了解晶胞的概念.會進行晶胞中微粒數(shù)的相關計算. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

已知晶胞中微粒數(shù)的計算方法—切割法,我們可以用“切割法”來計算一   個晶胞中實際擁有的微粒數(shù)。切割法的根本原則是:晶胞任意位置的一個原子如被x個晶胞所共有,那么,每個晶胞對這個原子分得的份額就是______________。

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[化學選修3-物質(zhì)結構與性質(zhì)]
已知A、B、C、D、E、F是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)依次增大.其中B、D、F原子最外電子層的P能級(軌道)上的電子處于半充滿狀態(tài).通常情況下,A的某種氧化物分子為非極性分子,其晶胞中分子呈面心立方堆積.E的電負性在該周期中最大.C的單質(zhì)是一種常見的半導體材料.回答下列問題:(答題時,A、B、C、D、E、F均用所對應的元素符號表示)
(1)寫出基態(tài)F原子的核外電子排布式
 

(2)A,B,C的第一電離能由大到小的順序為
 

(3)上述A的氧化物分子中心原子采取
 
雜化,其晶胞中微粒間的作用力為
 

(4)有下列三種物質(zhì):①B的氫化物②A的最高價氧化物③A和C形成的化合物,它們的沸點從高到低的順序為
 

(5)固體CrE3?6H2O溶于水可能有幾種不同組成的配離子,將含0.2665g CrE3?6H2O  的溶液通過氫離子交換樹脂(只交換配陽離子),交換出的氫離子恰好用0.1250mol/L的氫氧化鈉溶液8.00mL中和.已知配離子配位數(shù)為6,則該配離子是
 
,配位原子是
 
,該固體溶于水還可形成多種配陽離子,寫出其中的兩種
 

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精英家教網(wǎng)有U、V、W、X、Y、Z、T七種前四周期元素,它們的原子序數(shù)依次增大,其相關信息如下表:
元素編號 相    關    信    息
U 其核外電子總數(shù)等于其電子層數(shù)
V 基態(tài)時,電子分布在三個能級上,且各能級中電子數(shù)均相等
W 其單質(zhì)是空氣的主要成分之一,且化學性質(zhì)相當穩(wěn)定
X 與W元素處于同一周期,且X的第一電離能小于W的第一電離能
Y 其單質(zhì)是最強的氧化劑
Z Z元素的二價陽離子與氬原子的電子層結構相同
T 是第四周期元素中未成對電子數(shù)最多的元素
請回答下列問題:
(1)T的基態(tài)原子的價電子排布式為
 

(2)U、V兩種元素可組成多種結構的分子.請寫出符合下列條件的物質(zhì)的結構簡式:
若化合物V8U8中V元素均采取sp3雜化方式
 

若化合物V8U8中V元素均采取sp2雜化方式
 

(3)寫出一種與V22-互為等電子體的分子的化學式為
 

(4)甲和乙分別是W、X元素對應的氫化物,甲和乙中均屬于10電子分子,甲極易溶于乙中,原因是
 

(5)ZY2晶體的晶胞如圖所示,Z2+位于晶胞的頂點和面心,則Z2+的配位數(shù)為
 
(圖中虛線和某些實線意義相同).若該正方體的棱長為a cm,一個Z2+離子體積為b cm3,一個Y-離子體積為c cm3,該晶胞中微粒的空間利用率為
 
(用含a、b、c的字母表示).

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精英家教網(wǎng)短周期元素E、F的離子F+與E2-核外電子排布相同,B、D、E元素的原子序數(shù)依次遞增,B原子的每個能級上電子數(shù)相等,BE2和D2E是等電子體、A是F所在周期非金屬性最強的元素,G.E同主族且原子核外電子層數(shù)相差兩層,
請回答以下問題:
(1)元素F周期表中的位置在
 
;離子半徑F+
 
E2-(填“>”.“<”或“=”);
(2)AE-3中的中心原子的雜化類型
 
,該離子的空間構型為
 
;.
(3)D2與B2-2是等電子體,寫出化合物CaB2的電子式
 
;G原子基態(tài)價層電子排布式為
 
;
(4)比較E、G組成的最低價氫化物(填化學式):
①穩(wěn)定的是
 
;②還原性強的是
 
;③沸點高的是
 

(5)BE2的分子構型為
 
.其晶胞如圖,該晶胞中微粒間的作用力為
 
,一個BE2分子周圍最近的BE2分子有
 
個,若該晶體的密度是dg/cm3,則晶胞的邊長為
 
cm.

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(2009?宿遷模擬)已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)A<B<C<D<E.其中B、D、E原子最外電子層的p能級(軌道)上的電子處于半滿狀態(tài).通常情況下,A的一種氧化物分子為非極性分子,其晶胞結構如右下圖所示.原子序數(shù)為31的元素鎵(Ga)與元素B形成的一種化合物是繼以C單質(zhì)為代表的第一代半導體材料和GaE為代表的第二代半導體材料之后,在近10年迅速發(fā)展起來的第三代新型半導體材料.
試回答下列問題:(答題時,A、B、C、D、E用所對應的元素符號表示)
(1)基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1

(2)A、B、C的第一電離能由大到小的順序為
N>C>Si
N>C>Si

(3)B元素的單質(zhì)分子中有
2
2
個π鍵,與其互為等電子體的物質(zhì)的化學式可能為
CO(或其他合理答案)
CO(或其他合理答案)
(任寫一種).
(4)上述A的氧化物分子的中心原子采取
sp
sp
雜化,其晶胞中微粒間的作用力為
范德華力
范德華力

(5)EH3分子的空間構型為
三角錐形
三角錐形
,其沸點與BH3相比
(填“高”或“低”),原因是
NH3分子間能形成氫鍵,AsH3分子間不能形成氫鍵
NH3分子間能形成氫鍵,AsH3分子間不能形成氫鍵

(6)向CuSO4溶液中逐滴加入BH3的水溶液,得到深藍色的透明溶液.請寫出該反應的離子方程式
Cu2++2NH3?H2O=Cu(OH)2+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH34]2++2OH-
Cu2++2NH3?H2O=Cu(OH)2+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH34]2++2OH-

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