題目列表(包括答案和解析)
元素編號(hào) | 元素特征信息 |
A | 其單質(zhì)是密度最小的物質(zhì). |
B | 陰離子帶兩個(gè)單位負(fù)電荷,單質(zhì)是空氣的主要成分之一. |
C | 其陽(yáng)離子與B的陰離子有相同的電子層結(jié)構(gòu),且與B可以形成兩種離子化合物. |
D | 其氫氧化物和氧化物都有兩性,與C同周期 |
E | 與C同周期,原子半徑在該周期最小 |
氮化硅( Si3N4)是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途.
I.工業(yè)上有多種方法來制備氮化硅,常見的方法有:
方法一:直接氮化法:在1300℃-1400℃時(shí),高純粉狀硅與純氮?dú)饣,其反?yīng)方程式為
。
方法二:化學(xué)氣相沉積法:在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮?dú)、氫氣反?yīng)生成氮化硅和HC1,與方法一相比,用此法制得的氮化硅純度較高,其原因是 .
方法三:Si(NH2)4熱分解法:先用四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si(NH2)4和一種氣體(填分子式)________;然后使Si(NH2)4受熱分解,分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為 。
II.工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下:
已知:X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng),Y與X在光照或點(diǎn)燃條件下可反應(yīng),Z的焰色呈黃色.
(1)原料B的主要成分是(寫名稱) 。
(2)寫出焦炭與原料B中的主要成分反應(yīng)的化學(xué)方程式: 。
(3)上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時(shí),陽(yáng)極材料能否用Cu (填“能”或“不能”),寫出Cu為陽(yáng)極電解A的水溶液開始一段時(shí)間陰陽(yáng)極的電極方程式:
陽(yáng)極: ;陰極: 。
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