3.單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料.通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅.粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅.四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅.以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖. 相關(guān)信息如下: a.四氯化硅遇水極易水解, b.硼.鋁.鐵.磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物, c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表: 物質(zhì) SiCl4 BCl3 AlCl3 FeCl3 PCl5 沸點(diǎn)/℃ 57.7 12.8 - 315 - 熔點(diǎn)/℃ -70.0 -107.2 - - - 升華溫度/℃ - - 180 300 162 請回答下列問題: (1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式 . (2)裝置A中g(shù)管的作用是 ,裝置C中的試劑是 ,裝置E中的h瓶需要冷卻理由是 . (3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾得到高純度四氯化硅.精餾后的殘留物中.除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是 . (4)為了分析殘留物中鐵元素的含量.先將殘留物預(yù)處理.是鐵元素還原成Fe2+ .再用KMnO4標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定.反應(yīng)的離子方程式是: ①滴定前是否要滴加指示劑? .請說明理由 . ②某同學(xué)稱取5.000g殘留物.預(yù)處理后在容量瓶中配制成100ml溶液.移取25.00ml.試樣溶液.用1.000×10-2mol· L-1KMnO4標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定.達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí).消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是 . 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(2009?浙江)單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料.通常用炭在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度450~500℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅.以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖.

相關(guān)信息如下:①四氯化硅遇水極易水解;
②硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物;
③有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:
物質(zhì) SiCl4 BCl3 AlCl3 FeCl3 PCl5
沸點(diǎn)/℃ 57.7 12.8 - 315 -
熔點(diǎn)/℃ -70.0 -107.2 - - -
升華溫度/℃ - - 180 300 162
請回答下列問題:
(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式
MnO2+4H++2Cl-
 加熱 
.
 
Mn2++Cl2↑+2H2O
MnO2+4H++2Cl-
 加熱 
.
 
Mn2++Cl2↑+2H2O

(2)裝置A中g(shù)管的作用是
平衡壓強(qiáng),使液體順利流出并防止漏氣
平衡壓強(qiáng),使液體順利流出并防止漏氣
;裝置C中的試劑是
濃硫酸
濃硫酸
;
裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是
產(chǎn)物SiCl4沸點(diǎn)低,需要冷凝收集
產(chǎn)物SiCl4沸點(diǎn)低,需要冷凝收集

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是
Al、P、Cl
Al、P、Cl
(填寫元素符號(hào)).
(4)為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預(yù)處理,使鐵元素還原成Fe2+,再用KMnO4標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定,反應(yīng)的離子方程式是:5Fe2++MnO4-+8H+=5Fe3++Mn2++4H2O
①滴定前是否要滴加指示劑?
(填“是”或“否”),請說明理由
KMnO4溶液的紫紅色可指示反應(yīng)終點(diǎn)
KMnO4溶液的紫紅色可指示反應(yīng)終點(diǎn)

②某同學(xué)稱取5.000g殘留物后,經(jīng)預(yù)處理后在容量瓶中配制成100mL溶液,移取25.00mL試樣溶液,用1.000×10-2 mol/LKMnO4標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定.達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí),消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00mL,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是
4.480%
4.480%

查看答案和解析>>

(10分)單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用炭在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度450~500℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下:

①四氯化硅遇水極易水解;

②硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物;

③有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:

物質(zhì)

SiCl4

BCl3

AlCl3

FeCl3

PCl5

沸點(diǎn)/℃

57.7

12.8

315

熔點(diǎn)/℃

-70.0

-107.2

升華溫度/℃

180

300

162

請回答下列問題:

(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                                         

(2)裝置A中g(shù)管的作用是                           ;裝置C中的試劑是        

裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是                                            。

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是                  (填寫元素符號(hào))。

(4)為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預(yù)處理,使鐵元素還原成Fe2,再用KMnO4標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定,反應(yīng)的離子方程式是:

5Fe2+MnO4+8H5Fe3+Mn2+4H2O

①滴定前是否要滴加指示劑?     (填“是”或“否”),請說明理由                  

                                      。

②某同學(xué)稱取5.000g殘留物后,經(jīng)預(yù)處理后在容量瓶中配制成100 mL溶液,移取25.00 mL試樣溶液,用1.000×102 mol/L KMnO4標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定。達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí),消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00 mL,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是           。

 

查看答案和解析>>

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度450~500 ℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下:

a.四氯化硅遇水極易水解;

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物;

c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:

物質(zhì)

SiCl4

BCl3

AlCl3

FeCl3

PCl下標(biāo)5

沸點(diǎn)/℃

57.7

12.8

315

熔點(diǎn)/℃

-70.0

-107.2

升華溫度/℃

180

300

162

請回答下列問題:

(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式____________。

(2)裝置A中g(shù)管的作用是____________;裝置C中的試劑是;裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是____________________________________。

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是____________(填寫元素符號(hào))。

(4)為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預(yù)處理,使鐵元素還原成Fe2+,再用KMnO4標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定,反應(yīng)的離子方程式是:5Fe2++MnO-4+8H+====5Fe3++Mn2++4H2O

①滴定前是否要滴加指示劑?________(填“是”或“否”),請說明理由__________________。

②某同學(xué)稱取5.000 g殘留物,經(jīng)預(yù)處理后在容量瓶中配制成100 mL溶液,移取25.00 mL試樣溶液,用1.000×10-2 mol·L-1 KMnO4標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定。達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí),消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00 mL,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是________________。

 

查看答案和解析>>

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硫、磷等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度450-500°C),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下:

a.四氯化硅遇水極易水解;

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物;

c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:

請回答下列問題:www.ks5.u.com

(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                  

(2)裝置A中g(shù)管的作用是              ;裝置C中的試劑是         ;裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                 。

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是             (填寫元素符號(hào))。

(4)為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預(yù)處理,是鐵元素還原成Fe2+ ,再用KMnO4標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定,反應(yīng)的離子方程式是:

①滴定前是否要滴加指示劑?           (填“是”或“否”),請說明理由           。

②某同學(xué)稱取5.000g殘留物,預(yù)處理后在容量瓶中配制成100ml溶液,移取25.00ml,試樣溶液,用1.000×10-2mol· L-1KMnO4標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定。達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí),消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是           。

 

查看答案和解析>>

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硫、磷等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度450-500°C),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下:

a.四氯化硅遇水極易水解;

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物;

c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:

請回答下列問題:

(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                  。

(2)裝置A中g(shù)管的作用是              ;裝置C中的試劑是         ;裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                 。

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是             (填寫元素符號(hào))。

(4)為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預(yù)處理,是鐵元素還原成Fe2+ ,再用KMnO4標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定,反應(yīng)的離子方程式是:

①滴定前是否要滴加指示劑?            (填“是”或“否”),請說明理由          。

②某同學(xué)稱取5.000g殘留物,預(yù)處理后在容量瓶中配制成100ml溶液,移取25.00ml,試樣溶液,用1.000×10-2mol· L-1KMnO4標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定。達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí),消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是           。

 

查看答案和解析>>


同步練習(xí)冊答案