工業(yè)制粗硅 【查看更多】

 

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工業(yè)制造粗硅的化學(xué)方程式為：SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑，在這個(gè)氧化還原反應(yīng)中，氧化劑和還原劑的物質(zhì)的量之比是（　�。�
A、1：2B、2：1
C、1：1D、5：2

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工業(yè)由粗硅制取純硅有以下反應(yīng)：

①Si(s) + 3 HCl(g)SiHCl3(g) + H2(g)；△H = -318 kJ·mol-l

②SiHCl3(g) + H2(g)Si(s) + 3 HCl(g)；

下列關(guān)于上述反應(yīng)的說法中不正確的是

A．反應(yīng)①、②均為氧化還原反應(yīng)       

B．反應(yīng)①、②均為置換反應(yīng)

C．若反應(yīng)①放熱，則反應(yīng)②一定吸熱   

D．欲提高SiHCl3產(chǎn)率，可減壓或升溫

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工業(yè)制造粗硅的化學(xué)方程式為：SiO2+2C
高溫
.
Si+2CO↑，在這個(gè)氧化還原反應(yīng)中，氧化劑和還原劑的物質(zhì)的量之比是（　　）
A．1：2B．2：1C．1：1D．5：2

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工業(yè)制造粗硅的化學(xué)方程式為：SiO2+2C數(shù)學(xué)公式Si+2CO↑，在這個(gè)氧化還原反應(yīng)中，氧化劑和還原劑的物質(zhì)的量之比是


  1. A.
    1：2
  2. B.
    2：1
  3. C.
    1：1
  4. D.
    5：2

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工業(yè)上用“三氯氫硅還原法”，提純粗硅的工藝流程如圖所示：

（1）三氯氫硅的制備原理：Si（s）+3HCl（g）?SiHCl3（g）+H2（g）△H=-210kJ/mol
工業(yè)上為了加快SiHCl的生成速率而又不降低硅的轉(zhuǎn)化率，可以采用的方法是
升高溫度或增大氫氣與SiHCl3的物質(zhì)的量之比或增大氫氣濃度；
升高溫度或增大氫氣與SiHCl3的物質(zhì)的量之比或增大氫氣濃度；
．
（2）除上述反應(yīng)外，還伴隨著副反應(yīng)：Si（s）+4HCl（g）?SiCl4（g）+2H2（g）△H=-241kJ/mol．已知：SiHCl、SiCl4常溫下均為液體．
①工業(yè)上分離SiHCl、SiCl4的操作方法為
蒸餾
蒸餾
．
②反應(yīng)SiHCl3（g）+HCl（g）?SiCl4（g）+H2（g）的△H=
-31
-31
kJ/mol．
（3）該生產(chǎn)工藝中可以循環(huán)使用的物質(zhì)是
氯化氫、氫氣
氯化氫、氫氣
（填物質(zhì)名稱）．

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