如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導(dǎo)軌與水平面夾角θ=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導(dǎo)軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時(shí)由靜止釋放,并同時(shí)在甲金屬桿上施加一個(gè)沿著導(dǎo)軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導(dǎo)軌勻加速運(yùn)動,已知乙金屬桿剛進(jìn)入磁場時(shí)做勻速運(yùn)動,取g=10m/s2,則( 。
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科目:高中物理 來源: 題型:
科目:高中物理 來源:濰坊一模 題型:多選題
A.每根金屬桿的電阻 R=0.016Ω |
B.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動的時(shí)間是0.4s |
C.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中F的功率逐漸增大 |
D.乙金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中安培力的功率是0.1W |
科目:高中物理 來源:2013年山東省濰坊市高考物理一模試卷(解析版) 題型:選擇題
科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導(dǎo)軌與水平面夾角=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導(dǎo)軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時(shí)由靜止釋放,并同時(shí)在甲金屬桿上施加一個(gè)沿著導(dǎo)軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導(dǎo)軌勻加速運(yùn)動,已知乙金屬桿剛進(jìn)入磁場時(shí)做勻速運(yùn)動,取g=10m/s2,則
A.每根金屬桿的電阻 R=0.016
B.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動的時(shí)間是0.4s
C.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中F的功率逐漸增大
D.乙金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中安培力的功率是0.1W
科目:高中物理 來源:2013屆山東省濰坊市高三3月第一次模擬考試物理試卷(帶解析) 題型:單選題
如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導(dǎo)軌與水平面夾角=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導(dǎo)軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時(shí)由靜止釋放,并同時(shí)在甲金屬桿上施加一個(gè)沿著導(dǎo)軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導(dǎo)軌勻加速運(yùn)動,已知乙金屬桿剛進(jìn)入磁場時(shí)做勻速運(yùn)動,取g=10m/s2,則
A.每根金屬桿的電阻 R=0.016 |
B.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動的時(shí)間是0.4s |
C.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中F的功率逐漸增大 |
D.乙金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中安培力的功率是0.1W |
科目:高中物理 來源:2014屆黑龍江省高二下學(xué)期期末考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導(dǎo)軌與水平面夾角=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導(dǎo)軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時(shí)由靜止釋放,并同時(shí)在甲金屬桿上施加一個(gè)沿著導(dǎo)軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導(dǎo)軌勻加速運(yùn)動,已知乙金屬桿剛進(jìn)入磁場時(shí)做勻速運(yùn)動,取g=10m/s2,則( )
A.每根金屬桿的電阻 R=0.016
B.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動的時(shí)間是0.4s
C.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中F的功率逐漸增大
D.乙金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中安培力的功率是0.1W
科目:高中物理 來源:2012-2013學(xué)年山東省濰坊市高三3月第一次模擬考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導(dǎo)軌與水平面夾角=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導(dǎo)軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時(shí)由靜止釋放,并同時(shí)在甲金屬桿上施加一個(gè)沿著導(dǎo)軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導(dǎo)軌勻加速運(yùn)動,已知乙金屬桿剛進(jìn)入磁場時(shí)做勻速運(yùn)動,取g=10m/s2,則
A.每根金屬桿的電阻 R=0.016
B.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動的時(shí)間是0.4s
C.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中F的功率逐漸增大
D.乙金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中安培力的功率是0.1W
科目:高中物理 來源: 題型:單選題
如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導(dǎo)軌與水平面夾角=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導(dǎo)軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時(shí)由靜止釋放,并同時(shí)在甲金屬桿上施加一個(gè)沿著導(dǎo)軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導(dǎo)軌勻加速運(yùn)動,已知乙金屬桿剛進(jìn)入磁場時(shí)做勻速運(yùn)動,取g=10m/s2,則( )
A.每根金屬桿的電阻 R=0.016 |
B.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動的時(shí)間是0.4s |
C.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中F的功率逐漸增大 |
D.乙金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中安培力的功率是0.1W |
科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導(dǎo)軌與水平面夾角=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導(dǎo)軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時(shí)由靜止釋放,并同時(shí)在甲金屬桿上施加一個(gè)沿著導(dǎo)軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導(dǎo)軌勻加速運(yùn)動,已知乙金屬桿剛進(jìn)入磁場時(shí)做勻速運(yùn)動,取g=10m/s2,則
A.每根金屬桿的電阻 R=0.016
B.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動的時(shí)間是0.4s
C.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中F的功率逐漸增大
D.乙金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中安培力的功率是0.1W
科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題
A.每根金屬桿的電阻 R=0.016 |
B.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動的時(shí)間是0.4s |
C.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中F的功率逐漸增大 |
D.乙金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中安培力的功率是0.1W |
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