Question

17．芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO₂+2C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si（粗）+2CO↑ ②Si（粗）+3HCl$\frac{\underline{\;\;△\;\;}}{\;}$SiHCl₃+H₂③SiHCl₃+H₂$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si（純）+3HCl．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（　　）

• A． 反應(yīng)①中，C是還原劑
• B． 高純硅是金屬單質(zhì)
• C． ②③的目的是將粗硅提純
• D． ①②③都屬于置換反應(yīng)類型

Answer 1

分析 根據(jù)給出的轉(zhuǎn)化關(guān)系對(duì)應(yīng)的過(guò)程分析每個(gè)對(duì)應(yīng)的問(wèn)題，或者直接分析每個(gè)問(wèn)題，從給出的信息中找對(duì)應(yīng)的信息．

解答 解：
A、①SiO₂+2C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si（粗）+2CO↑中，碳得到氧轉(zhuǎn)化為一氧化碳，所以為還原劑．正確；
B、硅是石字旁的，為固態(tài)非金屬元素，所以高純硅是非金屬單質(zhì)．錯(cuò)誤；
C、②Si（粗）+3HCl$\frac{\underline{\;\;△\;\;}}{\;}$SiHCl₃+H₂，是將固態(tài)的硅轉(zhuǎn)化為氣態(tài)的SiHCl₃，這樣實(shí)現(xiàn)了氣體SiHCl₃和粗硅中雜質(zhì)進(jìn)行了分離；③SiHCl₃+H₂$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si（純）+3HCl，是將氣體SiHCl₃ 再次轉(zhuǎn)化為固體單質(zhì)硅，所以②③的目的是將粗硅提純．正確；
D、SiO₂+2C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si（粗）+2CO↑ ②Si（粗）+3HCl$\frac{\underline{\;\;△\;\;}}{\;}$SiHCl₃+H₂③SiHCl₃+H₂$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si（純）+3HCl，三個(gè)反應(yīng)都是單質(zhì)和化合物反應(yīng)生成新的單質(zhì)和新的化合物，為基本反應(yīng)類型中的置換反應(yīng)．正確；
故選：B．

點(diǎn)評(píng) 讀題干，從中獲得解答題目所需的信息，所以在解答題目時(shí)先看解答的問(wèn)題是什么，然后帶著問(wèn)題去讀給出的題干進(jìn)而去尋找解答有用的信息，這樣提高了信息撲捉的有效性．