下列有關微粒性質的排序中,正確的是


  1. A.
    元素的非金屬性:S>Cl>P>Si
  2. B.
    元素第一電離能:O<N<F
  3. C.
    離子半徑:Al3+>Mg2+>Na+
  4. D.
    沸點:HCl<HBr<HF
練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源: 題型:

《物質結構與性質》
從原子、分子水平上幫助我們認識物質構成的規(guī)律;以微粒之間不同的作用力為線索,研究不同類型物質的有關性質;從物質結構決定性質的視角預測物質的有關性質.
(1)下列說法正確的是
A
A
(填字母).
A.元素電負性由大到小的順序為F>O>N
B.一個苯分子含3個π鍵和6個σ鍵
C.氯化鈉和氯化銫晶體中氯離子的配位數(shù)相同
D.第一電離能的大小為Br>Se>As
(2)根據(jù)等電子體原理,羰基硫(OCS)分子的結構式為
O=C=S
O=C=S
.光氣(COCl2)各原子最外層都滿足8電子穩(wěn)定結構,COCl2分子空間構型為
平面三角形
平面三角形
(用文字描述).
(3)Cu 2+基態(tài)的電子排布式為
1s22s22p63s23p63d9
1s22s22p63s23p63d9
.向硫酸銅溶液中加入過量氨水,然后加入適量乙醇,溶液中會析出深藍色的[Cu(NH34]SO4晶體,該物質中配位原子的雜化方式為
sp3
sp3
,不考慮空間構型,其內(nèi)界結構可用示意圖表示為

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科目:高中化學 來源:2010年江蘇省徐州市高三第三次調研考試(化學試題) 題型:填空題

本題包括A、B兩小題,分別對應于“物質結構與性質”和“實驗化學”兩

個選修模塊的內(nèi)容。請選擇其中一題作答。若兩題都做,則按A題評分。
A.微粒A、B、C為分子,D和F為陽離子,E為陰離子,它們都含有l(wèi)O個電子;B溶
于A后所得的物質可電離出D和E;C是重要的化石能源。將A、B和含F(xiàn)離子的物
質混合后可得D和一種白色沉淀。離子與Ar原子的電子層結構相同。請回答:
(1)基態(tài)G原子的外圍電子排布式是    。在A、B、C這三種分子中,屬于非極
性分子的有     (寫化學式)。
(2)下列有關B的說法中正確的是    。(填字母)
a.在配合物中可作為配體    b.該分子的穩(wěn)定性與氫鍵有關
c.分子由各原子最外層均為8。的穩(wěn)定結構
d.含1 mol B的液體中有3 mol氫鍵
(3)根據(jù)等電子體原理,D離子的空間構型是    ,其中心原子軌道的雜化類型
    。
(4)構成C的中心原子可以形成多種單質,其中有一種為空間網(wǎng)狀結
構,右圖立方體中心的“●”表示該晶體中的一個原子,請在該
立方體的頂點上用“●”表示出與之緊鄰的原子。
(5)光譜證實F與燒堿溶液反應有Na[F(OH)4]生成,則Na[F(OH)4]中
不存在    。(填字母)
a.金屬鍵    b.離子鍵    c.非極性鍵    d.極性鍵
f.配位鍵    g.鍵    h.
B.對氨基苯磺酸是制取某些染料和藥物的重要中間體,可由苯胺磺化得到:

實驗室可用苯胺、濃硫酸為原料,利用右圖所示實驗裝置合成。
實驗步驟如下:
①取一個250mL的儀器a,加入10mL苯胺及幾粒沸石,
放人冷水中冷卻,小心地加入18 mL濃硫酸。再分別
裝上冷凝管、溫度計等。
②將a置于油浴中緩慢加熱至170`180℃,維持此溫度約2.5 h。
③將反應產(chǎn)物冷卻至約50℃后,倒入盛有100 ,冷水的燒杯中,用玻璃棒不斷攪拌,促使晶體析出。用該燒杯中的少量冷水將a內(nèi)殘留的產(chǎn)物沖洗到燒杯中,抽濾,用少量冷水洗滌,得到粗產(chǎn)品。
④將粗產(chǎn)品用沸水溶解,冷卻結晶(若溶液顏色過深,可用活性炭脫色),抽濾,收集
產(chǎn)品,晾干。(提示:100mL水在20℃時可溶解對氨基苯磺酸1.08 g,在100℃時可
溶解6.67 g)
(1)儀器a的名稱是     。步驟①中加入沸石的作用是     
(2)步驟②中采用油浴加熱,下列說法正確的是     。(填字母)
A.便于控制溫度  B.也可以改用水浴加熱   C.溫度計的水銀球也可浸在油中
(3)步驟③用冷水洗滌的優(yōu)點是     。
(4)步驟③和④均進行了抽濾操作,在抽濾完畢停止抽濾時,應注意先一二,然
        。
(5)步驟④有時需重復進行多次,其目的是     。

