(5分)晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl₃ ：Si + 3HCl（g） SiHCl₃ + H₂（g）

③SiHCl₃與過量H₂在1000-1100℃反應(yīng)制得純硅：

SiHCl₃（g） + H₂（g） Si（s）+ 3HCl（g）

已知SiHCl₃能與H₂O劇烈反應(yīng)，且在空氣中易自燃。

用SiHCI₃與過量H₂反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）

 (1)裝置B中的試劑是             

(2)反應(yīng)一段時間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是           ，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是         。

(3)為保證制備純硅實驗的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及               。

(4)為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑是            。（填寫字母代號） 

a．碘水     b.氯水     c. NaOH溶液    d. KSCN溶液    e. Na₂SO₃溶液

(5分)右圖是實驗室常用的制取氣體的裝置

(1)采用B裝置制取氧氣時化學(xué)方程式：                              

(2)C裝置用途很多，可用來洗氣。如要除去O₂中少量的CO₂可用到此裝置，此時瓶中盛           （填化學(xué)式）溶液，導(dǎo)管由       進(jìn)       出（填d或e，下同） ；用排空氣法收集氫氣（瓶中為空氣），導(dǎo)管由      進(jìn)      出 。

(5分)右圖是實驗室常用的制取氣體的裝置

(1)采用B裝置制取氧氣時化學(xué)方程式：                              
(2)C裝置用途很多，可用來洗氣。如要除去O₂中少量的CO₂可用到此裝置，此時瓶中盛          （填化學(xué)式）溶液，導(dǎo)管由      進(jìn)      出（填d或e，下同）；用排空氣法收集氫氣（瓶中為空氣），導(dǎo)管由     進(jìn)     出。

(5分)晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl₃：Si + 3HCl（g） SiHCl₃ + H₂（g）
③SiHCl₃與過量H₂在1000-1100℃反應(yīng)制得純硅：
SiHCl₃（g）+ H₂（g） Si（s）+ 3HCl（g）
已知SiHCl₃能與H₂O劇烈反應(yīng)，且在空氣中易自燃。
用SiHCI₃與過量H₂反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）

(1)裝置B中的試劑是             
(2)反應(yīng)一段時間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是          ，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是        。
(3)為保證制備純硅實驗的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及              。
(4)為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑是           。（填寫字母代號） 
a．碘水     b.氯水     c. NaOH溶液    d. KSCN溶液    e. Na₂SO₃溶液