Ⅰ．工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅．
（1）原料粗鹽中常含有泥沙和Ca²⁺、Mg²⁺、Fe³⁺、SO₄^2-等雜質(zhì)，必須精制后才能供電解使用．精制時，粗鹽溶于水過濾后，還要加入的試劑分別為①Na₂CO₃、②HCl（鹽酸）③BaCl₂，這3種試劑添加的合理順序是______（填序號）洗滌除去NaCl晶體表面附帶的少量KCl，選用的試劑為______．（填序號）（①飽和Na₂CO₃溶液  ②飽和K₂CO₃溶液  ③75%乙醇 ④四氯化碳）
（2）如圖是離子交換膜（允許鈉離子通過，不允許氫氧根與氯離子通過）法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是______；NaOH溶液的出口為______（填字母）；精制飽和食鹽水的進口為______（填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是______．

Ⅱ．多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用受到廣泛關(guān)注．
（1）SiCl₄可制氣相白炭黑（與光導纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄與H₂和O₂反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學方程式為______ SiO₂+4HCl

工業(yè)上用電解飽和食鹽水的方法制取氫氧化鈉、氯氣和氫氣，但電解前要進行粗鹽精制。試回答下列問題：
資料卡片：

(1)選擇試劑以除去下表所列的可溶性雜質(zhì)。

雜質(zhì)	加入的試劑
CaCl2	Ⅰ________
MgCl2	Ⅱ________
硫酸鹽	Ⅲ________

(2)精制過程既要將雜質(zhì)離子Ca^2＋、Mg^2＋、SO₄^2— 完全沉淀，又要保證不引入新的雜質(zhì)，為此你認為加入所選沉淀劑的合理順序為：Ⅱ、________、________(填序號)．
(3)最后加適量的鹽酸以調(diào)節(jié)溶液至中性并除去過量的CO₃^2—.其中鹽酸除去CO₃^2—的化學方程式為______________________________________________________________________．

工業(yè)上用電解飽和食鹽水的方法制取氫氧化鈉、氯氣和氫氣，但電解前要進行粗鹽精制。試回答下列問題：

資料卡片：

(1)選擇試劑以除去下表所列的可溶性雜質(zhì)。

雜質(zhì)	加入的試劑
CaCl2	Ⅰ________
MgCl2	Ⅱ________
硫酸鹽	Ⅲ________

(2)精制過程既要將雜質(zhì)離子Ca^2＋、Mg^2＋、SO₄^2— 完全沉淀，又要保證不引入新的雜質(zhì)，為此你認為加入所選沉淀劑的合理順序為：Ⅱ、________、________(填序號)．

(3)最后加適量的鹽酸以調(diào)節(jié)溶液至中性并除去過量的CO₃^2—.其中鹽酸除去CO₃^2—的化學方程式為______________________________________________________________________．