Ga和As在一定條件下可以合成GaAs,GaAs是一種新型化合物半導(dǎo)體材料,其性能比硅更優(yōu)越.多元化合物薄膜太陽能電池材料為無機(jī)鹽,其主要包括砷化鎵、硫化鎘、硫化鋅及銅錮硒薄膜電池等.
(1)Ga在元素周期表的位置是
第四周期第IIIA族
第四周期第IIIA族
,As的原子結(jié)構(gòu)示意圖
.
(2)Ga的原子核外電子排布式為:
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
.
(3)GaCl
3和AsF
3的空間構(gòu)型分別是:GaCl
3平面三角形
平面三角形
,AsF
3三角錐形
三角錐形
.
(4)第IV A族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料SiC,其結(jié)構(gòu)跟金剛石相似,則SiC屬于
原子
原子
晶體,并寫出其主要的物理性質(zhì)
硬度大、熔點(diǎn)高
硬度大、熔點(diǎn)高
(任2種).
(5)第一電離能:As
>
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Se(填“>”、“<”或“=”).
(6)硫化鋅的晶胞中(結(jié)構(gòu)如圖所示),硫離子的配位數(shù)是
4
4
.
(7)二氧化硒分子的空間構(gòu)型為
V形
V形
,寫出它的1個(gè)等電子體的分子式
O3(或SO2)
O3(或SO2)
.