Question

1．硅是信息產(chǎn)業(yè)、太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)材料，一種有著良好應(yīng)用前景的制備硅的方法如圖所示：

（1）過(guò)程Ⅰ中，焦炭作還原劑
（2）過(guò)程Ⅱ中發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的類(lèi)型是化合反應(yīng)
（3）過(guò)程Ⅲ對(duì)應(yīng)的反應(yīng)為：SiCl₄+2Zn$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+2ZnCl₂，在不同溫度下進(jìn)行反應(yīng)時(shí)，反應(yīng)物和生成物的狀態(tài)也不相同：

反應(yīng)溫度	SiCl4狀態(tài)	Zn的狀態(tài)	Si的狀態(tài)	ZnCl2的狀態(tài)
400℃-756℃	氣態(tài)	液態(tài)	固態(tài)	液態(tài)
756℃-907℃	氣態(tài)	液態(tài)	固態(tài)	氣態(tài)
907℃-1410℃	氣態(tài)	氣態(tài)	固態(tài)	氣態(tài)

實(shí)際制備過(guò)程中選擇的溫度范圍是907℃-1410℃，從有利于工業(yè)生產(chǎn)角度分析這樣選擇的理由有反應(yīng)充分、快捷、得到硅純度高，不易含其他雜質(zhì)．

Answer 1

分析 根據(jù)給出的轉(zhuǎn)化關(guān)系對(duì)應(yīng)的過(guò)程分析每個(gè)對(duì)應(yīng)的問(wèn)題，或者直接分析每個(gè)問(wèn)題，從給出的信息中找對(duì)應(yīng)的信息．

解答 解：
（1）過(guò)程Ⅰ是二氧化硅和焦炭在高溫下生成硅和二氧化碳，在過(guò)程中焦炭得氧，為還原劑．
（2）過(guò)程Ⅱ是硅和氯氣反應(yīng)生成四氯化硅，為兩種物質(zhì)生成一種物質(zhì)，屬于化合反應(yīng)．
（3）過(guò)程Ⅲ對(duì)應(yīng)的反應(yīng)為：SiCl₄+2Zn$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+2ZnCl₂，在不同溫度下進(jìn)行反應(yīng)時(shí)，反應(yīng)物和生成物的狀態(tài)也不相同：

反應(yīng)溫度	SiCl4狀態(tài)	Zn的狀態(tài)	Si的狀態(tài)	ZnCl2的狀態(tài)
400℃-756℃	氣態(tài)	液態(tài)	固態(tài)	液態(tài)
756℃-907℃	氣態(tài)	液態(tài)	固態(tài)	氣態(tài)
907℃-1410℃	氣態(tài)	氣態(tài)	固態(tài)	氣態(tài)

實(shí)際制備過(guò)程中選擇的溫度范圍是907℃-1410℃，在這個(gè)溫度下，只有硅是固體，其余都是氣體，這樣導(dǎo)致得到的硅中不容易含有其他雜質(zhì)，也就是得到的硅純度高．另外此時(shí)反應(yīng)物都是氣體，有利于反應(yīng)物充分混合，接觸充分，反應(yīng)快、轉(zhuǎn)化更徹底．溫度高，本身就使反應(yīng)進(jìn)行的快．所以選擇該溫度范圍進(jìn)行工業(yè)生產(chǎn)．回答合理即可．
故答案為：
（1）還原；
（2）化合反應(yīng)
（3）反應(yīng)充分、快捷；得到硅純度高，不易含其他雜質(zhì)（合理即可）．

點(diǎn)評(píng) 讀圖，從中獲得解答題目所需的信息，所以在解答題目時(shí)先看解答的問(wèn)題是什么，然后帶著問(wèn)題去讀給出的圖進(jìn)而去尋找解答有用的信息，這樣提高了信息撲捉的有效性．解答的問(wèn)題實(shí)際上與復(fù)雜的轉(zhuǎn)化圖相比，其實(shí)很簡(jiǎn)單很基礎(chǔ)，或者可以說(shuō)轉(zhuǎn)化圖提供的是情境，考查基本知識(shí)．