均勻?qū)Ь�制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長為L，總電阻為R，總質(zhì)量為m.將其置于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的水平勻強(qiáng)磁場上方h處，如圖12-3-22所示.線框由靜止自由下落，線框平面保持在豎直平面內(nèi)，且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行.當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場時，

圖12-3-22

(1)求線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢大小；

(2)求cd兩點間的電勢差大小；

(3)若此時線框加速度恰好為零，求線框下落的高度h所應(yīng)滿足的條件.

均勻?qū)Ь�制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長為L，總電阻為R，總質(zhì)量為m。將其置于磁感強(qiáng)度為B的水平勻強(qiáng)磁場上方h處，如圖所示。線框由靜止自由下落，線框平面保持在堅直平面內(nèi)，且cd邊始終與水平的磁場邊界平行。當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場時，求：dysz

（1）cd兩點哪點電勢高，求線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢大小；
（2）cd兩點間的電勢差大��；
（3）若此時線框加速度恰好為零，求線框下落的高度h所應(yīng)滿足的條件。

均勻?qū)Ь�制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長為L，總電阻為R，總質(zhì)量為m.將其置于磁感強(qiáng)度為B的水平勻強(qiáng)磁場上方h處，如圖20所示．線框由靜止自由下落，線框平面保持在豎直平面內(nèi)，且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行．當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場時：
(1)求線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢大�。�
(2)求cd兩點間的電勢差大�。�
(3)若此時線框加速度恰好為零，求線框下落的高度h所應(yīng)滿足的條件．

均勻?qū)Ь�制成的單匝正方形閉合線框abcd,每邊長為L,總電阻為R,總質(zhì)量為m.將其置于磁感強(qiáng)度為B的水平勻強(qiáng)磁場上方h處,如圖所示.線框由靜止自由下落,線框平面保持在豎直平面內(nèi),且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行.當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場時,

(1)求線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢大小;
(2)求cd兩點間的電勢差大小;
(3)若此時線框加速度恰好為零,求線框下落的高度h所應(yīng)滿足的條件.

均勻?qū)Ь�制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長為L，總電阻為R，總質(zhì)量為m.將其置于磁感強(qiáng)度為B的水平勻強(qiáng)磁場上方h處，如圖12所示．線框由靜止自由下落，線框平面保持在豎直平面內(nèi)，且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行．當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場時：

(1)求線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢大小．
(2)求cd兩點間的電勢差大�。�
(3)若此時線框加速度恰好為零，求線框下落的高度h所應(yīng)滿足的條件．