一正方形閉合導(dǎo)線框abcd的邊長(zhǎng)L=0.1m,各邊電阻為1Ω,bc邊位于x軸上,在x軸原點(diǎn)O右方有寬L=0.1m、磁感應(yīng)強(qiáng)度為1T、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,如圖所示,當(dāng)線框以恒定速度4m/s沿x軸正方向穿越磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中,則圖中能正確表示線框從進(jìn)入到穿出磁場(chǎng)過(guò)程中,ab邊兩端電勢(shì)差Uab隨位置變化情況的是( �。� |
相關(guān)習(xí)題
科目:高中物理
來(lái)源:
題型:

一正方形閉合導(dǎo)線框abcd的邊長(zhǎng)L=0.1m,各邊電阻為1Ω,bc邊位于x軸上,在x軸原點(diǎn)O右方有寬L=0.1m、磁感應(yīng)強(qiáng)度為1T、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,如圖所示,當(dāng)線框以恒定速度4m/s沿x軸正方向穿越磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中,則圖中能正確表示線框從進(jìn)入到穿出磁場(chǎng)過(guò)程中,ab邊兩端電勢(shì)差U
ab隨位置變化情況的是( )
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科目:高中物理
來(lái)源:不詳
題型:單選題
一正方形閉合導(dǎo)線框abcd的邊長(zhǎng)L=0.1m,各邊電阻為1Ω,bc邊位于x軸上,在x軸原點(diǎn)O右方有寬L=0.1m、磁感應(yīng)強(qiáng)度為1T、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,如圖所示,當(dāng)線框以恒定速度4m/s沿x軸正方向穿越磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中,則圖中能正確表示線框從進(jìn)入到穿出磁場(chǎng)過(guò)程中,ab邊兩端電勢(shì)差U
ab隨位置變化情況的是( �。�
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科目:高中物理
來(lái)源:2007-2008學(xué)年北京市朝陽(yáng)區(qū)高二(上)期末物理試卷(解析版)
題型:選擇題
一正方形閉合導(dǎo)線框abcd的邊長(zhǎng)L=0.1m,各邊電阻為1Ω,bc邊位于x軸上,在x軸原點(diǎn)O右方有寬L=0.1m、磁感應(yīng)強(qiáng)度為1T、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,如圖所示,當(dāng)線框以恒定速度4m/s沿x軸正方向穿越磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中,則圖中能正確表示線框從進(jìn)入到穿出磁場(chǎng)過(guò)程中,ab邊兩端電勢(shì)差U
ab隨位置變化情況的是( )

A.

B.

C.

D.

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科目:高中物理
來(lái)源:2007-2008學(xué)年江蘇省常州市金壇市華羅庚中學(xué)高二(上)月考物理試卷(12月份)(解析版)
題型:選擇題
一正方形閉合導(dǎo)線框abcd的邊長(zhǎng)L=0.1m,各邊電阻為1Ω,bc邊位于x軸上,在x軸原點(diǎn)O右方有寬L=0.1m、磁感應(yīng)強(qiáng)度為1T、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,如圖所示,當(dāng)線框以恒定速度4m/s沿x軸正方向穿越磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中,則圖中能正確表示線框從進(jìn)入到穿出磁場(chǎng)過(guò)程中,ab邊兩端電勢(shì)差U
ab隨位置變化情況的是( )

A.

B.

C.

D.

