（12分）不同的金屬在化學反應中表現(xiàn)出來的活潑程度不同，俄國化學家貝開托夫在大量實驗和系統(tǒng)研究之后，于1865年發(fā)表了金屬活動性順序：K Ca Na Mg Al Zn Fe SnPb (H) Cu Hg Ag Pt Au 。

（1）金屬活動性順序是學習“金屬及其化合物”的重要工具，許多“金屬及其化合物”的知識規(guī)律可以通過金屬活動性順序來掌握。例如，工業(yè)上冶煉金屬，根據(jù)金屬活動性順序可以采用不同的冶煉方法。其中可以用“熱分解法”冶煉的金屬是__________、        。

工業(yè)上又常用下列反應進行金屬鉀的冶煉：，似乎“違背”了金屬活動性順序，試解釋鈉能將更活潑的鉀置換出來的原因__________________________。

（2）在實踐中發(fā)現(xiàn)還有許多化學事實 “違背”金屬活動性順序，但這些“反�！爆F(xiàn)象都可以通過化學原理得到合理解釋。某學生在做探究實驗時，把鋅粒投入1mol·L^-1氯化鐵溶液中，觀察到如下實驗現(xiàn)象：鋅粒表面有一定量氣泡產(chǎn)生，溶液顏色逐漸變淺，一段時間后溶液逐漸渾濁，試用相關(guān)反應方程式進行解釋_________________________________、

__________________________________________________________________________。

（3）研究金屬活動性順序還可以指導對金屬陽離子氧化性強弱的認識，工業(yè)上用氯化鐵溶液腐蝕銅制電路板。

①請根據(jù)金屬活動性順序結(jié)合該反應原理，比較Cu²⁺、Fe³⁺、Fe²⁺的氧化性強弱        。

②請運用原電池原理設計實驗驗證Cu²⁺、Fe³⁺氧化性強弱的結(jié)論。

方案______________________________________________________________________。

不同的金屬在化學反應中表現(xiàn)出來的活潑程度不同，早在1812年瑞典化學家貝采里烏斯根據(jù)大量實驗現(xiàn)象首先提出了金屬活動順序的概念，后來俄國化學家貝開托夫在大量實驗和系統(tǒng)研究之后，于1865年發(fā)表了金屬活動性順序：K Ca Na Mg Al Zn Fe Sn Pb （H） Cu Hg Ag Pt Au．
（1）金屬活動性順序是學習“金屬及其化合物”的重要工具，許多“金屬及其化合物”的知識規(guī)律可以通過金屬活動性順序來掌握．例如，工業(yè)上冶煉金屬，根據(jù)金屬活動性順序可以采用不同的冶煉方法．其中可以用“熱分解法”冶煉的金屬是______、______．
工業(yè)上又常用下列反應進行金屬鉀的冶煉：Na+KClK↑+NaCl，似乎“違背”了金屬活動性順序，試解釋鈉能將更活潑的鉀置換出來的原因______．
（2）在實踐中發(fā)現(xiàn)還有許多化學事實“違背”金屬活動性順序，但這些“反�！爆F(xiàn)象都可以通過化學原理得到合理解釋．某學生在做探究實驗時，把鋅粒投入1mol?L^-1氯化鐵溶液中，觀察到如下實驗現(xiàn)象：鋅粒表面有一定量氣泡產(chǎn)生，溶液顏色逐漸變淺，一段時間后溶液逐漸渾濁，試用相關(guān)反應方程式進行解釋______、______．
（3）研究金屬活動性順序還可以指導對金屬陽離子氧化性強弱的認識，工業(yè)上用氯化鐵溶液腐蝕銅制電路板．
①請根據(jù)金屬活動性順序結(jié)合該反應原理，比較Cu²⁺、Fe³⁺、Fe²⁺的氧化性強弱______．
②請運用原電池原理設計實驗驗證Cu²⁺、Fe³⁺氧化性強弱的結(jié)論．
方案：______．

清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)（如某些有機物，無機鹽，金屬、Si、SiO₂粉塵等）。常用的化學清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH，Na₂SiO₃等混合溶液在75～90℃反應25～35 min，效果良好。

回答下列問題

（1）能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液，為什么?用化學方程式加以解釋                           ；

（2）寫出晶片制絨反應的離子方程式                                    ，對單晶制絨1990年化學家Seidel提出了一種的電化學模型，他指出Si與NaOH溶液的反應，首先是Si與OH^一反應，生成SiO₄^4一，然后SiO₄^4一迅速水解生成H₄SiO₄�；�于此原理分析反應中氧化劑為                     。

（3）本校化學興趣小組同學，為驗證Seidel的理論是否正確，完成以下實驗：

結(jié)論：從實驗上說明堿性水溶液條件下，H₂O可作                 劑；NaOH作               劑，降低反應             。高溫無水環(huán)境下，NaOH作               劑。

（4）在太陽能電池表面沉積深藍色減反膜——氮化硅晶膜。常用硅烷（SiH₄）與氨氣（NH₃）在等離子體中反應。硅烷是一種無色、有毒氣體，常溫下與空氣和水劇烈反應。下列關(guān)于硅烷、氮化硅的敘述不正確的是                。

A．在使用硅烷時要注意隔離空氣和水，SiH₄能與水發(fā)生氧化還原反應生成H₂；

B．硅烷與氨氣反應的化學方程式為：3SiH₄+4NH₃＝Si₃N₄+12H₂↑，反應中NH₃作氧化劑；

C．它們具有卓越的抗氧化、絕緣性能和隔絕性能，化學穩(wěn)定性很好，不與任何酸、堿反應；

D．氮化硅晶體中只存在共價鍵，Si₃N₄是優(yōu)良的新型無機非金屬材料。

清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)（如某些有機物，無機鹽，金屬、Si、SiO₂粉塵等）。常用的化學清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH，Na₂SiO₃等混合溶液在75～90℃反應25～35 min，效果良好。
回答下列問題
（1）能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液，為什么?用化學方程式加以解釋                          ；
（2）寫出晶片制絨反應的離子方程式                                   ，對單晶制絨1990年化學家Seidel提出了一種的電化學模型，他指出Si與NaOH溶液的反應，首先是Si與OH^一反應，生成SiO₄^4一，然后SiO₄^4一迅速水解生成H₄SiO₄�；�于此原理分析反應中氧化劑為                    。
（3）本校化學興趣小組同學，為驗證Seidel的理論是否正確，完成以下實驗：