21.有A.B.C.D.E.F.G七種元素.除E為第四周期元素外其余均為短周期元素.A.E.G位于元素周期表的s區(qū).其余元素位于p區(qū).A.E的原子外圍電子層排布相同.A的原子中沒(méi)有成對(duì)電子,B元素基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道且每種軌道中的電子總數(shù)相同,C元素原子的外圍電子層排布式為nsnnpn+1,D元素的第一電離能列同周期主族元素第三高,F的基態(tài)原子核外成對(duì)電子數(shù)是成單電子數(shù)的3倍,G的基態(tài)原子占據(jù)兩種形狀的原子軌道.且兩種形狀軌道中的電子總數(shù)均相同.回答下列問(wèn)題: (1)寫出下列元素的符號(hào):D .G , (2)D的前一元素第一電離能高于D的原因: , (3)由A.B.C形成的ABC分子中.含有 個(gè)σ鍵. 個(gè)π鍵, (4)由D.E.F.G形成的鹽E2DF4.GDF4的共熔體在冷卻時(shí)首先析出的物質(zhì)是 .原因是 , 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

有A、B、C、D、E、F、G七種元素,除E為第四周期元素外其余均為短周期元素。A、E、G位于元素周期表的s區(qū),其余元素位于p區(qū),A、E的原子外圍電子層排布相同,A的原子中沒(méi)有成對(duì)電子;B元素基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道且每種軌道中的電子總數(shù)相同;C元素原子的外圍電子層排布式為nsnnpn+1;D元素的第一電離能列同周期主族元素第三高;F的基態(tài)原子核外成對(duì)電子數(shù)是成單電子數(shù)的3倍;G的基態(tài)原子占據(jù)兩種形狀的原子軌道,且兩種形狀軌道中的電子總數(shù)均相同;卮鹣铝袉(wèn)題:

   (1)寫出下列元素的符號(hào):D                ,G                 ;

   (2)D的前一元素第一電離能高于D的原因:                            ;

   (3)由A、B、C形成的ABC分子中,含有           個(gè)σ鍵,         個(gè)π鍵;

   (4)由D、E、F、G形成的鹽E2DF4、GDF4的共熔體在冷卻  時(shí)首先析出的物質(zhì)是

                   (寫化學(xué)式),原因是                    ___________       ;

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(14分)有A、B、C、D、E、F、G七種元素,除E為第四周期元素外其余均為短周期元素。A、E、G位于元素周期表的s區(qū),其余元素位于p區(qū)。A、E的原子外圍電子層排布相同,A的原子中沒(méi)有成對(duì)電子;B元素基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道且每種軌道中的電子總數(shù)相同;C元素原子的外圍電子層排布式為nsnnpn+1;D元素形成的一種單質(zhì)為淡黃色,不溶于水、微溶于酒精、易溶于CS2;F的基態(tài)原子核外成對(duì)電子數(shù)是成單電子數(shù)的3倍;G原子有三個(gè)電子層,其基態(tài)原子占據(jù)兩種形狀的原子軌道,且兩種形狀軌道中的電子總數(shù)相同;卮鹣铝袉(wèn)題:

(1)寫出下列元素的符號(hào):D          ,G           ;(每空2分)

(2)寫出基態(tài)C原子的軌道表示式:                       (2分)

(3)由A、B、C形成的ABC分子中,含有        個(gè)σ鍵,      個(gè)π鍵;(每空2分)

(4)由D、E、F、G形成的鹽E2DF4、GDF4的共熔體在冷卻時(shí)首先析出的物質(zhì)是:           (寫化學(xué)式),原因是                                ;(每空2分)

 

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(14分)有A、B、C、D、E、F、G七種元素,除E為第四周期元素外其余均為短周期元素。A、E、G位于元素周期表的s區(qū),其余元素位于p區(qū)。A、E的原子外圍電子層排布相同,A的原子中沒(méi)有成對(duì)電子;B元素基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道且每種軌道中的電子總數(shù)相同;C元素原子的外圍電子層排布式為nsnnpn+1;D元素形成的一種單質(zhì)為淡黃色,不溶于水、微溶于酒精、易溶于CS2;F的基態(tài)原子核外成對(duì)電子數(shù)是成單電子數(shù)的3倍;G原子有三個(gè)電子層,其基態(tài)原子占據(jù)兩種形狀的原子軌道,且兩種形狀軌道中的電子總數(shù)相同;卮鹣铝袉(wèn)題:

(1)寫出下列元素的符號(hào):D           ,G            ;(每空2分)

(2)寫出基態(tài)C原子的軌道表示式:                        (2分)

(3)由A、B、C形成的ABC分子中,含有        個(gè)σ鍵,      個(gè)π鍵;(每空2分)

(4)由D、E、F、G形成的鹽E2DF4、GDF4的共熔體在冷卻時(shí)首先析出的物質(zhì)是:           (寫化學(xué)式),原因是                                 ;(每空2分)

 

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有A、B、C、D、E、F、G七種元素,除E為第四周期元素外其余均為短周期元素.A、E、G位于元素周期表的s區(qū),其余

元素位于p區(qū),A、E的原子外圍電子層排布相同,A的原子中沒(méi)有成對(duì)電子;B元素基

態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道且每種軌道中的電子總數(shù)相同;C元素原子

的外圍電子層排布式為nsnnpn+1;D元素的第一電離能列同周期主族元素第三高;F的基

態(tài)原子核外成對(duì)電子數(shù)是成單電子數(shù)的3倍;G的基態(tài)原子占據(jù)兩種形狀的原子軌道,

且兩種形狀軌道中.的電子總數(shù)均相同.回答下列問(wèn)題:

(1)

寫出下列元素的符號(hào):D________,G________;

(2)

D的前一元素第一電離能高于D的原因:________

(3)

由A、B、C形成的ABC分子中,含有________個(gè)σ鍵,________個(gè)π鍵;

(4)

由D、E、F、G形成的鹽E2DF4、GDF4的共熔體在冷卻時(shí)首先析出的物質(zhì)是________(寫化學(xué)式),原因是________;

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有A、B、C、D、E、F、G七種元素,除E為第四周期元素外其余均為短周期元素.A、E、G位于元素周期表的s區(qū),其余元素位于p區(qū),A、E的原子外圍電子層排布相同,A的原子中沒(méi)有成對(duì)電子;B元素基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道且每種軌道中的電子總數(shù)相同;C元素原子的外圍電子層排布式為nsnnpn+1;D元素的第一電離能列同周期主族元素第三高;F的基態(tài)原子核外成對(duì)電子數(shù)是成單電子數(shù)的3倍;G的基態(tài)原子占據(jù)兩種形狀的原子軌道,且兩種形狀軌道中的電子總數(shù)均相同.回答下列問(wèn)題:

(1)

寫出下列元素的符號(hào):D____①____,G____②____;

(2)

D的前一元素第一電離能高于D的原因:____③____;

(3)

由A、B、C形成的ABC分子中,含有____④____個(gè)σ鍵,____⑤____個(gè)π鍵;

(4)

由D、E、F、G形成的鹽E2DF4、GDF4的共熔體在冷卻時(shí)首先析出的物質(zhì)是____⑥____(寫化學(xué)式),原因是____⑦_(dá)___

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