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科目:高中物理
來(lái)源:
題型:
一正方形閉合導(dǎo)線框abcd,邊長(zhǎng)L=0.1 m,各邊電阻均為1 Ω,bc邊位于x軸上,在x軸原點(diǎn)O右方有寬L=0.1 m、磁感應(yīng)強(qiáng)度為1 T、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,如圖所示,當(dāng)線框以恒定速度4 m/s沿x軸正方向穿越磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中,下面各圖可正確表示線框從進(jìn)入到穿出磁場(chǎng)過(guò)程中,ab邊兩端電勢(shì)差Uab隨位置變化情況的是( )


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科目:高中物理
來(lái)源:
題型:
一正方形閉合導(dǎo)線框abcd,邊長(zhǎng)L=0.1 m,各邊電阻均為1 Ω,bc邊位于x軸上,在x軸原點(diǎn)O右方有寬L=0.1 m、磁感應(yīng)強(qiáng)度為1 T、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,如圖所示,當(dāng)線框以恒定速度4 m/s沿x軸正方向穿越磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中,下面各圖可正確表示線框從進(jìn)入到穿出磁場(chǎng)過(guò)程中,ab邊兩端電勢(shì)差Uab隨位置變化情況的是( )


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科目:高中物理
來(lái)源:不詳
題型:單選題
一正方形閉合導(dǎo)線框abcd,邊長(zhǎng)L="0.1" m,各邊電阻均為1 Ω,bc邊位于x軸上,在x軸原點(diǎn)O右方有寬L="0.1" m、磁感應(yīng)強(qiáng)度為1 T、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,如圖所示,當(dāng)線框以恒定速度4 m/s沿x軸正方向穿越磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中,下面各圖可正確表示線框從進(jìn)入到穿出磁場(chǎng)過(guò)程中,ab邊兩端電勢(shì)差U
ab隨位置變化情況的是( )


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科目:高中物理
來(lái)源:
題型:
一正方形閉合導(dǎo)線框abcd,邊長(zhǎng)L=0.1m,各邊電阻為1Ω,bc邊位于x軸上,在x軸原點(diǎn)O右方有寬L=0.1m、磁感應(yīng)強(qiáng)度為1T、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,如圖所示,當(dāng)線框以恒定速度4m/s沿x軸正方向穿越磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中,下面?zhèn)€圖可正確表示線框進(jìn)入到穿出磁場(chǎng)過(guò)程中,ab邊兩端電勢(shì)差Uab隨位置變化情況的是

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科目:高中物理
來(lái)源:
題型:

一正方形閉合導(dǎo)線框abcd,邊長(zhǎng)為L(zhǎng)=0.1m,線框總電阻為0.1Ω,bc邊位于x軸上且b點(diǎn)與坐標(biāo)原點(diǎn)O重合.在x軸原點(diǎn)O的右側(cè)有寬度為0.2m、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為1.0T,如圖所示.當(dāng)線框以4.0m/s的速度沿x軸正方向勻速運(yùn)動(dòng)穿過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域時(shí),選項(xiàng)中的圖表示的是線框從進(jìn)入磁場(chǎng)到穿出磁場(chǎng)的過(guò)程中,線框電流I(規(guī)定順時(shí)針?lè)较驗(yàn)殡娏鞯恼较颍�、線框所受安培力F(規(guī)定水平向左為力的正方向)隨ab邊位置變化的情況,其中正確的是( �。�
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科目:高中物理
來(lái)源:2012屆廣東省廣州市七區(qū)聯(lián)考高二下學(xué)期期末教學(xué)質(zhì)量監(jiān)測(cè)物理試卷
題型:選擇題
一正方形閉合導(dǎo)線框abcd,邊長(zhǎng)為L(zhǎng)=0.1m,各邊的電阻均為0.1Ω,bc邊位于x軸上且b點(diǎn)與坐標(biāo)原點(diǎn)O重合。在x軸原點(diǎn)O的右側(cè)有寬度0.2m、方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁場(chǎng)的磁感強(qiáng)度為0.1T,如圖2甲所示。當(dāng)線框以4.0m/s的速度沿x軸勻速運(yùn)動(dòng)穿過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域時(shí),圖乙中的圖象表示的是線框從進(jìn)入磁場(chǎng)到穿出磁場(chǎng)的過(guò)程中,線框的感應(yīng)電流隨位置變化的情況,其中正確的是


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