下表是第三周期部分元素的電離能[單位：eV(電子伏特)]數(shù)據(jù)。
元素
I1/eV
I2/eV
I3/eV[
甲
5.7
47.4
71.8
乙
7.7
15.1
80.3
丙
13.0
23.9
40.0
丁
15.7
27.6
40.7
 
根據(jù)以上數(shù)據(jù)分析，下列說法正確的是
A．甲的金屬性比乙弱　　        B．乙的化合價為＋1價
C．丙一定為非金屬元素         D．丁一定為金屬元素
C

試題分析：根據(jù)電離能數(shù)據(jù)可知，甲元素的第二電離能遠(yuǎn)大于第一電離能，因此甲是第IA族元素。乙元素的第三電離能遠(yuǎn)大于第二電離能，所以乙元素是第ⅡA族元素。丙和丁的第一電離能均大于甲和乙的第一電離能，且二者的其余電離能相差不大，這說明二者一定不是ⅢA族元素。由于同周期自左向右非金屬性逐漸增強(qiáng)，所以二者都是非金屬。A、甲的金屬性強(qiáng)于乙的金屬性，A不正確；B、乙的化合價是＋2價，B不正確；丙和丁都是非金屬，C正確，D不正確，答案選C。
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

硅及其化合物廣泛應(yīng)用于太陽能的利用、光導(dǎo)纖維及硅橡膠的制備等。
純凈的硅是從自然界中的石英礦石（主要成分為SiO2）中提取的。高溫下制取純硅有如下反應(yīng)（方法1）：
①SiO2(s)+2C(s)Si(s)+2CO(g)
②Si(s)+2Cl2(g)SiCl4(g)  
③SiCl4(g)+2H2(g) →Si(s)+4HCl(g)
完成下列填空：
（1）硅原子核外有        種不同能級的電子，最外層的p電子有      種自旋方向。
（2）硅與碳同主族，單質(zhì)的還原性：碳      硅（填寫“同于”、“強(qiáng)于”或“弱于”）。反應(yīng)①之所以能進(jìn)行的原因是                                               。
（3）反應(yīng)②生成的化合物的電子式為             ；該分子為         分子（填寫“極性”或“非極性”）。
（4）某溫度下，反應(yīng)②在容積為V升的密閉容器中進(jìn)行，達(dá)到平衡時Cl2的濃度為a mol/L。然后迅速縮小容器容積到0.5V升，t秒后重新達(dá)到平衡，Cl2的濃度為b mol/L。則：a     b（填寫“大于”、“等于”或“小于”）。
（5）在t秒內(nèi)，反應(yīng)②中v(SiCl4)=                    （用含a、b的代數(shù)式表示）。
（6）工業(yè)上還可以通過如下反應(yīng)制取純硅（方法2）：
④Si(粗) ＋3HCl(g)SiHCl3(l)＋H2(g) + Q（Q＞0）
⑤SiHCl3(g)＋H2(g)Si(純)＋3HCl(g)
提高反應(yīng)⑤中Si(純)的產(chǎn)率，可采取的措施有：                         （選填2條）。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

根據(jù)下列五種元素的第一至第四電離能數(shù)據(jù)(單位： kJ·mol－1)，回答下列各題：
元素代號
I1
I2
I3
I4
Q
2 080
4 000
6 100
9 400
R
496
4 562
6 912
9 543
S
738
1 451
7 733
10 540
T
578
1 817
2 745
11 575
U
420
3 100
4 400
5 900
 
（1）在周期表中，最可能處于同一族的是________。
A．Q和R      B．S和T     C．T和U     D．R和T  E．R和U
（2）下列離子的氧化性最弱的是________。
A．S2＋     B．R2＋     C．T3＋     D．U＋
（3）下列元素中，化學(xué)性質(zhì)和物理性質(zhì)最像Q元素的是____。
A．硼     B．鈹      C．氦      D．氫
（4）每種元素都出現(xiàn)相鄰兩個電離能的數(shù)據(jù)相差較大的情況，這一事實從一個側(cè)面說明：______，如果U元素是短周期元素，你估計它的第2次電離能飛躍數(shù)據(jù)將發(fā)生在失去第_____個電子時。
（5）如果R、S、T是同周期的三種主族元素，則它們的原子序數(shù)由小到大的順序是________，其中元素________的第一電離能異常高的原因是__________________。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

