晶體硅是一種重要的非金屬材料．請(qǐng)寫(xiě)出晶體硅的二種用途：
計(jì)算機(jī)芯片
計(jì)算機(jī)芯片
、
太陽(yáng)能電池
太陽(yáng)能電池
．制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl
3（常溫下為液態(tài)，易揮發(fā)）
③SiHCl
3與過(guò)量H
2在1000～1100℃反應(yīng)制得純硅．
已知：
Ⅰ．SiHCl
3水解會(huì)生成兩種氣態(tài)產(chǎn)物，請(qǐng)寫(xiě)出其水解的化學(xué)方程式：
SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑
SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑
．
Ⅱ．SiHCl
3 在空氣中自燃．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為
．
（2）用SiHCl
3與過(guò)量H
2反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）
①裝置B中的試劑是
濃H2SO4
濃H2SO4
，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是
使SiHCl3氣化
使SiHCl3氣化
；
②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是
D石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
D石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
；
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及
先通一段時(shí)間H2，將裝置中的空氣排盡
先通一段時(shí)間H2，將裝置中的空氣排盡
；
④設(shè)計(jì)鑒定產(chǎn)品硅中是否含少量Fe單質(zhì)的方法：
取少量產(chǎn)品于試管中加鹽酸溶解，再滴加氯水和KSCN（aq），若出現(xiàn)紅色說(shuō)明含F(xiàn)e，若不出現(xiàn)紅色說(shuō)明不含F(xiàn)e．
取少量產(chǎn)品于試管中加鹽酸溶解，再滴加氯水和KSCN（aq），若出現(xiàn)紅色說(shuō)明含F(xiàn)e，若不出現(xiàn)紅色說(shuō)明不含F(xiàn)e．
．
化學(xué)對(duì)人類社會(huì)進(jìn)步和發(fā)展的貢獻(xiàn)之一是發(fā)現(xiàn)和研制了各種材料，無(wú)機(jī)非金屬材料和金屬材料在我們生活中有著極其廣泛的用途．根據(jù)你學(xué)過(guò)的有關(guān)材料的知識(shí)，回答下列問(wèn)題：