已知金剛砂SiC是原子晶體.則①金剛石②晶體硅③SiC.三者的熔沸點(diǎn)高低順序正確的是A.①＞③＞② B.③＞②＞①?C.②＞①＞③ D.③＞①＞② 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

（2013?青島一模）[化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
太陽(yáng)能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代．第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽(yáng)能電池以及薄膜Si系太陽(yáng)能電池．完成下列填空：
（1）亞銅離子（Cu+）基態(tài)時(shí)的電子排布式為
[Ar]3d10
[Ar]3d10
；
（2）硒為第4周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?!--BA-->
Br＞As＞Se
Br＞As＞Se
 （用元素符號(hào)表示），用原子結(jié)構(gòu)觀點(diǎn)加以解釋
As、Se、Br原子半徑依次減小，原子核對(duì)外層電子的吸引力依次增強(qiáng)，元素的第一電離能依次增大；Se原子最外層電子排布為4s24p4，而As原子最外層電子排布為4s24p3，p電子排布處于半充滿狀態(tài)，根據(jù)洪特規(guī)則特例可知，半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定，所以As元素的第一電離能比Se大
As、Se、Br原子半徑依次減小，原子核對(duì)外層電子的吸引力依次增強(qiáng)，元素的第一電離能依次增大；Se原子最外層電子排布為4s24p4，而As原子最外層電子排布為4s24p3，p電子排布處于半充滿狀態(tài)，根據(jù)洪特規(guī)則特例可知，半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定，所以As元素的第一電離能比Se大
；
（3）與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性（價(jià)電子數(shù)少于價(jià)層軌道數(shù)），其化合物可與具有孤對(duì)電子的分子或離子生成加合物，如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3?NH3． BF3?NH3中B原子的雜化軌道類型為
sp3
sp3
，B與N之間形成
配位
配位
鍵；
（4）單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似，若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵，則得如圖所示的金剛砂（SiC）結(jié)構(gòu)；在SiC中，每個(gè)C原子周圍最近的C原子數(shù)目為
12
12
．

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一、1.D  2.C  3.C  4.D?

5.解析：4.14 g Pb為0.02 mol，而反應(yīng)中增加氧的質(zhì)量為：4.46 g－4.14 g=0.32 g,即0.02 mol，所以Pb和O的原子個(gè)數(shù)之比為1∶1。

答案：C?

6.解析：看式量，要一個(gè)大于100，一個(gè)小于100即可。?

答案：CD?

7.B  8.A  9.D  10.B  11.C  12.C  13.C  14.D  15.D  16.A  17.B?

二、18.(1)CO2＋C===2CO  (2)Fe和FeO  CO2  (3)Fe和C  CO  (4)＜n＜1

(5)2／3?

19.(1)(E)(F)接(C)(D)接(A)(B)［或(B)(A)］接(I)(J)接(G)(H)?

(2)黑色CuO變紅，無水硫酸銅變藍(lán)  因?yàn)镠2通過灼熱的CuO后生成Cu和水蒸氣，水蒸氣使無水CuSO4變藍(lán)。?

20.（1）5  5  （2）（a－10）∶(20－a)  (3)10＜a＜20?

21.0.336 L  22.17.35%

 

 

 


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