[小結(jié)]非金屬性依次 ,金屬性依次 . 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(三選一)【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
原子序數(shù)依次遞增的A、B、C、D、E是周期表中前30號(hào)元素。已知A的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍;A與C形成的常見(jiàn)化合物之一是主要的溫室氣體;D與A同主族,其單質(zhì)在同周期元素所形成的單質(zhì)中熔點(diǎn)最高;E原子M能 層為全充滿狀態(tài),且核外的未成對(duì)電子只有一個(gè)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)B在周期表中的位置是___________,該主族元素的氣態(tài)氫化物中,沸點(diǎn)最低的是__________(填化學(xué)式)。
(2)根據(jù)等電子原理分析,BC2+ 中B原子的軌道雜化類型是____________。
(3)五種元素中,電負(fù)性最大與最小的兩種非金屬元素形成的化合物在常溫下是晶體,其晶體類型是____________。
(4)+1價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽(yáng)離子再失去一個(gè)電子形成+2價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽(yáng)離子所需要的能量稱為第二電離能I2,依次還有I3、I4、I5…,推測(cè)D元素的電離能突增應(yīng)出現(xiàn)在第______電離能。
(5)A的一種相對(duì)分子質(zhì)量為28的氫化物,其分子中σ鍵與π鍵的個(gè)數(shù)之比為_(kāi)_______;A能形成多種常見(jiàn)單質(zhì),在熔點(diǎn)最低的單質(zhì)中,每個(gè)分子周圍緊鄰的分子數(shù)目為_(kāi)__________; 
(6)E的基態(tài)原子有_____種形狀不同的原子軌道;E2+ 的價(jià)電子排布式為_(kāi)______;下圖_______(填甲、乙或丙)表示的是E晶體中微粒的堆積方式。

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(三選一)【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
原子序數(shù)依次遞增的A、B、C、D、E是周期表中前30號(hào)元素。已知A的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍;A與C形成的常見(jiàn)化合物之一是主要的溫室氣體;D與A同主族,其單質(zhì)在同周期元素所形成的單質(zhì)中熔點(diǎn)最高;E原子M能 層為全充滿狀態(tài),且核外的未成對(duì)電子只有一個(gè)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)B在周期表中的位置是___________,該主族元素的氣態(tài)氫化物中,沸點(diǎn)最低的是__________(填化學(xué)式)。
(2)根據(jù)等電子原理分析,BC2+ 中B原子的軌道雜化類型是____________。
(3)五種元素中,電負(fù)性最大與最小的兩種非金屬元素形成的化合物在常溫下是晶體,其晶體類型是____________。
(4)+1價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽(yáng)離子再失去一個(gè)電子形成+2價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽(yáng)離子所需要的能量稱為第二電離能I2,依次還有I3、I4、I5…,推測(cè)D元素的電離能突增應(yīng)出現(xiàn)在第______電離能。
(5)A的一種相對(duì)分子質(zhì)量為28的氫化物,其分子中σ鍵與π鍵的個(gè)數(shù)之比為_(kāi)_______;A能形成多種常見(jiàn)單質(zhì),在熔點(diǎn)最低的單質(zhì)中,每個(gè)分子周圍緊鄰的分子數(shù)目為_(kāi)__________; 
(6)E的基態(tài)原子有_____種形狀不同的原子軌道;E2+ 的價(jià)電子排布式為_(kāi)______;下圖_______(填甲、乙或丙)表示的是E晶體中微粒的堆積方式。

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【化學(xué)——選修:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】( 15分)
原子序數(shù)依次增加的A、B、C、D、E、F六種常見(jiàn)元素中,A、B、C、D是短周期非金屬元素,B、C、D同周期,E、F是第四周期的金屬元素,F(xiàn)的三個(gè)能層電子全充滿。下表是主要化合價(jià)及原子半徑數(shù)據(jù):

 
A
B
C
D
E
F
主要化合價(jià)
-1
-3。5
-2 +6
-1 +7
+2
+1 +2
原子半徑nm
0.071
0.11
0.102
0.099
0.197
0.117
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)B、C、D三種元素第一電離能數(shù)值由小到大的順序是               (填元素符號(hào));
(2)B的氫化物中心原子采取       雜化,空間構(gòu)型是       形,是         分子
(填“極性”或“非極性”);
(3)F2與NH3 形成配離子的化學(xué)式為         ,F(xiàn)單質(zhì)晶體晶胞是下圖的           
(填①、②、③或④);
(4)A 、E兩種元素形成晶體晶胞是下圖中的       (填①、②、③或④),A離子的配位數(shù)是        ;

(5)右圖四條折線分別表示ⅣA族、ⅤA族、ⅥA族、ⅦA族元素氣態(tài)氫化物沸點(diǎn)變化,
請(qǐng)選出C的氫化物所在的折線    (填n、m、x或y)。

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【化學(xué)——選修:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】 ( 15分)

原子序數(shù)依次增加的AB、C、D、E、F六種常見(jiàn)元素中,AB、C、D是短期非金屬元素,B、CD同周期,E、F是第四周期的金屬元素,F的三個(gè)能層電子全充滿。下表是主要化合價(jià)及原子半徑數(shù)據(jù):

A

B

C

D

E

F

主要化合價(jià)

1

3。5

6

7

2

2

原子半徑nm

0.071

0.11

0.102

0.099

0.197

0.117

請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)B、C、D三種元素第一電離能數(shù)值由小到大的順序是                (填元素符號(hào));

(2)B的氫化物中心原子采取        雜化,空間構(gòu)型是        形,是          分子

(填“極性”或“非極性”);

(3)F2與NH3 形成配離子的化學(xué)式為          ,F(xiàn)單質(zhì)晶體晶胞是下圖的            

(①、②、③或④);

(4)A 、E兩種元素形成晶體晶胞是下圖中的        (①、②、③或④),A離子的配位數(shù)是         ;

(5)右圖四條折線分別表示ⅣA族、ⅤA族、ⅥA族、ⅦA族元素氣態(tài)氫化物沸點(diǎn)變化,

請(qǐng)選出C的氫化物所在的折線     (n、m、xy)

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【化學(xué)——選修:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】( 15分)
原子序數(shù)依次增加的A、B、C、D、E、F六種常見(jiàn)元素中,A、B、C、D是短周期非金屬元素,B、C、D同周期,E、F是第四周期的金屬元素,F(xiàn)的三個(gè)能層電子全充滿。下表是主要化合價(jià)及原子半徑數(shù)據(jù):
 
A
B
C
D
E
F
主要化合價(jià)
-1
-3 +5
-2 +6
-1 +7
+2
+1 +2
原子半徑nm
0.071
0.11
0.102
0.099
0.197
0.117
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)B、C、D三種元素第一電離能數(shù)值由小到大的順序是               (填元素符號(hào));
(2)B的氫化物中心原子采取       雜化,空間構(gòu)型是       形,是         分子
(填“極性”或“非極性”);
(3)F2與NH3 形成配離子的化學(xué)式為         ,F(xiàn)單質(zhì)晶體晶胞是下圖的           
(填①、②、③或④);
(4)A 、E兩種元素形成晶體晶胞是下圖中的       (填①、②、③或④),A離子的配位數(shù)是        ;

(5)右圖四條折線分別表示ⅣA族、ⅤA族、ⅥA族、ⅦA族元素氣態(tài)氫化物沸點(diǎn)變化,
請(qǐng)選出C的氫化物所在的折線    (填n、m、x或y)。

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