A. | 晶體熔點(diǎn)由低到高:CF4<CCl4<CBr4<CI4 | |
B. | 熔沸點(diǎn)由大到。航饎偸咎蓟瑁揪w硅 | |
C. | 沸點(diǎn)由高到低:HI>HBr>HCl>HF | |
D. | 硼鎂超導(dǎo)物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)單元如圖所示,則這種超導(dǎo)材料的化學(xué)式為MgB2 |
分析 A.分子晶體的相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔沸點(diǎn)越大;
B.鍵長(zhǎng)越短,共價(jià)鍵越強(qiáng),硬度越大;
C.HF分子間存在氫鍵,沸點(diǎn)較高;
D.利用均攤法計(jì)算.
解答 解:A.分子晶體的相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔沸點(diǎn)越大,則晶體熔點(diǎn)由低到高順序?yàn)镃F4<CCl4<CBr4<CI4,故A正確;
B.鍵長(zhǎng)越短,共價(jià)鍵越強(qiáng),硬度越大,鍵長(zhǎng)C-C<C-Si<Si-Si,則硬度由大到小為金剛石>碳化硅>晶體硅,故B正確;
C.分子晶體的相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔沸點(diǎn)越大,HF分子間存在氫鍵,沸點(diǎn)較高,則沸點(diǎn)由高到低:HF>HI>HBr>HCl,故C錯(cuò)誤;
D.該晶胞中Mg原子個(gè)數(shù)=12×$\frac{1}{6}$+2×$\frac{1}{2}$=3,B原子個(gè)數(shù)=6,則Mg、B原子個(gè)數(shù)之比=3:6=1:2,據(jù)此確定化合物的化學(xué)式為MgB2,故D正確;
故選C.
點(diǎn)評(píng) 本題考查了物質(zhì)熔沸點(diǎn)的判斷、晶胞的簡(jiǎn)單計(jì)算,題目難度不大,注意把握均攤法在晶胞計(jì)算中的應(yīng)用以及影響晶體熔沸點(diǎn)的因素.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | CO2的分子模型示意圖: | B. | 某R元素原子的電子排布圖: | ||
C. | p-p π鍵電子云模型: | D. | 乙烯分子的球棍模型: |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | ①③⑤ | B. | ①②④ | C. | ④⑤ | D. | ①② |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
鹽 | 熔點(diǎn)/℃ | 熔化吸熱/KJ•mol-1 | 參考價(jià)格/元•kg-1 |
CaCl2•6H2O | 29.0 | 37.3 | 780~850 |
Na2SO4•10H2O | 32.4 | 77.0 | 800~900 |
Na2HPO4•12H2O | 36.1 | 100.1 | 1600~2000 |
Na2S2O3•5H2O | 48.5 | 49.7 | 1400~1800 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | A>B>D>C | B. | A>C>D>B | C. | C>A>B>D | D. | B>D>C>A |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | K+、Na+、SO42-、CO32- | B. | NH4+、Mg2+、SO32-、Cl- | ||
C. | Na+、K+、HCO3-、Cl- | D. | K+、Cu2+、CO32-、NO3- |
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