【題目】下面的排序不正確的是（ ）

A.晶體熔點(diǎn)由低到高：CF4<CCl4<CBr4<CI4

B.硬度由大到�。航饎偸�碳化硅晶體硅

C.晶格能由大到�。�NaF>NaCl>NaBr>NaI

D.熔點(diǎn)由高到低：Na>Mg>Al

【答案】D

【解析】

A. 組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔沸點(diǎn)越大；

B. 鍵長(zhǎng)越短，共價(jià)鍵越強(qiáng)，硬度越大；

C. 離子半徑越小、離子鍵越強(qiáng)，則晶格能越大；

D. 金屬離子的電荷越大、半徑越小，其熔點(diǎn)越大。

A.分子晶體的相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔沸點(diǎn)越大，則晶體熔點(diǎn)由低到高順序?yàn)?/span>CF4<CCl4<CBr4<CI4，A項(xiàng)正確，不符合題意；

B. 鍵長(zhǎng)越短，共價(jià)鍵越強(qiáng)，硬度越大，鍵長(zhǎng)C-C<C-Si<Si-Si，則硬度由大到小為金剛石碳化硅晶體硅，故B正確，不符合題意；

C. 離子半徑越小、離子鍵越強(qiáng)，則晶格能越大，F、Cl、Br、I的離子半徑在增大，則晶格能由大到�。�NaF>NaCl>NaBr>NaI，C項(xiàng)正確，不符合題意；

D. 金屬離子的電荷越大、半徑越小，其熔點(diǎn)越大，則熔點(diǎn)由高到低為Al>Mg>Na，D項(xiàng)錯(cuò)誤，符合題意。

答案選D。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】CO2催化加氫合成CH4的過(guò)程中主要發(fā)生下列反應(yīng)：

①CH4(g)+2O2(g)CO2(g)+2H2O(g) ΔH1=-802.0kJ·mol-1

②CO2(g)+H2(g)CO(g)+H2O(g) ΔH2=+41.2kJ·mol-1

③2CO(g)+O2(g)2CO2(g) ΔH3=-566.0kJ·mol-1

下列有關(guān)說(shuō)法正確的是（ ）

A.CH4的燃燒熱為802.0kJ·mol-1

B.反應(yīng)②能自發(fā)進(jìn)行的原因是ΔS＜0

C.使用催化劑是為了提高CO2加氫時(shí)原料的平衡轉(zhuǎn)化率

D.反應(yīng)CO2(g)+4H2(g)=CH4(g)+2H2O(g)的ΔH=-165.2kJ·mol-1

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】下列對(duì)分子性質(zhì)的解釋中，不正確的是（　�。�

A. 碘易溶于四氯化碳，甲烷難溶于水都可用相似相溶原理解釋

B. 由于乳酸（）中存在一個(gè)手性碳原子，導(dǎo)致該物質(zhì)存在互為鏡像的兩個(gè)手性異構(gòu)體

C. HF的穩(wěn)定性很強(qiáng)，是因?yàn)槠浞肿娱g能形成氫鍵

D. 由右圖可知酸性：H3PO4＞HClO，因?yàn)?/span>H3PO4分子中有1個(gè)非羥基氧原子

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】某溫度和有催化劑條件下，恒容密閉容器中發(fā)生反應(yīng)N2+3H2 2NH3，下列說(shuō)法正確的是（ ）

t/min

0

5

10

15

20

c(NH3)/(mol·L-1)

0

1.00

1.60

1.80

1.80

A. 0～10min內(nèi)，v(NH3)=0.16mol·L-1·min-1 B. 0～10min內(nèi)，v(N2)=0.18mol·L-1·min-1

C. 0～10min內(nèi)，v(N2)=0.16mol·L-1·min-1 D. 15～20min內(nèi)，反應(yīng)v(N2)正= v(N2)逆=0

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】(1)檢驗(yàn)氣體中是否含有CO的實(shí)驗(yàn)操作：將該氣體通入氯化鈀(PdCl2)溶液中，觀察是否有黑色的單質(zhì)鈀生成，寫出對(duì)應(yīng)的化學(xué)方程式：_______________。

