題目列表(包括答案和解析)
A、B、C是原子序數(shù)依次遞增的短周期元素,A元素原子的電子總數(shù)等于其基態(tài)電子層數(shù),B元素原子的價(jià)電子結(jié)構(gòu)為nsnnpn,C元素的第一電離能在同族元素中最大,并且高于同周期左右相鄰的元素,但其單質(zhì)的熔點(diǎn)卻低于同周期左右相鄰元素的單質(zhì),D的價(jià)電子結(jié)構(gòu)為3d64s2。請回答:
(1)D元素較穩(wěn)定的化合價(jià)是 。
(2)C與A形成的最簡單分子是 分子(填:“極性”或“非極性”),該分子再與A+元素結(jié)合成離子時(shí),ACA鍵的鍵角發(fā)生改變,其原因是
(3)在烴中,若要求所有的原子都有可能在同一個(gè)平面中,則對碳原子成鍵軌道的要求是:
(4)在金剛石晶體的一個(gè)晶胞(如圖1)中,含有 個(gè)碳原子。在二氧化硅晶體的一個(gè)晶胞中,含有 個(gè)化學(xué)鍵。原子晶體能否形成最密堆積結(jié)構(gòu),原因是
(5)鐵晶體的晶胞結(jié)構(gòu)(如圖2):若鐵原子的半徑是r cm,則鐵的密度是 。
已知A、B、C是原子序數(shù)依次增大的短周期元素,A元素原子的電子總數(shù)等于其基態(tài)電子層數(shù),B元素原子的價(jià)電子排布式為,C元素的第一電離能在同族元素中最大且高于與其同周期左右相鄰的元素,但其單質(zhì)的熔點(diǎn)卻低于同周期左右相鄰元素的單質(zhì),D的價(jià)電子排布式為。
請回答:
(1)D元素較穩(wěn)定的化合價(jià)是__。
(2)C與A形成的最簡單分子是__分子(填:“極性”或“非極性”),該分子再與A+結(jié)合形成離子時(shí),ACA鍵的鍵角發(fā)生改變,其原因是 ___
(3)在烴中,若要求所有的原子都有可能在同一個(gè)平面中,則對碳原子成鍵軌道的要求是:
(4)在金剛石晶體的一個(gè)晶胞(如圖1)中,含有 個(gè)碳原于。在二氧化硅晶體的一個(gè)晶胞中,含有 個(gè)化學(xué)鍵。原子晶體能否形成最密堆積結(jié)構(gòu),原因是__ _
(5)鐵晶體的晶胞結(jié)構(gòu)(如圖2):若鐵原子的半徑是rcm,則鐵的密度是 ___。
H |
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| He |
1.312 0 |
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| 0.372 3 |
Li | Be | B | C | N | O | F | Ne |
0.520 3 | 0.899 5 | 0.800 1 | 1.086 4 | 1.402 3 | 1.314 0 | 1.681 0 | 2.080 7 |
Na | Mg | Al | Si | P | S | Cl | Ar |
0.495 8 | 0.737 7 | 0.577 6 | 0.786 5 | 1.011 8 | 0.999 6 | 1.251 1 | 1.520 5 |
K | Ca | Ga | Ge | As | Se | Br | Kr |
0.418 9 | 0.589 8 | 0.578 8 | x | 0.944 0 | 0.940 9 | 1.139 9 | 1.350 7 |
Rb | Sr | In | Sn | Sb | Te | I | Xe |
0.403 0 | 0.549 5 | 0.558 3 | 0.708 6 | 0.831 6 | 0.869 3 | 1.008 4 | 1.170 4 |
Cs | Ba | Tl | Pb | Bi | Po | At | Rn |
0.376 | 0.503 | 0.589 | 0.716 | 0.703 | 0.812 | 0.912 | 1.037 |
回答下列問題:
(1)從表中數(shù)據(jù)可知,同一主族元素原子的第一電離能I1變化規(guī)律是__________。說明同一主族元素從上到下__________能力逐漸增強(qiáng)。
(2)從表中數(shù)據(jù)預(yù)測Ge元素第一電離能x的取值范圍_______________。
(3)觀察第2、3周期中各元素的第一電離能,找出同一周期中元素第一電離能的變化規(guī)律。(說出一點(diǎn)即可)_______________。
(4)SiC是原子晶體,其結(jié)構(gòu)類似金剛石,為C、Si兩原子依次相同排列的正四面體空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。如圖為一個(gè)正方體,其中心為Si原子,試在正方體的頂點(diǎn)畫出與Si(用表示)最近的C(用表示)的位置。
H |
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| He |
1.3120 |
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| 0.3723 |
Li | Be | B | C | N | O | F | Ne |
0.5203 | 0.8995 | 0.8001 | 1.0864 | 1.4023 | 1.3140 | 1.6810 | 2.0807 |
Na | Mg | Al | Si | P | S | Cl | Ar |
0.4958 | 0.7377 | 0.5776 | 0.7865 | 1.0118 | 0.9996 | 1.2511 | 1.5205 |
K | Ca | Ga | Ge | As | Se | Br | Kr |
0.4189 | 0.5898 | 0.5788 | x | 0.9440 | 0.9409 | 1.1399 | 1.3507 |
Rb | Sr | In | Sn | Sb | Te | I | Xe |
0.4030 | 0.5495 | 0.5583 | 0.7086 | 0.8316 | 0.8693 | 1.0084 | 1.1704 |
Cs | Ba | Tl | Pb | Bi | Po | At | Rn |
0.376 | 0.503 | 0.589 | 0.716 | 0.703 | 0.812 | 0.912 | 1.037 |
回答下列問題。
(1)從表中數(shù)據(jù)可知,同一主族元素原子的第一電離能I1變化規(guī)律是________。說明同一主族元素從上到下________能力逐漸增強(qiáng)。
(2)從表中數(shù)據(jù)預(yù)測Ge元素第一電離能x的取值范圍________。
(3)觀察第2、3周期中各元素的第一電離能,找出同一周期中元素第一電離能的變化規(guī)律。
(說出一點(diǎn)即可) ________。
(4)SiC是原子晶體,其結(jié)構(gòu)類似金剛石,為C、Si兩原子依次相同排列的正四面體空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。如圖為一個(gè)正方體,其中心為Si原子,試在正方體的頂點(diǎn)畫出與Si(用表示)最近的C(用○表示)的位置。
現(xiàn)有部分元素的性質(zhì)與原子(或分子)結(jié)構(gòu)如下表:
元素編號 | 元素性質(zhì)與原子(或分子)結(jié)構(gòu) |
T | 最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的3倍 |
X | 常溫下單質(zhì)為雙原子分子,分子中含有3對共用電子對 |
Y | M層比K層少1個(gè)電子 |
Z | 第3周期元素的簡單離子中半徑最小 |
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