一個(gè)原子,請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“·”表示出與之緊鄰的硅原子。
圖3-9
(3)工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制。
SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)
該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH_______=kJ·mol-1
化學(xué)鍵 | Si—O | Si—Cl | H—H | H—Cl | Si—Si | Si—C |
鍵能/kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
請(qǐng)回答下列問題:
(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”=SiC______Si;SiCl4______SiO2。
(2)圖中立方體中心的“”表示硅晶體中的一個(gè)原子,請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“”表示出與之緊鄰的硅原子。
(3)工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制取:
SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g),該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH=______kJ·mol-1。
化學(xué)鍵 | Si—O | Si—Cl | H—H | H—Cl | Si—Si | Si—C |
鍵能/kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
請(qǐng)完成下列問題:
(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”)SiC_________Si;SiCl4_________SiO2。
(2)上圖立方體中心的“”表示硅晶體中的一個(gè)原子,請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“”表示出與之緊鄰的硅原子。
(3)工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制。
SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)
該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH=_________kJ·mol-1。
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