23．如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi).存在兩個(gè)場強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場I和II.兩電場的邊界均是邊長為L的正方形.(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子.求電子離開ABCD區(qū)域的位置.(2)在電場I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子.電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開.求所有釋放點(diǎn)的位置.(3)若將左側(cè)電場II整體水平向右移動L/n.仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開.求在電場I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置. 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動的簡化模型示意圖．在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi)，存在兩個(gè)場強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場Ⅰ和Ⅱ，已知A、D兩點(diǎn)的坐標(biāo)分別為（L，0）和（-2L，0），兩電場的邊界均是邊長為L的正方形（不計(jì)電子所受重力），現(xiàn)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放一電子，已知電子質(zhì)量為m，帶電量為e，試求：
（1）電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo)；
（2）電子從電場Ⅱ出來后經(jīng)過多少時(shí)間到達(dá)X軸；
（3）電子到達(dá)X軸時(shí)的位置坐標(biāo)．

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如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動的簡化模型示意圖．在Oxy平面的第一象限，存在以x軸y軸及雙曲線y=
L2
4x
的一段（0≤x≤L，0≤y≤L）為邊界的勻強(qiáng)電場I；在第二象限存在以x=-L； x=-2L；y=0；y=L的勻強(qiáng)電場II．兩個(gè)電場大小均為E，不計(jì)電子所受重力．求
（1）從電場I的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子，電子離開MNPQ時(shí)的位置；
（2）由電場I的AB曲線邊界處由靜止釋放電子離開MNPQ時(shí)的最小動能；
（3）若將左側(cè)電場II整體水平向左移動
L
n
（n≥1），要使電子從x=-2L，y=0處離開電場區(qū)域II，在電場I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置．

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精英家教網(wǎng)如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動的簡化模型示意圖．在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi)，存在兩個(gè)大小均為E的勻強(qiáng)電場I和II，兩電場的邊界均是邊長為L的正方形（不計(jì)粒子所受重力）．
（1）在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子，求電子離開ABCD區(qū)域的位置；
（2）在電場I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子，電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開，求所有釋放點(diǎn)的位置；
（3）若將左側(cè)電場II整體水平向右移動L/4，仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開（D不隨電場移動），在電場I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置．

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如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場Ⅰ和Ⅱ,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計(jì)電子所受重力).

(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置.

(2)在電場Ⅰ區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點(diǎn)的位置.

(3)若將左側(cè)電場Ⅱ整體水平向右移動L/n(n≥1)仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D.處離開(D不隨電場移動),求在電場Ⅰ區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.

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如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動的簡化模型示意圖．在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi)，存在兩個(gè)場強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場Ⅰ和Ⅱ，兩電場的邊界均是邊長為L的正方形（不計(jì)電子所受重力）．

①在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子，求電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo)．

②在電場Ⅰ區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子，電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開，求所有釋放點(diǎn)的位置坐標(biāo)應(yīng)滿足的條件．

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