題目列表(包括答案和解析)
硅是重要的半導體材料,構成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)Si原子中,電子占據的最高能層符號為 ,該能層具有的原子軌道數(shù)為 、電子數(shù)為 。
(2)硅主要以硅酸鹽、 等化合物的形式存在于地殼中。
(3)單質硅存在與金剛石結構類似的晶體,其中原子與原子之間以 相結合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻 個原子。
(4)單質硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質中反應制得SiH4,該反應的化學方程式為 。
(5)碳和硅的有關化學鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關事實:
化學鍵 |
C—C |
C—H |
C一O |
Si—Si |
Si—H |
Si一O |
鍵能/(kJ·mol-1) |
356 |
413 |
336 |
226 |
318 |
452 |
①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多,原因是 。
②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是 。
(6)在硅酸鹽中,SiO44-四面體(如下圖(a))通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網狀四大類結構型式。圖(b)為一種無限長單鏈結構的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為 。Si與O的原子數(shù)之比為 。
[化學—選修3:物質結構與性質](15分)
硅是重要的半導體材料,構成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎。請回答下列問題:
(1)基態(tài)Si原子中,電子占據的最高能層符號為 ,該能層具有的原子軌道數(shù)為 、電子數(shù)為 。
(2)硅主要以硅酸鹽、 等化合物的形式存在于地殼中。
(3)單質硅存在與金剛石結構類似的晶體,其中原子與原子之間以 相結合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻 個原子。
(4)單質硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質中反應制得SiH4,該反應的化學方程式為 。
(5)碳和硅的有關化學鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關事實:
化學鍵 |
C—C |
C—H |
C—O |
Si—Si |
Si—H |
Si—O |
鍵能/(kJ?mol-1 |
356 |
413 |
336 |
226 |
318 |
452 |
①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多,原因是 。
②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是 。
(6)在硅酸鹽中,SiO4- 4四面體(如下圖(a))通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網狀四大類結構型式。圖(b)為一種無限長單鏈結構的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為 ,Si與O的原子數(shù)之比為 ,化學式為 。
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