請回答下列問題：
（1）S單質(zhì)的常見形式為S
8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示，S原子采用的軌道雜化方式是
sp3
sp3
．
（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量．Mg與Al原子的第一電離能大到小的順序?yàn)?!--BA-->
Al＞Mg
Al＞Mg
；O與F電負(fù)性大到小的順序?yàn)?!--BA-->
F＞O
F＞O
．（用＜或=或＞表示）
（3）34號元素的價(jià)層電子的電子排布圖為
1s22s22p63s23p63d104s24p4
1s22s22p63s23p63d104s24p4
，在周期表位于
第四周期第ⅥA族
第四周期第ⅥA族
區(qū)；Mn
2+基態(tài)的電子排布式為
1s22s22p63s23p63d5
1s22s22p63s23p63d5
．
（4）氣態(tài)SO
2分子的立體構(gòu)型為
V形
V形
；SO
32-離子的立體構(gòu)型為
三角錐型
三角錐型
（均用文字描述）
（5）H
2SeO
3的K
1和K
2分別為2.7×10
-3和2.5×10
-8，H
2SeO
4第一步幾乎完全電離，K
2為1.2×10
-2，請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋；
①H
2SeO
4和H
2SeO
3第一步電離程度大于第二部電離的原因：
酸第一步電離產(chǎn)生的酸根陰離子帶有負(fù)電荷，吸引H+，同時(shí)產(chǎn)生的H+抑制第二步電離
酸第一步電離產(chǎn)生的酸根陰離子帶有負(fù)電荷，吸引H+，同時(shí)產(chǎn)生的H+抑制第二步電離
；
②H
2SeO
4比H
2SeO
3酸性強(qiáng)的原因：
H2SeO4和H2SeO3可以分別表示為（HO）2SeO2、（HO）2SeO，H2SeO3中Se為+4價(jià)，而H2SeO4中Se為+6價(jià)，后者Se原子吸電子能力強(qiáng)，導(dǎo)致羥基上氫原子更容易電離H+
H2SeO4和H2SeO3可以分別表示為（HO）2SeO2、（HO）2SeO，H2SeO3中Se為+4價(jià)，而H2SeO4中Se為+6價(jià)，后者Se原子吸電子能力強(qiáng)，導(dǎo)致羥基上氫原子更容易電離H+
；
（6）向CuSO
4溶液中加入過量NaOH溶液可生成[Cu（OH）
4]
2-．不考慮空間構(gòu)型，[Cu（OH）
4]
2-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為
．
（7）Cu元素的一種氯化物晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，該氯化物的化學(xué)式是
CuCl
CuCl
．
