（2011?海淀區(qū)模擬）如圖所示裝置可用來分析氣體原子的組成．首先使待研究氣體進(jìn)入電離室A，在此氣體被電離成等離子體（待研究氣體的等離子體由含有一價正離子和電荷量為e的電子組成，整體顯電性）．這些等離子體（統(tǒng)稱“帶電粒子”）從電離室下端狹縫S
1飄出（忽略飄出的速度），經(jīng)兩極板間電壓為U的加速電場后（忽略這些帶電粒子被加速的時間），從狹縫S
2沿垂直磁場方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的有界勻強(qiáng)磁場，在磁場的上、下邊界處分別裝有水平底片E和F．當(dāng)雙刀雙擲開關(guān)分別擲向1、2和3、4時，發(fā)現(xiàn)從電離室狹縫S
1飄出的帶電粒子分別打在E和F上的P、Q點．已知狹縫S
2與水平底片E上P點之間的距離d
1=2.0cm，到水平底片F(xiàn)上Q點的水平距離d
2=6.4cm，磁場區(qū)域?qū)挾萪=30cm．空氣阻力、帶電粒子所受重力以及帶電粒子之間的相互作用均可忽略不計．
（1）試分析打在P點的帶電粒子的帶電性質(zhì)，并寫出該帶電粒子質(zhì)量的表達(dá)式；（要求用題中的字母表示）
（2）試確定打在Q點的帶電粒子的質(zhì)量和打在P點的帶電粒子的質(zhì)量之比；（結(jié)果保留兩位有效數(shù)字）
（3）若P點是底片E上刻度尺的右端點，而實驗中帶電粒子總是打到P點右側(cè)，從而導(dǎo)致不便于測量帶電粒子擊中底片位置到狹縫S
2的距離，應(yīng)如何調(diào)整可使帶電粒子能打在P點左側(cè)的位置．
在平面直角坐標(biāo)系內(nèi)有P1（-
（2013?東莞一模）如圖所示，在真空中，半徑為d的虛線所圍的圓形區(qū)域內(nèi)只存在垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場，在磁場右側(cè)有一對平行金屬板M和N，兩板間距離也為d，板長為l．板
（2013?瓊海模擬）如圖所示的xoy平面內(nèi)有一半徑為R、以坐標(biāo)原點o為圓心的圓形磁場區(qū)域，磁場方向垂直紙面向外，在直線x=R和x=R+L之間有向y軸負(fù)方向的勻強(qiáng)電場，在原點o有一離子源向y軸正方向發(fā)射速率v0的帶電離子，離子射出磁場時速度與x軸平行，射出磁場一段時間后進(jìn)入電場，電場強(qiáng)度為E，最終從x軸上的P（R+L，0）點射出電場，不計離子重力，求：
物理--物理3-5