題目列表(包括答案和解析)
[s1] Ⅰ.下面的虛線框中每一列、每一行相當于周期表的每一族和每一周期,但它的列數(shù)和行數(shù)都多于元素周期表。請在下面的虛線框中用實線畫出周期表第一至第六周期的輪廓,并畫出金屬與非金屬的分界線。
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Ⅱ.X、Y、Z、M、N為短周期的五種主族元素,其中X、Z同主族,Y、Z同周期,M與X、Y既不同族,也不同周期。X原子最外層電子數(shù)是核外電子層數(shù)的三倍,Y的最高化合價與其最低化合價的代數(shù)和等于6。N是短周期主族元素中原子半徑最大的非金屬元素。
(1)請寫出下列元素的元素符號:X ,Y ,M ,N 。
(2)請寫出 Y單質與NaOH溶液反應的離子方程式: 。
(3)Y與Z相比,非金屬性較強的元素是 ,可以證明該結論的實驗是(用離子方程式表示) 。
(4)用電子式表示Y和M形成化合物的形成過程: 。
[s1]29.
原子序數(shù)小于36的X、Y、Z、M、N、W六種元素,原子序數(shù)依次增大。已知X是迄今為止形成化合物最多的元素。Y原子最外層電子數(shù)與核外電子總數(shù)之比為
3∶4。M元素的常見氧化物有兩種,其中一種常溫下為氣體,且是主要的大氣污染物。Z、M、N 同周期,M2-、N-、Z+ 離子半徑逐漸減小。W是第Ⅷ族元素中原子序數(shù)最小的元素。據此回答:
(1)寫出N在周期表中的位置: ,化學鍵X—N的類型:
(填“離子鍵”、“極性共價鍵”或“非極性共價鍵);
(2)用電子式表示Z與M形成化合物的過程 ;
(3)X、Y、M的電負性由小到大的順序是 ;N3一與X、Y形成的一種化合物互為等電子體,則N3一的空間構型為 ;
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(5)X和W所形成的某種晶體結構如右圖所示,寫出:
基態(tài)W2+離子的價電子排布式 ;該晶體的化學式 。
[s1] Ⅰ.下面的虛線框中每一列、每一行相當于周期表的每一族和每一周期,但它的列數(shù)和行數(shù)都多于元素周期表。請在下面的虛線框中用實線畫出周期表第一至第六周期的輪廓,并畫出金屬與非金屬的分界線。
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Ⅱ.X、Y、Z、M、N為短周期的五種主族元素,其中X、Z同主族,Y、Z同周期,M與X、Y既不同族,也不同周期。X原子最外層電子數(shù)是核外電子層數(shù)的三倍,Y的最高化合價與其最低化合價的代數(shù)和等于6。N是短周期主族元素中原子半徑最大的非金屬元素。
(1)請寫出下列元素的元素符號:X ,Y ,M ,N 。
(2)請寫出 Y單質與NaOH溶液反應的離子方程式: 。
(3)Y與Z相比,非金屬性較強的元素是 ,可以證明該結論的實驗是(用離子方程式表示) 。
(4)用電子式表示Y和M形成化合物的形成過程: 。
[s1]29.
Ⅰ.下面的虛線框中每一列、每一行相當于周期表的每一族和每一周期,但它的列數(shù)和行數(shù)都多于元素周期表。請在下面的虛線框中用實線畫出周期表第一至第六周期的輪廓,并畫出金屬與非金屬的分界線。
Ⅱ.X、Y、Z、M、N為短周期的五種主族元素,其中X、Z同主族,Y、Z同周期,M與X、Y既不同族,也不同周期。X原子最外層電子數(shù)是核外電子層數(shù)的三倍,Y的最高化合價與其最低化合價的代數(shù)和等于6。N是短周期主族元素中原子半徑最大的非金屬元素。
(1)請寫出下列元素的元素符號:X ,Y ,M ,N 。
(2)請寫出 Y單質與NaOH溶液反應的離子方程式: 。
(3)Y與Z相比,非金屬性較強的元素是 ,可以證明該結論的實驗是(用離子方程式表示) 。
(4)用電子式表示Y和M形成化合物的形成過程: 。
A、B、C、D、E、F、G均是原子序數(shù)小于36的元素。A的基態(tài)原子外圍電子排布式為3s2;B原子的L電子層的P能級上有一個空軌道; C元素的基態(tài)原子最外層有3個未成對電子,次外層有2個電子; D 的原子的2p軌道上有1個電子的自旋方向與其它電子的自旋方向相反;E是海水中除氫、氧元素外含量最多的元素;F和G在周期表中既處于同一周期又位于同一族,且原子序數(shù)F比G小2。
根據信息回答下列問題:
(1)C的外圍電子排布圖為 。C與氫元素可分別形成含10個電子的分子、陰離子和陽離子,陽離子中中心原子的雜化類型為 ;
(2)用電子式表示化合物AE2的形成過程 。
(3)F與BD易形成配合物F(BD)5,在F(BD)5中F的化合價為_______;與BD分子互為等電子體的離子的化學式為 。
(4)E有多種含氧酸根①EO- ②EO2- ③EO3- ④EO4-,其中空間構型為四面體型的是 。(填序號)
(5)B、C、D、E原子兩兩相互化合形成的分子有多種,請列舉一種分子內所有原子都滿足最外層8電子穩(wěn)定結構的分子:_________(寫分子式)
(6) G的價電子排布式為 。GD晶體晶胞結構為NaCl型, 晶胞邊長為428 pm。
晶胞中兩個G原子之間的最短距離為___________m(精確至0.01)。由于晶體缺陷,晶體的化學式為 G0.88D,若晶體中的G分別為G2﹢、G3﹢,此晶體中G2﹢與G3﹢的最簡整數(shù)比為_________。
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