【題目】A、B、C、D、E代表前四周期原子序數(shù)依次增大的五種元素。A、D同主族且有兩種常見化合物DA2和DA3;工業(yè)上電解熔融C2A3制取單質(zhì)C;B、E除最外層均只有2個(gè)電子外,其余各層全充滿;卮鹣铝袉栴}:

(1)B、C中第一電離能較大的是______________(填元素符號(hào)),基態(tài)D原子價(jià)電子的軌道表達(dá)式為______________

(2)DA2分子的VSEPR模型是______________。H2A比H2D熔沸點(diǎn)高得多的原因是______________。

(3)實(shí)驗(yàn)測(cè)得C與氯元素形成化合物的實(shí)際組成為C2Cl6,其球棍模型如圖所示。已知C2Cl6 在加熱時(shí)易升華,與過量的NaOH溶液反應(yīng)可生成Na[C(OH)4]。

C2Cl6屬于______________晶體(填晶體類型),其中C原子的雜化軌道類型為______________雜化。

[C(OH)4]中存在的化學(xué)鍵有______________

(4)工業(yè)上制備B的單質(zhì)是電解熔融B的氯化物,而不是電解BA,原因是__________。

(5)B、C的氟化物晶格能分別是2957kJ·mol-1、5492kJ·mol-1,二者相差很大的原因是______________。

(6)D與E所形成化合物晶體的晶胞如右圖所示。

在該晶胞中,E的配位數(shù)為____________

原子坐標(biāo)參數(shù)可表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置。右圖晶胞中,原子坐標(biāo)參數(shù)a為(0,0,0);b為(,0,);c為(,,0)。則d原子(面心上)的坐標(biāo)參數(shù)為______________。

已知該晶胞的密度為ρg/cm3,則其中兩個(gè)D原子之間的距離為______________pm(列出計(jì)算式即可)。

【答案】 Mg 平面三角形 H2O分子間存在氫鍵 分子 sp3 極性共價(jià)鍵、配位鍵(或共價(jià)鍵、配位鍵) 熔融MgCl2能導(dǎo)電,可電解;MgO熔沸點(diǎn)高,電解熔融MgO能耗大 Al3+比Mg2+電荷高、半徑小,AlF3的晶格能比MgF2大得多 4 (1,, ××1010

【解析】AB、C、D、E代表前四周期原子序數(shù)依次增大的五種元素。A、D同主族且有兩種常見化合物DA2DA3,AODS。工業(yè)上電解熔融C2A3制取單質(zhì)C,CAlB、E除最外層均只有2個(gè)電子外,其余各層全充滿,所以BMg,EZn。則(1)鎂的3s軌道電子處于全充滿狀態(tài),穩(wěn)定性強(qiáng),則B、C中第一電離能較大的是Mg,基態(tài)S原子價(jià)電子的軌道表達(dá)式為。(2SO2分子中S原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=2+(6-2×2)/2=3,所以VSEPR模型是平面三角形。由于H2O分子間存在氫鍵,所以H2OH2S熔沸點(diǎn)高得多。(3)①受熱易升華,說明Al2Cl6屬于分子晶體,分子中Al形成4個(gè)共價(jià)鍵,則Al原子的雜化軌道類型為sp3雜化。②[Al(OH)4]中存在的化學(xué)鍵有配位鍵、共價(jià)鍵。(4)由于熔融MgCl2能導(dǎo)電,可電解;MgO熔沸點(diǎn)高,電解熔融MgO能耗大,所以工業(yè)上制備Mg的單質(zhì)是電解熔融Mg的氯化物,而不是電解氧化鎂。(5B、C的氟化物均是離子晶體,由于Al3+Mg2+電荷高、半徑小,因此AlF3的晶格能比MgF2大得多。(6)①根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可判斷該晶胞中,Zn的配位數(shù)為4。②根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)并參照a、b、c的原子坐標(biāo)參數(shù)可知d原子(面心上)的坐標(biāo)參數(shù)為(1,)。③根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知Zn原子個(gè)數(shù)=8×1/8+6×1/2=4,S原子個(gè)數(shù)=4,已知該晶胞的密度為ρg/cm3,則晶胞的邊長(zhǎng)=,其中兩個(gè)S原子之間的距離為面對(duì)角線的一半,則為

練習(xí)冊(cè)系列答案
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(2)氨硼烷(H3N—BH3)和Ti(BH4)3均為廣受關(guān)注的新型化學(xué)氫化物儲(chǔ)氫材料。

①H3N—BH3中N原子的軌道雜化類型為________________

②Ti(BH4)3由TiCl3和LiBH4反應(yīng)制得。基態(tài)Ti3+的未成對(duì)電子數(shù)為____________;BH4-的立體構(gòu)型是_______;該制備反應(yīng)的化學(xué)方程式為______________。

(3)氨硼烷可由六元環(huán)狀化合物(HB=NH)3通過如下反應(yīng)制得:

3CH4+2(HB=NH)3+6H2O=3CO2+6H3BNH3

下列有關(guān)敘述錯(cuò)誤的是_____________

A.氨硼烷中存在配位鍵

B.第一電離能大小關(guān)系:N>O>C>B>H

C.反應(yīng)前后碳原子的雜化類型不變

D.CH4、H2O、CO2分子空間構(gòu)型分別是:正四面體型、V型、直線型

(3)GaAs的熔點(diǎn)為1238℃,密度為ρg·cm-3,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為_____________。Ga的配位原子(As)數(shù)目為________;Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGag·mol-1和MAsg·mol-1,原子半徑分別為rGacm和rAscm,阿伏伽德羅常數(shù)值為NA,則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為__________

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已知D的蒸氣密度是氫氣的22倍,并可以發(fā)生銀鏡反應(yīng)。

(1)寫出A、C、D、F的名稱

A _________ ;C _________ ; D _________ ;F _________ 。

(2)指出實(shí)現(xiàn)下列轉(zhuǎn)化的反應(yīng)類型

C→A ____________ ;D→A ____________ ;C→B ____________

(3)寫出實(shí)現(xiàn)下列轉(zhuǎn)化的化學(xué)方程式

A→B ___________________________ ;B→C _____________________________ ;

A→D ___________________________ ;A+E→F ___________________________ ;

D發(fā)生銀鏡反應(yīng) ____________________________________________________ 。

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A. CO的轉(zhuǎn)化率100% B. CO、NO、CO2、N2的濃度相等

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