均勻?qū)Ь€制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長為L，總電阻為R，總質(zhì)量為m.將其置于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的水平勻強(qiáng)磁場上方h處，如圖12-3-22所示.線框由靜止自由下落，線框平面保持在豎直平面內(nèi)，且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行.當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場時(shí)，

圖12-3-22

(1)求線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)大��；

(2)求cd兩點(diǎn)間的電勢(shì)差大��；

(3)若此時(shí)線框加速度恰好為零，求線框下落的高度h所應(yīng)滿足的條件.

均勻?qū)Ь€制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長為L，總電阻為R，總質(zhì)量為m。將其置于磁感強(qiáng)度為B的水平勻強(qiáng)磁場上方h處，如圖所示。線框由靜止自由下落，線框平面保持在堅(jiān)直平面內(nèi)，且cd邊始終與水平的磁場邊界平行。當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場時(shí)，求：dysz

（1）cd兩點(diǎn)哪點(diǎn)電勢(shì)高，求線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)大小；
（2）cd兩點(diǎn)間的電勢(shì)差大小；
（3）若此時(shí)線框加速度恰好為零，求線框下落的高度h所應(yīng)滿足的條件。

均勻?qū)Ь€制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長為L，總電阻為R，總質(zhì)量為m.將其置于磁感強(qiáng)度為B的水平勻強(qiáng)磁場上方h處，如圖20所示．線框由靜止自由下落，線框平面保持在豎直平面內(nèi)，且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行．當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場時(shí)：
(1)求線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)大小．
(2)求cd兩點(diǎn)間的電勢(shì)差大�。�
(3)若此時(shí)線框加速度恰好為零，求線框下落的高度h所應(yīng)滿足的條件．

均勻?qū)Ь€制成的單匝正方形閉合線框abcd,每邊長為L,總電阻為R,總質(zhì)量為m.將其置于磁感強(qiáng)度為B的水平勻強(qiáng)磁場上方h處,如圖所示.線框由靜止自由下落,線框平面保持在豎直平面內(nèi),且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行.當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場時(shí),

(1)求線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)大小;
(2)求cd兩點(diǎn)間的電勢(shì)差大小;
(3)若此時(shí)線框加速度恰好為零,求線框下落的高度h所應(yīng)滿足的條件.

均勻?qū)Ь€制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長為L，總電阻為R，總質(zhì)量為m.將其置于磁感強(qiáng)度為B的水平勻強(qiáng)磁場上方h處，如圖12所示．線框由靜止自由下落，線框平面保持在豎直平面內(nèi)，且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行．當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場時(shí)：

(1)求線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)大�。�
(2)求cd兩點(diǎn)間的電勢(shì)差大�。�
(3)若此時(shí)線框加速度恰好為零，求線框下落的高度h所應(yīng)滿足的條件．