導(dǎo)體框架abcd構(gòu)成的平面與水平面成角，質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ與導(dǎo)體軌道、接觸良好而且相互垂直。軌道、平行，間距為L。回路的面積為S，總電阻為R且保持不變。勻強(qiáng)磁場方向垂直框架平面斜向上，其變化規(guī)律如圖乙所示。從開始，導(dǎo)體棒PQ始終處于靜止?fàn)顟B(tài)，圖乙中為已知量，足夠大，則  （    ）

    A．產(chǎn)生感應(yīng)電流時(shí)，導(dǎo)體棒PQ中的電流方向?yàn)橛?i>P到Q

    B．產(chǎn)生感應(yīng)電流時(shí)，感應(yīng)電流為恒定電流

    C．產(chǎn)生感應(yīng)電流時(shí)，導(dǎo)體棒PQ受到的安培力為恒力

    D．PQ恰好不受摩擦力時(shí)，磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為

 導(dǎo)體框架abcd構(gòu)成的平面與水平面成角，質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ與導(dǎo)體軌道、 接觸良好而且相互垂直。軌道、平行，間距為L。回路的面積為S，總電阻為R且保持不變。勻強(qiáng)磁場方向垂直框架平面斜向上，其變化規(guī)律如圖乙所示。從開始，導(dǎo)體棒PQ始終處于靜止?fàn)顟B(tài)，圖乙中為已知量，足夠大，則  （    ）

    A．產(chǎn)生感應(yīng)電流時(shí)，導(dǎo)體棒PQ中的電流方向?yàn)橛?i>P到Q

    B．產(chǎn)生感應(yīng)電流時(shí)，感應(yīng)電流為恒定電流

    C．產(chǎn)生感應(yīng)電流時(shí)，導(dǎo)體棒PQ受到的安培力為恒力

    D．PQ恰好不受摩擦力時(shí)，磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為

如圖甲所示，導(dǎo)體框架abcd的ab、cd邊平行，框架平面與水平面的夾角為θ,質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ垂直放在兩平行導(dǎo)軌ab、cd上,導(dǎo)體棒與框架構(gòu)成回路的總電阻為R,整個(gè)裝置處于垂直于框架平面的變化磁場中,磁感應(yīng)強(qiáng)度(取垂直框架向上為正）隨 時(shí)間變化規(guī)律如圖.乙所示。PQ能始終保持靜 止，則在0〜t₂時(shí)間內(nèi)，回路中電流i隨時(shí)間t變化的圖像（取P→Q→c→b→P方向?yàn)檎�）和PQ受到的摩擦力f隨時(shí)間t變化的圖似取平行于框架平面向上為正）可能正確的是

如圖甲所示，導(dǎo)體框架abcd的ab、cd邊平行，框架平面與水平面的夾角為θ,質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ垂直放在兩平行導(dǎo)軌ab、cd上,導(dǎo)體棒與框架構(gòu)成回路的總電阻為R,整個(gè)裝置處于垂直于框架平面的變化磁場中,磁感應(yīng)強(qiáng)度(取垂直框架向上為正）隨 時(shí)間變化規(guī)律如圖.乙所示。PQ能始終保持靜 止，則在0〜t₂時(shí)間內(nèi)，回路中電流i隨時(shí)間t變化的圖像（取P→Q→c→b→P方向?yàn)檎�）和PQ受到的摩擦力f隨時(shí)間t變化的圖似取平行于框架平面向上為正）可能正確的是

如圖甲所示，導(dǎo)體框架abcd的ab、cd邊平行，框架平面與水平面的夾角為θ,質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ垂直放在兩平行導(dǎo)軌ab、cd上,導(dǎo)體棒與框架構(gòu)成回路的總電阻為R,整個(gè)裝置處于垂直于框架平面的變化磁場中,磁感應(yīng)強(qiáng)度(取垂直框架向上為正）隨時(shí)間變化規(guī)律如圖乙所示．PQ能始終保持靜止，則在0〜t₂時(shí)間內(nèi)，回路中電流i隨時(shí)間t變化的圖像（取P→Q→c→b→P方向?yàn)檎�）和PQ受到的摩擦力f隨時(shí)間t變化的圖像（取平行于框架平面向上為正）可能正確的是（    ）