6．高嶺土[A12(Si2O5)(OH)4]中SiO2的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為( ). 40% 21.7% 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

（2013?上海二模）回答以下關(guān)于第三周期元素及其化合物的問(wèn)題．
（1）Na原子核外共有
11
11
種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子，有
4
4
種不同能量的電子．
（2）相同壓強(qiáng)下，部分元素氟化物的熔點(diǎn)見下表：
氟化物 NaF MgF2 SiF4
熔點(diǎn)/℃ 1266 1534 183
試解釋上表中氟化物熔點(diǎn)差異的原因：
NaF與MgF2為離子晶體，SiF4為分子晶體，故SiF4的熔點(diǎn)低，Mg2+的半徑比Na+的半徑小，MgF2中離子鍵更強(qiáng)，熔點(diǎn)更高
NaF與MgF2為離子晶體，SiF4為分子晶體，故SiF4的熔點(diǎn)低，Mg2+的半徑比Na+的半徑小，MgF2中離子鍵更強(qiáng)，熔點(diǎn)更高
．
（3）SiF4分子的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
，SiF4中Si-F鍵間的鍵角是
109°28′
109°28′
．
（4）在P、S、C1三種元素形成的氫化物中，熱穩(wěn)定性最大的是
HCl
HCl
（填氫化物的化學(xué)式）；
（5）已知Na的原子半徑大于C1的原子半徑，其原因是：
Na、C1電子層數(shù)相同，C1的核電荷數(shù)更大，核對(duì)核外電子的引力更強(qiáng)，原子半徑更小
Na、C1電子層數(shù)相同，C1的核電荷數(shù)更大，核對(duì)核外電子的引力更強(qiáng)，原子半徑更小
．

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對(duì)于ⅣA族元素，下列敘述中錯(cuò)誤的是（　�。�
A、SiO2和CO2中Si和O，C和O之間都是共價(jià)鍵B、C、Si、Ge的最外層電子數(shù)都是4個(gè)，次外層電子數(shù)都是8個(gè)C、CO2和SiO2都是酸性氧化物，在一定條件下都能和氧化鈣反應(yīng)D、該族元素的主要化合價(jià)是+2、+4和-4

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（2010?南寧二模）用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值．下列說(shuō)法中正確的是（　�。�

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（2009?山東）（化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)）C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位．
（1）寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式
1s22s22p63s23p2
1s22s22p63s23p2
．
從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?!--BA-->
O＞C＞Si
O＞C＞Si
．
（2）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為
sp3
sp3
，微粒間存在的作用力是
共價(jià)鍵
共價(jià)鍵
．
（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為
Mg
Mg
（填元素符號(hào)）．MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似．MO的熔點(diǎn)比CaO的高，其原因是
Mg2+半徑比Ca2+小，MgO晶格能大
Mg2+半徑比Ca2+小，MgO晶格能大
．
（4）C、Si為同一主族的元素，CO2和SiO2化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同．CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵，SiO2中Si與O原子間不形成上述π健．從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述π鍵
Si的原子半徑較大，Si、O原子間距離較大，p-p軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成上述穩(wěn)定的π鍵
Si的原子半徑較大，Si、O原子間距離較大，p-p軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成上述穩(wěn)定的π鍵
．

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（2009?汕頭模擬）NA表示阿佛加德羅常數(shù)，下列說(shuō)法正確的是（　　）

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