工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。
(1) 右圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是    ；NaOH溶液的出口為______(填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為_____(填字母）；干燥塔中使用的液體干燥劑是____（每空2分）。

(2) 原料粗鹽中常含有泥沙和Ca²⁺、Mg²⁺、Fe³⁺、SO₄^2-等雜質(zhì)，必須精制后才能供電解使用。精制時，粗鹽溶于水過濾后，還要加人的試劑分別為①Na₂CO₃、②HCl(鹽酸）、③BaCl₂,這3種試劑添加的合理順序是    （2分)(填序號)。
(3) 多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用受到廣泛關(guān)注SiCl₄可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄與H₂和O₂反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                         (2分)。也可轉(zhuǎn)化為而循環(huán)使用。一定條件下，在20⁰C恒容密閉容器中發(fā)生反應(yīng)_:，達(dá)平衡后，H2與SiHCL₃物質(zhì)的量濃度分別為0. 140mol/L和0. 020mol/L，若H₂全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的物質(zhì)的量為_______ (2分)mol。
(4)已知1 g陰極產(chǎn)生的氣體在陽極產(chǎn)生的氣體中完全燃燒時放出92. 3 kj的熱量，則該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為:                                    (2分)。

工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。

(1)如圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是________；NaOH溶液的出口為________(填字母)；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為________(填字母)；干燥塔中應(yīng)使用的液體是________。

(2)多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用受到廣泛關(guān)注。

①SiCl₄可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同)，方法為高溫下SiCl₄與H₂和O₂反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為______________________。

②SiCl₄可轉(zhuǎn)化為SiHCl₃而循環(huán)使用。一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：

3SiCl₄(g)＋2H₂(g)＋Si(g)4SiHCl₃(g)

達(dá)平衡后，H₂與SiHCl₃物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H₂全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為________kg。

(3)采用無膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣________m³(標(biāo)準(zhǔn)狀況)。

（1）如圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖。電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是____________；NaOH溶液的出口為___________（填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為___________（填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是___________。

（2）多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用受到廣泛關(guān)注。

①SiCl₄可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄與H₂和O₂反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為____________________________________________。

②SiCl₄可轉(zhuǎn)化為SiHCl₃而循環(huán)使用。一定條件下，在20 L恒容密閉容器中的反應(yīng)：

3SiCl₄（g）+2H₂（g）+Si（s）4SiHCl₃（g）

達(dá)平衡后，H₂和SiHCl₃物質(zhì)的量濃度分別為0.140 mol/L和0.020 mol/L，若H₂全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為___________kg。

（3）采用無膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時生成氫氣�，F(xiàn)制得氯酸鈉213.0 kg，則生成氫氣_________m³（標(biāo)準(zhǔn)狀況）。

工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅。

(1) 右圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是     ； NaOH溶液的出口為______ (填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為_____ (填字母）；干燥塔中使用的液體干燥劑是____（每空2分）。

(2) 原料粗鹽中常含有泥沙和Ca²⁺、Mg²⁺、Fe³⁺、SO₄^2-等雜質(zhì)，必須精制后才能供電解使用。精制時，粗鹽溶于水過濾后，還要加人的試劑分別為①Na₂CO₃、②HCl(鹽酸）、③BaCl₂,這3種試劑添加的合理順序是     （2分)(填序號)。

(3) 多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用受到廣泛關(guān)注SiCl₄可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄與H₂和O₂反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為                          。也可轉(zhuǎn)化為而循環(huán)使用。一定條件下，在20⁰C恒容密閉容器中發(fā)生反應(yīng)_: ，達(dá)平衡后，H2與SiHCL₃物質(zhì)的量濃度分別為0. 140mol/L和0. 020mol/L，若H₂全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的物質(zhì)的量為_______ mol。

(4)已知1 g陰極產(chǎn)生的氣體在陽極產(chǎn)生的氣體中完全燃燒時放出92. 3 kj的熱量，則該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為:                                    。