15(2008年上海市長寧區(qū)4月模擬)如圖所示.質(zhì)量為m.電量為e的電子.由a點以速率v豎直向上射入勻強磁場.經(jīng)過一段時間后由b點以不變的速率v反方向飛出.已知ab長為L.試求 (1)電子在勻強磁場中飛行時的加速度.并說明電子在磁場中作什么運動, (2)求勻強磁場的磁感應(yīng)強度B的大小和方向. 解:(1)電子的加速度大小 方向不斷變化 電子從a -b作勻速圓周運動 (2) 解得 B的方向垂直紙面向里 16如圖所示.橫截面為矩形的管道中.充滿了水銀.管道的上下兩壁為絕緣板.左右兩壁為導(dǎo)體板..兩導(dǎo)體板被一無電阻的導(dǎo)線短接.管道的高度為.寬度為.長度為.加在管道兩端截面上的壓強差恒為.水銀以速度沿管道方向流動時.水銀受到管道的阻力與速度成正比.即(為已知量).求: (1)水銀的穩(wěn)定速度為多大? (2)如果將管道置于一勻強磁場中.磁場與絕緣壁垂直.磁感應(yīng)強度的大小為.方向向上.此時水銀的穩(wěn)定流速又是多大?(已知水銀的電阻率為.磁場只存在于管道所在的區(qū)域.不考慮管道兩端之外的水銀對電路的影響) 答案:(1). (2)感應(yīng)電動勢) 電阻 由歐姆定律得 由平衡條件可得 所以 17(北京順義區(qū)2008屆期末考)兩塊金屬a.b平行放置.板間存在與勻強電場正交的勻強磁場.假設(shè)電場.磁場只存在于兩板間的空間區(qū)域.一束電子以一定的初速度v0從兩極板中間.沿垂直于電場.磁場的方向射入場中.無偏轉(zhuǎn)地通過場區(qū).如圖所示.已知板長l=10cm.兩板間距d=3.0cm.兩板間電勢差U=150V.v0=2.0×107m/s.求: (1)求磁感應(yīng)強度B的大小, (2)若撤去磁場.求電子穿過電場時偏離入射方向的距離.以及電子通過場區(qū)后動能增加多少?(電子所帶電荷量的大小與其質(zhì)量之比.電子電荷量的大小e=1.60×10-19C) 解析: (1)電子進入正交的電磁場不發(fā)生偏轉(zhuǎn).則滿足 (2)設(shè)電子通過場區(qū)偏轉(zhuǎn)的距離為y1 18(北京東城區(qū)2008屆期末考)電子自靜止開始經(jīng)M.N板間(兩板間的電壓為U)的電場加速后從A點垂直于磁場邊界射入寬度為d的勻強磁場中.電子離開磁場時的位置P偏離入射方向的距離為L.如圖所示.求: (1)正確畫出電子由靜止開始直至離開勻強磁場時的軌跡圖, (2) 勻強磁場的磁感應(yīng)強度.(已知電子的質(zhì)量為m.電荷量為e) 解析: (1)作電子經(jīng)電場和磁場中的軌跡圖.如右圖所示 (2)設(shè)電子在M.N兩板間經(jīng)電場加速后獲得的速度為v.由動能定理得: -----------① 電子進入磁場后做勻速圓周運動.設(shè)其半徑為r.則: -------- ----② 由幾何關(guān)系得: --------③ 聯(lián)立求解①②③式得: 19(2008年蘇.錫.常.鎮(zhèn)四市調(diào)查)電子擴束裝置由電子加速器.偏轉(zhuǎn)電場和偏轉(zhuǎn)磁場組成.偏轉(zhuǎn)電場由加了電壓的相距為d的兩塊水平平行放置的導(dǎo)體板形成.勻強磁場的左邊界與偏轉(zhuǎn)電場的右邊界相距為s.如圖甲所示.大量電子由靜止開始.經(jīng)加速電場加速后.連續(xù)不斷地沿平行板的方向從兩板正中間射入偏轉(zhuǎn)電場.當兩板不帶電時.這些電子通過兩板之間的時間為2t0.當在兩板間加如圖乙所示的周期為2t0.幅值恒為U0的電壓時.所有電子均從兩板間通過.進入水平寬度為l.豎直寬度足夠大的勻強磁場中.最后通過勻強磁場打在豎直放置的熒光屏上.問: (1)電子在剛穿出兩板之間時的最大側(cè)向位移與最小側(cè)向位移之比為多少? (2)要使側(cè)向位移最大的電子能垂直打在熒光屏上.勻強磁場的磁感應(yīng)強度為多少? 問的情況下.打在熒光屏上的電子束的寬度為多少?(已知電子的質(zhì)量為m.電荷量為e) 解析: (1)由題意可知.要使電子的側(cè)向位移最大.應(yīng)讓電子從0.2t0.4t0--等時刻進入偏轉(zhuǎn)電場.在這種情況下.電子的側(cè)向位移為 要使電子的側(cè)向位移最小.應(yīng)讓電子從t0.3t0--等時刻進入偏轉(zhuǎn)電場.在這種情況下.電子的側(cè)向位移為 所以最大側(cè)向位移和最小側(cè)向位移之比為 (2)設(shè)電子從偏轉(zhuǎn)電場中射出時的偏向角為q .由于電子要垂直打在熒光屏上.所以電子在磁場中運動半徑應(yīng)為: 設(shè)電子從偏轉(zhuǎn)電場中出來時的速度為vt.垂直偏轉(zhuǎn)極板的速度為vy.則電子從偏轉(zhuǎn)電場中出來時的偏向角為: 式中 又 由上述四式可得: (3)由于各個時刻從偏轉(zhuǎn)電場中出來的電子的速度大小相同.方向也相同.因此電子進入磁場后的半徑也相同. 由第(1)問可知電子從偏轉(zhuǎn)電場中出來時的最大側(cè)向位移和最小側(cè)向位移的差值為: 所以打在熒光屏上的電子束的寬度為 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(2008年上海卷)如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運動的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個場強大小均為E的勻強電場I和II,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計電子所受重力).

