A⁺、B^2-、C^-、D、E、F³⁺分別表示含10個(gè)電子的六種粒子（離子或分子），其中
①A⁺、B^2-、F³⁺核外電子層結(jié)構(gòu)相同
②C^-是由兩種元素組成的
③D是兩種元素組成的四原子分子
④E在常溫下是無色液體
⑤往含 F³⁺的溶液中滴加含C^-的溶液，先有白色沉淀生成，繼續(xù)滴加后，白色沉淀消失請(qǐng)回答：
（1）寫出下列粒子的元素符號(hào)：A B F．
（2）E的電子式．
（3）D的晶體類型為，將D通入E中所得的溶液顯堿性，用化學(xué)方程式和離子方程式解釋其原因：．
（4）寫出 F³⁺和含過量C^-的溶液反應(yīng)的離子方程式：．

（2007?淄博三模）A、B、C、D、E五種短周期元素，原子序數(shù)依次增大，A、E同主族，A元素的原子半徑最小，B元素原子的最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的2倍，C元素的最高價(jià)氧化物的水化物X與其氫化物反應(yīng)生成一種鹽Y，A、B、C、E四種元素都能與D元素形成原子個(gè)數(shù)比不相同的常見化合物．回答下列問題：
（1）常溫下，X、Y的水溶液的pH均為5．則兩種水溶液中由水電離出的H⁺濃度之比是．
（2）A、B、D、E四種元素組成的某無機(jī)化合物，受熱易分解．寫出少量該化合物溶液與足量的Ba（OH）₂溶液反應(yīng)的離子方程式．
（3）將鋁片和鎂片用導(dǎo)線相連，插入由A、D、E三種元素組成物質(zhì)的稀溶液中構(gòu)成原電池，則負(fù)極的電極反應(yīng)式為．
（4）化學(xué)反應(yīng)3A₂（g）+C₂（g）?2CA₃（g）．當(dāng)反應(yīng)達(dá)到平衡時(shí)不斷改變條件（不改變A₂、C₂和CA₃的量），圖1表示反應(yīng)速率與反應(yīng)過程的關(guān)系，其中表示平衡混合物中CA₃的含量最高的一段時(shí)間是．溫度為T℃時(shí)，將4a mol A₂和2a mol C₂放入1L密閉容器中，充分反應(yīng)后測(cè)得C₂的轉(zhuǎn)化率為50%，則反應(yīng)的平衡常數(shù)
（5）化合物A₈B₄D₂有如圖2轉(zhuǎn)化關(guān)系．其中，g是常用調(diào)味品的主要成分．寫出反應(yīng)①的化學(xué)方程式
設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方案完成d→e的轉(zhuǎn)化

（2009?浙江）單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料．通常用炭在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度450～500℃），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅．以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖．

相關(guān)信息如下：①四氯化硅遇水極易水解；
②硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物；
③有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表：

物質(zhì)	SiCl4	BCl3	AlCl3	FeCl3	PCl5
沸點(diǎn)/℃	57.7	12.8	-	315	-
熔點(diǎn)/℃	-70.0	-107.2	-	-	-
升華溫度/℃	-	-	180	300	162

請(qǐng)回答下列問題：
（1）寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式．
（2）裝置A中g(shù)管的作用是；裝置C中的試劑是；
裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是．
（3）裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是（填寫元素符號(hào)）．
（4）為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預(yù)處理，使鐵元素還原成Fe²⁺，再用KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定，反應(yīng)的離子方程式是：5Fe²⁺+MnO₄^-+8H⁺=5Fe³⁺+Mn²⁺+4H₂O
①滴定前是否要滴加指示劑？（填“是”或“否”），請(qǐng)說明理由．
②某同學(xué)稱取5.000g殘留物后，經(jīng)預(yù)處理后在容量瓶中配制成100mL溶液，移取25.00mL試樣溶液，用1.000×10^-2 mol/LKMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定．達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí)，消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00mL，則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是．