晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅。
②粗硅與干燥的HCl氣體反應制得SiHCl₃：Si+3HClSiHCl₃+H₂。
③SiHCl₃與過量的H₂在1000～1100℃時反應制得純硅。
已知SiHCl₃（沸點33.0℃）能與H₂O強烈反應，在空氣中易自燃。
請回答下列問題：
（1）第①步制備粗硅的化學方程式為____________________。
（2）用SiHCl₃與過量的H₂反應制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置已略去）：

①裝置B中的試劑是______________，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是_______________。
②反應一段時間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是__________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是______________，裝置D中發(fā)生反應的化學方程式為_______________。
③為保證制備純硅實驗的成功，操作的關鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應溫度以及_________________________。
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫字母代號）是_____________。
a.碘水  b.氯水  c.NaOH溶液  d.KSCN溶液  e.Na₂SO₃溶液

晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅?

②粗硅與干燥HCl氣體反應制得SiHCl₃：Si+3HClSiHCl₃+H₂?

③SiHCl₃與過量H₂在1 000～1 100 ℃反應制得純硅?

已知SiHCl₃能與H₂O強烈反應，在空氣中易自燃。?

請完成下列問題：?

（1）第①步制備粗硅的化學反應方程式為________________。?

（2）粗硅與HCl反應完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl₃（沸點33.0 ℃）中含有少量SiCl₄（沸點57.6 ℃）和HCl（沸點－84.7 ℃），提純SiHCl₃采用的方法為：________________。

（3）用SiHCl₃與過量H₂反應制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）：?

①裝置B中的試劑是________，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是：________________。?

②反應一段時間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是________________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是________________，裝置D中發(fā)生反應的化學方程式為________________________。?

③為保證制備純硅實驗的成功，操作的關鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應溫度以及________________________________。?

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫字母代號）是________。?

a.碘水　

b.氯水　

c.NaOH溶液　

d.KSCN溶液　

e.Na₂SO₃溶液

晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

③SiHCl₃與過量H₂在1 000—1 100 ℃反應制得純硅

已知SiHCl₃能與H₂O強烈反應，在空氣中易自燃。

請完成下列問題：

(1)第①步制備粗硅的化學反應方程式為______________________________。

(2)粗硅與HCl反應完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl₃(沸點33.0 ℃)中含有少量SiCl₄(沸點57.6 ℃)和HCl(沸點-84.7 ℃)，提純SiHCl₃采用的方法為_____________________。

(3)用SiHCl₃與過量H₂反應制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去)：

①裝置B中的試劑是_______________________。裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是___________________________________。

②反應一段時間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是__________________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是___________________________________，裝置D中發(fā)生反應的化學方程式為_______________________________________。

③為保證制備純硅實驗的成功，操作的關鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應溫度以及________________________________。

28.晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

②粗硅與干燥HCl氣體反應制得SiHCl₃：Si+3HClSiHCl₃+H₂

③SiHCl₃與過量H₂在1000～1100℃反應制得純硅

已知SiHCl₃能與H₂O強烈反應，在空氣中易自燃。

請回答下列問題：

(1)第①步制備粗硅的化學反應方程式為_______________________________。

(2)粗硅與HCl反應完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl₃(沸點33.0℃)中含有少量SiCl₄(沸點57.6℃)和HCl(沸點-84.7℃)，提純SiHCl₃采用的方法為____________________。

(3)用SiHCl₃與過量H₂反應制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去)：

①裝置B中的試劑是_________________________。

  裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是_____________________________________。

②反應一段時間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是______________________________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是____________________________________，裝置D中發(fā)生反應的化學方程式為__________________________________________。

③為保證制備純硅實驗的成功，操作的關鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應溫度以及______________________________________。

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是_________________。

a.碘水    b.氯水    c.NaOH溶液    d.KSCN溶液    e.Na₂SO₃溶液

晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

②粗硅與干燥HCl氣體反應制得SiHCl₃:

Si+3HClSiHCl₃+H₂

③SiHCl與過量H₂在1 000—1 100℃反應制得純硅

已知SiHCl₃能與H₂O強烈反應，在空氣中易自然。

請回答下列問題：

(1)第①步制備粗硅的化學反應方程式為__________________________________________。

(2)粗硅與HCl反應完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl₃(沸點33.0℃)中含有少量SiCl₄(沸點57.6℃)和HCl(沸點-84.7℃),提純SiHCl₃采用的方法為_______。

(3)用SiHCl₃與過量H₂反應制備純硅的裝置如圖1-3-8(熱源及夾持裝置略去)：

圖1-3-8

①裝置B中的試劑是_______。

裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是_____________________________________________。

②反應一段時間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是______________________________________。

裝置D不能采用普通玻璃管的原因是_______________，裝置D中發(fā)生反應的化學方程式為______________________________。

③為保證制備純硅實驗的成功，操作的關鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應溫度以及_______。

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是_______。

a.碘水  b.氯水  c.NaOH溶液  d.KSCN溶液  e.Na₂SO₃溶液