(1)在該區(qū)域AB邊的中點處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置.

(2)在電場I區(qū)域內(nèi)適當位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點的位置.

(3)若將左側(cè)電場II整體水平向右移動L/nn≥1),仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(D不隨電場移動),求在電場I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.

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(2008年上海卷)如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運動的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個場強大小均為E的勻強電場I和II,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計電子所受重力).

(1)在該區(qū)域AB邊的中點處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置.

(2)在電場I區(qū)域內(nèi)適當位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點的位置.

(3)若將左側(cè)電場II整體水平向右移動L/nn≥1),仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(D不隨電場移動),求在電場I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.

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(2008年上海卷.物理.)用如圖所示的實驗裝置觀察光的薄膜干涉現(xiàn)象。圖2(a)是點燃酒精燈(在燈芯上灑些鹽),圖2(b)是豎立的附著一層肥皂液薄膜的金屬絲圈。將金屬絲圈在其所在的豎直平面內(nèi)緩慢旋轉(zhuǎn),觀察到的現(xiàn)象是

A.當金屬絲圈旋轉(zhuǎn)30°時干涉條紋同方向旋轉(zhuǎn)30°

B.當金屬絲圈旋轉(zhuǎn)45°時干涉條紋同方向旋轉(zhuǎn)90°

C.當金屬絲圈旋轉(zhuǎn)60°時干涉條紋同方向旋轉(zhuǎn)30°             圖2

D.干涉條紋保持原來狀態(tài)不變

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2008年上!∥锢14.如圖所示,在光滑絕緣水平面上,兩個帶等量正電的點電荷M、N,分別固定在A、B兩點,OAB連線的中點,CDAB的垂直平分線。在CO之間的F點由靜止釋放一個帶負電的小球P(設(shè)不改變原來的電場分布),在以后的一段時間內(nèi),PCD連線上做往復(fù)運動。若

(A)小球P的帶電量緩慢減小,則它往復(fù)運動過程中振幅不斷減小

(B)小球P的帶電量緩慢減小,則它往復(fù)運動過程中每次經(jīng)過O點時的速率不斷減小

(C)點電荷M、N的帶電量同時等量地緩慢增大,則小球P往復(fù)運動過程中周期不斷減小

(D)點電荷M、N的帶電量同時等量地緩慢增大,則小球P往復(fù)運動過程中振幅不斷減小

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2008年上海網(wǎng)球大師杯賽于11月16日落下帷幕,塞爾維亞的“當紅炸子雞”德約笠維奇第三次捧杯,如圖為德大師將在邊界處正上方水平向右擊出,球剛好過網(wǎng)落在圖中位置(不計空阻力),相關(guān)數(shù)據(jù)如圖,下列說法中正確的是
[     ]
A.擊球點高度h1與球網(wǎng)高度h2之間的關(guān)系為h1=1.8h2
B.若保持擊球高度不變,球的初速度v0只要不大于,一定落在對方界內(nèi)
C.任意降低擊球高度(仍大于h2),只要擊球初速度合適,球一定能落在對方界內(nèi)
D.任意增加擊球高度,只要擊球速度合適,球一定能落在對方界內(nèi)

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