基態(tài)硅原子的電子排布圖正確的是

A                   B                C               D

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

元素周期表前四周期A、B、C、D、E五種元素，A元素的原子最外層電子排布式為ms1；B元素的原子價電子排布式為ns2np2；C元素位于第二周期且原子中p能級與s能級電子總數(shù)相等；D元素原子的M能層的p能級中有3個未成對電子；E元素原子有五個未成對電子。
（1）寫出元素名稱：C       、D       、E        。
（2）C基態(tài)原子的電子排布圖為___________________，若A為非金屬元素，則按原子軌道的重疊方式，A與C形成的化合物中的共價鍵屬于________鍵(填“σ”或“π”)。
（3）當(dāng)n＝2時，B的最簡單氣態(tài)氫化物的電子式為____________，BC2分子的結(jié)構(gòu)式是 ______________；當(dāng)n＝3時，B與C形成的化合物與氫氧化鈉溶液反應(yīng)的離子方程式是                          。 （4）若A元素的原子最外層電子排布為2s1，B元素的原子價電子排布為3s23p2，A、B、C、D四種元素的第一電離能由大到小的順序是__________________(用元素符號表示)。
（5）E元素原子的特征電子構(gòu)型是      ，在元素周期表中位置是             ，其最高價氧化物的化學(xué)式是           。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列各分子中，所有原子都滿足最外層為8電子結(jié)構(gòu)的是
A．H2OB．BF3C．PCl5D．CCl4

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

據(jù)下表信息，判斷以下敘述正確的是(    )        部分短周期元素的原子半徑及主要化合價
元素代號
G
L
M
Q
R
T
原子半徑/nm
0.186
0.160
0.143
0.104
0.075
0.066
主要化合價
+1
+2
+3
+6、-2
+5、-3
-2
 
A．GOH溶液和M(OH)3可以相互反應(yīng)
B．非金屬性：T＜Q
C．氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性：R＞T
D．L2+與T2-核外電子數(shù)相等

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：實驗題

某同學(xué)想探究硫和碳原子的得電子能力的強(qiáng)弱，通過比較它們最高價氧化物對應(yīng)水化物的酸性強(qiáng)弱來驗證，設(shè)計了如圖實驗，請回答：

（1）儀器a的名稱是               ，應(yīng)盛放下列藥品中的          （填序號）。
A．稀硫酸      B. 亞硫酸     C. 氫硫酸     D. 鹽酸
（2）儀器b應(yīng)盛放下列藥品中的          （填序號）。
A．碳酸鈣     B. 硫酸鈉     C. 氯化鈉      D. 碳酸鈉
（3）b中反應(yīng)的離子方程式為                                              。
若看到儀器C中的現(xiàn)象是                      ，即可證明          比         酸性強(qiáng)（填化學(xué)式），得電子的能力      比       強(qiáng)。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

現(xiàn)有部分短周期元素的性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)如下表：
元素編號
元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)
T
單質(zhì)能與水劇烈反應(yīng)，所得強(qiáng)堿性溶液中含有兩種電子數(shù)相同的陰、陽離子
X
最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的3倍
Y
第三周期元素的簡單離子中半徑最小
Z
T、X、Z組成的36電子的化合物A是家用消毒劑的主要成分
（1）元素T與X按原子個數(shù)比1:1形成的化合物B所含化學(xué)鍵為                 ，該化合物的電子式為                 。
（2）化合物A的溶液呈堿性，用離子方程式解釋其原因：                       ，該化合物起消毒作用的微粒是         。
（3）將Y與Z形成的化合物的水溶液逐滴加入到T的最高價氧化物對應(yīng)水化物的溶液中直至過量（邊滴邊振蕩），寫出此過程中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                     
                     、                                              。

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