(2)生產(chǎn)硫化鈉大多采用無(wú)水芒硝(Na2SO4)—炭粉還原法，若煅燒所得氣體為等物質(zhì)的量的CO和CO2，寫出煅燒時(shí)發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式：_________________。

(3)加入雙氧水能提高軟錳礦(主要成分是MnO2)的浸出率，錳轉(zhuǎn)化成Mn2+。寫出酸性條件下雙氧水提高軟錳礦浸出率的離子方程式：______________________________。

(4)在酸性、有氧條件下，一種叫Thibacillus ferroxidans的細(xì)菌能將黃銅礦(主要成分為CuFeS2)轉(zhuǎn)化成硫酸鹽，該過(guò)程反應(yīng)的離子方程式為____________________。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】下列離子方程式書寫不正確的是

A.溶液與燒堿溶液反應(yīng)，當(dāng)時(shí)，

B.當(dāng)向飽和溶液中通入過(guò)量時(shí)，

C.溶液與NaHS溶液反應(yīng)，當(dāng)時(shí)，

D.Fe與稀硝酸反應(yīng)，當(dāng) 時(shí)，

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】由Cu、N、B等元素組成的新型材料有著廣泛用途。

（1）基態(tài) Cu+ 的核外電子排布式為____________。在高溫下CuO 能分解生成Cu2O，試從原子結(jié)構(gòu)角度解釋其原因：_______________________________。

（2）立方氮化硼是一種新型的超硬、耐磨、耐高溫的結(jié)構(gòu)材料，它屬于____晶體。

（3）化合物A (H3BNH3) 是一種潛在的儲(chǔ)氫材料，它可由六元環(huán)狀化合物 (HB=NH)3通過(guò)3CH4+ 2 (HB=NH)3+ 6H2O →3CO2 + 6H3BNH3 制得。

①與上述化學(xué)方程式有關(guān)的敘述不正確的是_________。（填標(biāo)號(hào)）

A．反應(yīng)前后碳原子的軌道雜化類型不變

B．CH4、H2O、CO2分子空間構(gòu)型分別是：正四面體形、V形、直線形

C．第一電離能：N＞O＞C＞B

D．化合物A中存在配位鍵

②1個(gè) (HB=NH)3分子中有__個(gè)σ鍵。

（4）在硼酸鹽中，陰離子有鏈狀、環(huán)狀等多種結(jié)構(gòu)形式。圖（a）是一種鏈狀結(jié)構(gòu)的多硼酸根，則多硼酸根離子符號(hào)為________。圖（b）是硼砂晶體中陰離子的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其中硼原子采取的雜化類型為_________。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】以NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說(shuō)法正確的是

A.124 g P4含有P—P鍵的個(gè)數(shù)為4NA

B.1mol Na2O2晶體中含離子數(shù)為4NA

C.22.4LCH4的分子數(shù)為NA

D.26g C2H2中π鍵數(shù)目為2NA

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】化學(xué)理論較為枯燥，若用化學(xué)實(shí)驗(yàn)來(lái)闡釋理論，則會(huì)使理論具有趣味性，某班級(jí)化學(xué)學(xué)習(xí)小組通過(guò)實(shí)驗(yàn)室制備CO2的反應(yīng)探究某些化學(xué)理論。下表是實(shí)驗(yàn)過(guò)程中的數(shù)據(jù)及相關(guān)信息：

序號(hào)

反應(yīng)

溫度/℃

c(HCl)/(mol·L-1)

V(HCl)/mL

10g CaCO3

的形狀

t/min

①

20

2

10

塊狀

t1

②

20

4

10

塊狀

t2

③

20

2

10

粉狀

t3

④

40

2

10

粉狀

t4

⑤

40

4

10

粉狀

t5

表示收集/span>CO2體積為a mL所需的時(shí)間。注：氣體體積均在相同條件下測(cè)得。

(1)由表中的信息可知，實(shí)驗(yàn)的目的是探究__________。

(2)表格中的實(shí)驗(yàn)①和實(shí)驗(yàn)②是探究_____對(duì)化學(xué)反應(yīng)速率的影響。分析表格中的信息可知，影響該化學(xué)反應(yīng)速率的因素還有______________________________。

(3)收集a mLCO2所需的時(shí)間最少的是實(shí)驗(yàn)______________________________。

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