由能量判據(jù)（以焓變△H為基礎(chǔ)）和熵判據(jù)(△S)組合而成的復(fù)合判據(jù)，適合于所有過程的自發(fā)性判斷。公式為△H -T△S(T指開爾文溫度)。若△H- T△S<0，反應(yīng)自發(fā)進行。
電子工業(yè)中清洗硅片上的SiO₂(s)的 反應(yīng)是：
SiO₂(s)+4HF(g)=SiF₄ (g) +2H₂O(g) △H (298. 15K)= -94. 0kJ/mol  △S(298. 15K)=- 75. 8J·mol^-1·K^-1
假設(shè)△H和△S不隨溫度而變化，試求此反應(yīng)自發(fā)進行的溫度條件。

由能量判據(jù)(以焓變?yōu)榛�礎(chǔ))(符號為△H，單位為kJ/mol)和熵判據(jù)(符號為△S，單位為J·mol^-1·K^-1)組合而成的復(fù)合判據(jù)，即體系自由能變化(符號為△G，單位為kJ/mol)將更適合于所有過程的自發(fā)性判斷。公式為△G=△H-T△S(T指開爾文溫度)；若△G＜0，反應(yīng)自發(fā)進行。電子工業(yè)中清洗硅片上的SiO₂(s)的反應(yīng)是：SiO₂(s)+4HF(g)==SiF₄(g)+2H₂O(g) △H(298．15K)=-94．0kJ·mol^-1 △S(298．15K)=-75．8J·mol^-1·K^-1 設(shè)△H和△S不隨溫度而變化，試求此反應(yīng)自發(fā)進行的溫度條件。