如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導(dǎo)軌與水平面夾角θ=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導(dǎo)軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時(shí)由靜止釋放,并同時(shí)在甲金屬桿上施加一個(gè)沿著導(dǎo)軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導(dǎo)軌勻加速運(yùn)動,已知乙金屬桿剛進(jìn)入磁場時(shí)做勻速運(yùn)動,取g=10m/s2,則( 。
A.每根金屬桿的電阻 R=0.016Ω
B.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動的時(shí)間是0.4s
C.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中F的功率逐漸增大
D.乙金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中安培力的功率是0.1W
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相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導(dǎo)軌與水平面夾角θ=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導(dǎo)軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時(shí)由靜止釋放,并同時(shí)在甲金屬桿上施加一個(gè)沿著導(dǎo)軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導(dǎo)軌勻加速運(yùn)動,已知乙金屬桿剛進(jìn)入磁場時(shí)做勻速運(yùn)動,取g=10m/s2,則(  )

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科目:高中物理 來源:濰坊一模 題型:多選題

如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導(dǎo)軌與水平面夾角θ=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導(dǎo)軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時(shí)由靜止釋放,并同時(shí)在甲金屬桿上施加一個(gè)沿著導(dǎo)軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導(dǎo)軌勻加速運(yùn)動,已知乙金屬桿剛進(jìn)入磁場時(shí)做勻速運(yùn)動,取g=10m/s2,則( 。
A.每根金屬桿的電阻 R=0.016Ω
B.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動的時(shí)間是0.4s
C.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中F的功率逐漸增大
D.乙金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中安培力的功率是0.1W
精英家教網(wǎng)

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科目:高中物理 來源:2013年山東省濰坊市高考物理一模試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導(dǎo)軌與水平面夾角θ=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導(dǎo)軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時(shí)由靜止釋放,并同時(shí)在甲金屬桿上施加一個(gè)沿著導(dǎo)軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導(dǎo)軌勻加速運(yùn)動,已知乙金屬桿剛進(jìn)入磁場時(shí)做勻速運(yùn)動,取g=10m/s2,則( )

A.每根金屬桿的電阻 R=0.016Ω
B.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動的時(shí)間是0.4s
C.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中F的功率逐漸增大
D.乙金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中安培力的功率是0.1W

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導(dǎo)軌與水平面夾角=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導(dǎo)軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時(shí)由靜止釋放,并同時(shí)在甲金屬桿上施加一個(gè)沿著導(dǎo)軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導(dǎo)軌勻加速運(yùn)動,已知乙金屬桿剛進(jìn)入磁場時(shí)做勻速運(yùn)動,取g=10m/s2,則

  A.每根金屬桿的電阻 R=0.016

  B.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動的時(shí)間是0.4s

  C.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中F的功率逐漸增大

  D.乙金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中安培力的功率是0.1W

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科目:高中物理 來源:2013屆山東省濰坊市高三3月第一次模擬考試物理試卷(帶解析) 題型:單選題

如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導(dǎo)軌與水平面夾角=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導(dǎo)軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時(shí)由靜止釋放,并同時(shí)在甲金屬桿上施加一個(gè)沿著導(dǎo)軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導(dǎo)軌勻加速運(yùn)動,已知乙金屬桿剛進(jìn)入磁場時(shí)做勻速運(yùn)動,取g=10m/s2,則

A.每根金屬桿的電阻 R=0.016
B.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動的時(shí)間是0.4s
C.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中F的功率逐漸增大
D.乙金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中安培力的功率是0.1W

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科目:高中物理 來源:2014屆黑龍江省高二下學(xué)期期末考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導(dǎo)軌與水平面夾角=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導(dǎo)軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時(shí)由靜止釋放,并同時(shí)在甲金屬桿上施加一個(gè)沿著導(dǎo)軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導(dǎo)軌勻加速運(yùn)動,已知乙金屬桿剛進(jìn)入磁場時(shí)做勻速運(yùn)動,取g=10m/s2,則(      )

A.每根金屬桿的電阻 R=0.016

B.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動的時(shí)間是0.4s

C.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中F的功率逐漸增大

D.乙金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中安培力的功率是0.1W

 

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科目:高中物理 來源:2012-2013學(xué)年山東省濰坊市高三3月第一次模擬考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導(dǎo)軌與水平面夾角=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導(dǎo)軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時(shí)由靜止釋放,并同時(shí)在甲金屬桿上施加一個(gè)沿著導(dǎo)軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導(dǎo)軌勻加速運(yùn)動,已知乙金屬桿剛進(jìn)入磁場時(shí)做勻速運(yùn)動,取g=10m/s2,則

A.每根金屬桿的電阻 R=0.016

B.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動的時(shí)間是0.4s

C.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中F的功率逐漸增大

D.乙金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中安培力的功率是0.1W

 

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科目:高中物理 來源: 題型:單選題

如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導(dǎo)軌與水平面夾角=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導(dǎo)軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時(shí)由靜止釋放,并同時(shí)在甲金屬桿上施加一個(gè)沿著導(dǎo)軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導(dǎo)軌勻加速運(yùn)動,已知乙金屬桿剛進(jìn)入磁場時(shí)做勻速運(yùn)動,取g=10m/s2,則(      )

A.每根金屬桿的電阻 R=0.016
B.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動的時(shí)間是0.4s
C.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中F的功率逐漸增大
D.乙金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中安培力的功率是0.1W

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導(dǎo)軌與水平面夾角=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導(dǎo)軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時(shí)由靜止釋放,并同時(shí)在甲金屬桿上施加一個(gè)沿著導(dǎo)軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導(dǎo)軌勻加速運(yùn)動,已知乙金屬桿剛進(jìn)入磁場時(shí)做勻速運(yùn)動,取g=10m/s2,則

   A.每根金屬桿的電阻 R=0.016

   B.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動的時(shí)間是0.4s

   C.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中F的功率逐漸增大

   D.乙金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中安培力的功率是0.1W

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導(dǎo)軌與水平面夾角=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導(dǎo)軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時(shí)由靜止釋放,并同時(shí)在甲金屬桿上施加一個(gè)沿著導(dǎo)軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導(dǎo)軌勻加速運(yùn)動,已知乙金屬桿剛進(jìn)入磁場時(shí)做勻速運(yùn)動,取g=10m/s2,則(      )
A.每根金屬桿的電阻 R=0.016
B.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動的時(shí)間是0.4s
C.甲金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中F的功率逐漸增大
D.乙金屬桿在磁場中運(yùn)動過程中安培力的功率是0.1W

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