11.通常人們把拆開1 mol某化學鍵所吸收的能量看成該化學鍵的鍵能.鍵……查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

通常人們把拆開1 mol某化學鍵所吸收的能量看成該化學鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學鍵的強弱,也可用于估算化學反應(yīng)的反應(yīng)熱(ΔH),化學反應(yīng)的ΔH等于反應(yīng)中斷裂舊化學鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學鍵的鍵能之和的差。

化學鍵

Si—O

Si—Cl

H—H

H—Cl

Si—Si

Si—C

鍵能/kJ·mol-1

460

360

436

431

176

347

請回答下列問題:

(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點高低(填“>”或“<”=):SiC_______Si;SiCl4_______SiO2。

(2)圖1-1立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子,請在立方體的頂點用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

                           

                                圖1-1

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通常人們把拆開1 mol 某化學鍵所吸收的能量看成該化學鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學鍵的強弱,也可用于估算化學反應(yīng)的反應(yīng)熱(ΔH),化學反應(yīng)的ΔH等于反應(yīng)中斷裂舊化學鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學鍵的鍵能之和的差。

化學鍵

Si—O

Si—Cl

H—H

H—Cl

Si—Si

Si—C

鍵能/kJ·mol-1

460

360

436

431

176

347

工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制�。�

SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl (g)

該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH=______________kJ·mol -1

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通常人們把拆開1 mol某化學鍵所吸收的能量看成該化學鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學鍵的強弱,也可用于估算化學反應(yīng)的反應(yīng)熱(ΔH),化學反應(yīng)的ΔH等于反應(yīng)中斷裂舊化學鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學鍵的鍵能之和的差。

化學鍵

Si—O

Si—Cl

H—H

H—Cl

Si—Si

Si—C

鍵能/kJ·mol-1

460

360

436

431

176

347

請回答下列問題:

(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點高低(填“>”或“<”)

SiC_________Si;SiCl4_____________SiO2

(2)圖3-9中立方體中心的“·”表示硅晶體中的一個原子,請在立方體的頂點用“·”表示出與之緊鄰的硅原子。

                                

                                      圖3-9

(3)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制�。�

SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)

該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH_______=kJ·mol-1

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通常人們把拆開1 mol某化學鍵所吸收的能量看成該化學鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學鍵的強弱,也可用于估算化學反應(yīng)的反應(yīng)熱(ΔH),化學反應(yīng)的ΔH等于反應(yīng)斷裂舊化學鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學鍵的鍵能之和的差。

化學鍵

Si—O

Si—Cl

H—H

H—Cl

Si—Si

Si—C

鍵能/kJ·mol-1

460

360

436

431

176

347

請回答下列問題:

(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點高低(填“>”或“<”=SiC______Si;SiCl4______SiO2

(2)圖中立方體中心的“”表示硅晶體中的一個原子,請在立方體的頂點用“”表示出與之緊鄰的硅原子。

(3)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制�。�

    SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g),該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH=______kJ·mol-1

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通常人們把拆開1 mol某化學鍵所吸收的能量看成該化學鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學鍵的強弱,也可用于估算化學反應(yīng)的反應(yīng)熱(ΔH),化學反應(yīng)的ΔH等于反應(yīng)中斷裂舊化學鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學鍵的鍵能之和的差。

化學鍵

Si—O

Si—Cl

H—H

H—Cl

Si—Si

Si—C

鍵能/kJ·mol-1

460

360

436

431

176

347

請完成下列問題:

(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點高低(填“>”或“<”)SiC_________Si;SiCl4_________SiO2。

(2)上圖立方體中心的“”表示硅晶體中的一個原子,請在立方體的頂點用“”表示出與之緊鄰的硅原子。

(3)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制�。�

SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)

該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH=_________kJ·mol-1。

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