Question

（7分）決定物質(zhì)性質(zhì)的重要因素是物質(zhì)結(jié)構(gòu)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）銅是過(guò)渡元素�；�合物中，銅常呈現(xiàn)+1價(jià)或+2價(jià)。右圖為某銅氧化物晶體結(jié)構(gòu)單元，該氧化物的化學(xué)式為 。

 

（2）第三周期部分元素氟化物的熔點(diǎn)見(jiàn)下表：

氟化物	NaF	MgF2	SiF4
熔點(diǎn)/K	1266	1534	183

解釋MgF2與SiF4熔點(diǎn)差異的原因 。

（3）A和B為第三周期元素，其原子的部分電離能如下表所示：

電離能/kJ·mol－1	I1	I2	I3	I4
A	578	1817	2745	11578
B	738	1451	7733	10540

則A的電負(fù)性 B的電負(fù)性（填“＞”、“＜”或“＝”）。

（4）研究物質(zhì)磁性表明：金屬陽(yáng)離子含未成對(duì)電子越多，則磁性越大，磁記錄性能越好。離子型氧化物V2O5、CrO2、Fe3O4中，更適合作錄音帶磁粉原料的是__________（填化學(xué)式）。

（5）實(shí)驗(yàn)室檢驗(yàn)Ni2+可用丁二酮肟與之作用生成腥紅色配合物沉淀。

②在配合物中用化學(xué)鍵和氫鍵標(biāo)出未畫出的作用力（鎳的配位數(shù)為4）。

 

 

Answer 1

（1） Cu2O ；（2）MgF2為離子晶體，而SiF4為分子晶體，離子晶體熔沸點(diǎn)高于分子晶體

（3）＞ ；（4）Fe3O4；（5）

【解析】

試題分析：（1）在該晶體中含有的O的個(gè)數(shù)是：8×1/8+1=2;含有的Cu的個(gè)數(shù)是：4×1=4，Cu:O=4:2=2:1,所以化學(xué)式為Cu2O；（2）MgF2為離子晶體，離子間通過(guò)離子鍵結(jié)合，離子鍵是一種強(qiáng)烈的相互作用，斷裂消耗較高的能量，而SiF4為分子晶體，分子間通過(guò)分子間作用力結(jié)合。分子間作用力比化學(xué)鍵弱的多，因此離子晶體熔沸點(diǎn)高于分子晶體。（3）A和B為同一周期的元素。由電離能數(shù)據(jù)可以看出A的核外電子數(shù)比B多，所以原子序數(shù)A＞B。原子序數(shù)越大，元素的非金屬性就越強(qiáng)，元素的電負(fù)性就越大。因此元素的電負(fù)性A＞B。（4）研究物質(zhì)磁性表明：金屬陽(yáng)離子含未成對(duì)電子越多，則磁性越大，磁記錄性能越好。離子型氧化物V2O5中V的未成對(duì)電子數(shù)是0；CrO2中Cr的未成對(duì)電子數(shù)是2；Fe3O4中Fe的未成對(duì)電子數(shù)是4、5，比前兩種物質(zhì)都多。因此更適合作錄音帶磁粉原料的是Fe3O4；（5）在配合物中化學(xué)鍵和氫鍵表示為：。

考點(diǎn)：考查晶體的化學(xué)式的確定、不同類型的晶體的熔點(diǎn)的比較、元素的電負(fù)性的比較、磁性材料的選擇、配位化合物中化學(xué)鍵及氫鍵的表示的知識(shí)。