如圖所示，質(zhì)量均為m、電荷量均為q的帶負(fù)電的一簇粒子從P1(一a，0)點(diǎn)以相同的速率vo在xOy平面內(nèi)朝x軸上方的各個(gè)方向射出(即0<θ≤π)，不計(jì)重力及粒子間的相互作用，且已知a足夠大．

    (1)試在圖中的適當(dāng)位置和區(qū)域加一垂直于xOy平面、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，使這簇帶電粒子通過(guò)該磁場(chǎng)后都沿平行于x軸方向運(yùn)動(dòng)．在圖中定性畫出所加的最小磁場(chǎng)區(qū)域邊界的形狀和位置．

    (2)試在圖中的某些區(qū)域再加垂直于xOy平面、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，使從Pl點(diǎn)發(fā)出的這簇帶電粒子通過(guò)磁場(chǎng)后都能通過(guò)P2(a，0)點(diǎn)．

要求：①說(shuō)明所加磁場(chǎng)的方向，并在圖中定性畫出所加的最小磁場(chǎng)區(qū)域邊界的形狀和位置；

②定性畫出沿圖示vo方向射出的帶電粒子運(yùn)動(dòng)的軌跡；

③寫出所加磁場(chǎng)區(qū)域與xOy平面所成截面邊界的軌跡方程．

如圖所示，質(zhì)量均為m、電荷量均為q的帶負(fù)電的一簇粒子從P₁(一a，0)點(diǎn)以相同的速率v_o在xOy平面內(nèi)朝x軸上方的各個(gè)方向射出(即0<θ≤π)，不計(jì)重力及粒子間的相互作用，且已知a足夠大．
    (1)試在圖中的適當(dāng)位置和區(qū)域加一垂直于xOy平面、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，使這簇帶電粒子通過(guò)該磁場(chǎng)后都沿平行于x軸方向運(yùn)動(dòng)．在圖中定性畫出所加的最小磁場(chǎng)區(qū)域邊界的形狀和位置．
    (2)試在圖中的某些區(qū)域再加垂直于xOy平面、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，使從Pl點(diǎn)發(fā)出的這簇帶電粒子通過(guò)磁場(chǎng)后都能通過(guò)P₂(a，0)點(diǎn)．
要求：①說(shuō)明所加磁場(chǎng)的方向，并在圖中定性畫出所加的最小磁場(chǎng)區(qū)域邊界的形狀和位置；
②定性畫出沿圖示v_o方向射出的帶電粒子運(yùn)動(dòng)的軌跡；
 
③寫出所加磁場(chǎng)區(qū)域與xOy平面所成截面邊界的軌跡方程．