G和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。

（1）寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式      。

從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?u>      。

（2）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為     ，微粒間存在的作用力是       。

（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為     （填元素符號(hào)），MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似，MO的熔點(diǎn)比CaO的高，其原因是     。

（4）C、Si為同一主族的元素，CO₂和SiO₂化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO₂中C與O原子間形成σ鍵和π鍵，SiO：中Si與O原子間不形成上述π健。從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述π健          。

G和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。

（1）寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式      。

從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?nbsp;     。

（2）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為     ，微粒間存在的作用力是       。

（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為     （填元素符號(hào)），MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似，MO的熔點(diǎn)比CaO的高，其原因是     。

（4）C、Si為同一主族的元素，CO2和SiO2化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵，SiO：中Si與O原子間不形成上述π健。從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述π健          。