下列微粒:①質(zhì)子,②中子,③電子.在所有原子中均含有的微粒是( ) A.①②③ B.僅① C.①和③ D.①和② 【查看更多】

 

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下列微粒：①質(zhì)子；②中子；③電子，在所有原子中均含有的微粒是

[　　]

A．①、②、③
B．僅①
C．①和③
D．①和②

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下列微粒：①質(zhì)子；②中子；③電子，在所有原子中均含有的微粒是

[　　]

A．①、②、③
B．僅①
C．①和③
D．①和②

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精英家教網(wǎng)A、B、C為原子序數(shù)依次遞增的短周期元素，A元素原子的電子總數(shù)等于其基態(tài)電子層數(shù)，B元素原子的價(jià)電子結(jié)構(gòu)為nsnnpn，C元素原子的第一電離能在同族元素中最大并且高于同周期左右相鄰的元素，但其單質(zhì)的熔點(diǎn)卻低于同周期左右相鄰元素的單質(zhì)，D的價(jià)電子結(jié)構(gòu)為3d64s2，請(qǐng)回答：
（1）C與A形成的最簡(jiǎn)單分子是
 
分子（填“極性”或“非極性”），該分子與A+結(jié)合成新的離子時(shí)，所得微粒的鍵角∠A-C-A發(fā)生改變，其原因是
 
．
（2 ）在由A、B兩元素形成的一系列化合物中，若要求所有的原子都有可能在同一個(gè)平面中，則對(duì)B原子成鍵軌道的要求是
 
；
（3）一定條件下，元素B可形成多種同素異形體，它們有的屬原子晶體、有的屬分子晶體、有的屬混合型晶體，如圖1是其中某種晶體的一個(gè)晶胞，該晶胞中含有
 
個(gè)B原子．元素B不能形成最緊密堆積結(jié)構(gòu)的原子晶體，其原因是
 
．
（4）如圖2為晶體D的晶胞結(jié)構(gòu)，若D原子的半徑為r cm，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，則晶體D的密度為
 
．

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(20分)(1)在同一個(gè)原子中，離核越近、n越小的能層中的電子能量越      。理論研究證明，多電子原子中，同一能層的電子，能量也可能不同，還可以把它們分成能級(jí)，第三能層有3個(gè)能級(jí)，分別為3s、3p和     �，F(xiàn)代物質(zhì)結(jié)構(gòu)理論證實(shí)，原子的電子排布遵循構(gòu)造原理能使整個(gè)原子的能量處于最低狀態(tài)，處于最低能量的原子叫做      原子。
(2)寫出下列基態(tài)原子的簡(jiǎn)化電子排布式：
①14Si　　　　　           　；②26Fe                          。 
(3)按所示格式填寫下表中的空格：

原子序數(shù)
原子的價(jià)電子排布式
周期
族
17
 
第三
 
 
3d54s1
 
ⅥB
(4)N≡N的鍵能為942kJ·mol－1，N—N單鍵的鍵能為247kJ·mol－1，計(jì)算說(shuō)明N2中的
      鍵更穩(wěn)定(填“σ”或“π”)。
(5)在配離子[Fe(SCN)]2+中，提供空軌道接受孤電子對(duì)的微粒是     ，配離子 [Cu(NH3)4]2+的配體是              。
(6)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷：
①NH3分子中，中心原子上的σ鍵電子對(duì)數(shù)為       ，孤電子對(duì)數(shù)為      ，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為       ，中心原子的雜化方式為    雜化，VSEPR構(gòu)型為           ，分子的立體構(gòu)型為           。
②BF3分子中，中心原子的雜化方式為       雜化，分子的立體構(gòu)型為           。

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(20分)(1)在同一個(gè)原子中，離核越近、n越小的能層中的電子能量越      。理論研究證明，多電子原子中，同一能層的電子，能量也可能不同，還可以把它們分成能級(jí)，第三能層有3個(gè)能級(jí)，分別為3s、3p和     �，F(xiàn)代物質(zhì)結(jié)構(gòu)理論證實(shí)，原子的電子排布遵循構(gòu)造原理能使整個(gè)原子的能量處于最低狀態(tài)，處于最低能量的原子叫做      原子。
(2)寫出下列基態(tài)原子的簡(jiǎn)化電子排布式：
①14Si　　　　　           　；②26Fe                          。 
(3)按所示格式填寫下表中的空格：
原子序數(shù)
原子的價(jià)電子排布式
周期
族
17
 
第三
 
 
3d54s1
 
ⅥB
(4)N≡N的鍵能為942kJ·mol－1，N—N單鍵的鍵能為247kJ·mol－1，計(jì)算說(shuō)明N2中的
      鍵更穩(wěn)定(填“σ”或“π”)。
(5)在配離子[Fe(SCN)]2+中，提供空軌道接受孤電子對(duì)的微粒是     ，配離子 [Cu(NH3)4]2+的配體是              。
(6)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷：
①NH3分子中，中心原子上的σ鍵電子對(duì)數(shù)為       ，孤電子對(duì)數(shù)為      ，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為       ，中心原子的雜化方式為    雜化，VSEPR構(gòu)型為           ，分子的立體構(gòu)型為           。
②BF3分子中，中心原子的雜化方式為       雜化，分子的立體構(gòu)型為           。

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