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科目:高中化學 來源:2013屆遼寧省沈陽市第二十中學高三高考領航考試(三)化學試卷(帶解析) 題型:填空題

【化學——選修物質結構與性質】(15分)第(6)題第一空為1分,其余為2分
用于合成氨的工業(yè)煤氣中含有H2S、C2H5SH(乙硫醇)、COS(羰基硫)、CS2等含硫化合物,工業(yè)上無機硫常用氧化鋅法處理,有機硫可用鈷鉬催化加氫處理。
H2S + ZnO ="=" ZnS + H2O;     C2H5SH + ZnO ="=" ZnS + C2H4 + H2O;
C2H5SH + H2 ="=" C2H6 + H2S;   COS + H2 ="=" CO + H2S;  CS2 + 4H2 ="=" CH4+ 2H2S
(1)鈷原子在基態(tài)時核外電子排布式為________________________。
(2)下列有關分子結構的說法正確的是_______________(填字母)。
A.C2H4分子中有5個σ鍵和1個π鍵    
B.COS分子(結構如右圖)中鍵能C=O>C=S

C.H2S分子呈V形結構           D.CH4、C2H6分子中碳原子均采用sp3雜化
(3)下列有關說法不正確的是____________________(填字母)。
A.H2O、CO、COS均是極性分子
B.相同壓強下沸點:CS2>CO2
C.相同壓強下沸點:C2H5SH>C2H5OH
D.相同壓強下沸點:CO>N2
(4)β-ZnS的晶胞結構如右圖,晶胞中S2-數(shù)目為_________個。S2的配位數(shù)是_______________

(5)具有相似晶胞結構的ZnS和ZnO,ZnS熔點為1830℃,ZnO熔點為1975℃,后者較前者高是由于_____________________________________________________________。
(6)鉬的一種配合物化學式為:Na3[Mo(CN)8]?8H2O,中心原子的配位數(shù)為_____________________。寫出與CN的電性相同,結構相似的一種微粒的電子式_________________

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科目:高中化學 來源:2013-2014學年上海市楊浦區(qū)高三上學期期中考試化學試卷(解析版) 題型:填空題

四種短周期元素A、B、C、D的性質或結構信息如下。

信息① 原子半徑大。篈>B>C>D

信息② 四種元素之間形成的某三種分子的比例模型及部分性質:

甲:是地球上最常見的物質之一,是包括人類在內(nèi)所有生命生存的重要資源,也是生物體最重要的組成部分。

乙:無色,無味而易燃,是21世紀的主要能源。

丙:有強氧化性,可以用于消毒殺菌。請根據(jù)上述信息回答下列問題。

(1)丙            寫化學式)寫出其分子的的電子式          。

(2)寫出A原子最外層電子排布式                 。將該元素的單質溶于水,形成的平衡體系中所有離子的濃度按由大到小排序:                                

(3)B形成的單質晶體可能為          。

A.離子晶體      B.分子晶體       C.原子晶體      D.金屬晶體

(4)C的同主族元素的單質及其化合物的性質存在著相似性和遞變性。下列有關說法正確的是____       

A.其氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性按H2O、H2S、H2Se、H2Te的順序依次減弱

B.其氫化物中的鍵長按O—H、S—H、Se—H、Te—H的順序依次減小

C.其氫化物的沸點按H2O、H2S、H2Se、H2Te的順序依次增強

D.其陰離子的還原性按O2–、S2–、Se2–、Te2–的順序依次增強

(5)與氬原子質子數(shù)和電子數(shù)均相同的微粒有HCl、H2S、PH3、SiH4,以及還有_______  、___________等(例舉兩種即可)

 

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科目:高中化學 來源:2012-2013學年江蘇省蘇州市高三調研測試化學試卷(解析版) 題型:填空題

從原子、分子水平上幫助我們認識物質構成的規(guī)律;以微粒之間不同的作用力為線索,研究不同類型物質的有關性質;從物質結構決定性質的視角預測物質的有關性質。

(1)下列說法正確的是                   (填序號)。

A.元素電負性由大到小的順序為:F>O>N

B.一個苯分子含3個π鍵和6個σ鍵

C.氯化鈉和氯化銫晶體中氯離子的配位數(shù)相同

D.第一電離能的大小為:Br>Se>As

(2)根據(jù)等電子體原理,羰基硫(OCS)分子的結構式應為        。光氣(COC12)分子內(nèi)各原子最外層都滿足8電子穩(wěn)定結構,則光氣分子的空間構型為           (用文字描述)。

(3)Cu2+基態(tài)電子排布式為            。向硫酸銅溶液中加入過量氨水,然后加入適量乙醇,溶液中會析出深藍色的[Cu(NH3)4]SO4晶體,該物質中配位原子的雜化方式為       ,若不考慮空間構型,其內(nèi)界結構可用示意圖表示為                      。

 

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