如何洗滌附著在試管內(nèi)壁上的硫？


答案　硫單質(zhì)易溶于CS2且可以與熱的強(qiáng)堿液反應(yīng)：3S＋6NaOH2Na2S＋Na2SO3＋3H2O。所以當(dāng)試管壁上沾有單質(zhì)硫時(shí)，可用CS2或熱的強(qiáng)堿液洗滌。


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：


配制100 mL 1.0 mol·L－1 Na2CO3溶液，下列操作正確的是 (　　)

A．稱取10.6 g無水碳酸鈉，加入100 mL容量瓶中，加水溶解、定容

B．稱取10.6 g無水碳酸鈉于燒杯中，加入100 mL蒸餾水，攪拌、溶解

C．轉(zhuǎn)移Na2CO3溶液時(shí)，未用玻璃棒引流，直接倒入容量瓶中

D．定容后，塞好瓶塞，反復(fù)倒轉(zhuǎn)、搖勻

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：


下列物質(zhì)中不存在氫鍵的是(　　)

A．冰醋酸中醋酸分子之間

B．液態(tài)氟化氫中氟化氫分子之間

C．一水合氨分子中的氨分子與水分子之間

D．可燃冰(CH4·8H2O)中甲烷分子與水分子之間

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：


下列說法正確的是(　　)

A．若X是原子晶體，Y是分子晶體，則熔點(diǎn)：X<Y

B．NaCl和SiC晶體熔化時(shí)，克服粒子間作用力的類型相同

C．24Mg32S晶體中電子總數(shù)與中子總數(shù)之比為1∶1

D．HI的相對(duì)分子質(zhì)量大于HF，所以HI的沸點(diǎn)高于HF

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：


1 183 K以下純鐵晶體的基本結(jié)構(gòu)單元如圖1所示，1 183 K以上轉(zhuǎn)變?yōu)閳D2所示結(jié)構(gòu)的基本結(jié)構(gòu)單元，在兩種晶體中最鄰近的鐵原子間距離相同。

(1)鐵原子的簡(jiǎn)化電子排布式為__________________；鐵晶體中鐵原子以________鍵相互結(jié)合。

(2)在1 183 K以下的純鐵晶體中，與鐵原子等距離且最近的鐵原子數(shù)為________個(gè)；在1 183 K以上的純鐵晶體中，與鐵原子等距離且最近的鐵原子數(shù)為________個(gè)。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：


如圖所示，利用培養(yǎng)皿探究SO2的性質(zhì)。實(shí)驗(yàn)時(shí)向Na2SO3固體上滴幾滴濃硫酸，立即用另一表面皿扣在上面。表中對(duì)實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象的描述或解釋不正確的是(　　)

選項(xiàng)

實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象

解釋

A

BaCl2溶液變渾濁

SO2與BaCl2溶液反應(yīng)產(chǎn)生了BaSO3沉淀

B

Na2S溶液變渾濁

SO2與Na2S溶液反應(yīng)產(chǎn)生了S單質(zhì)

C

KMnO4溶液褪色

SO2具有還原性

D

品紅溶液褪色

SO2具有漂白性

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：


將64 g銅箔加入到盛有含2 mol H2SO4的濃H2SO4試管中加熱。

(1)銅箔能否完全溶解？請(qǐng)解釋原因。

(2)在反應(yīng)后的溶液中再加入少量硝酸鈉晶體，銅箔表面又有氣泡冒出，其原因?yàn)開_______________________________________________________________________

________________________________________________________________________。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：


下列關(guān)于硫及其化合物的說法中正確的是(　　)

A．自然界中不存在游離態(tài)的硫

B．二氧化硫的排放會(huì)導(dǎo)致光化學(xué)煙霧的產(chǎn)生

C．二氧化硫能使滴有酚酞的氫氧化鈉溶液褪色，體現(xiàn)了其漂白性

D．濃硫酸可用來干燥SO2、CO、Cl2等氣體

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：


 X是第三周期非金屬元素，該原子如果要達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，需要的電子數(shù)小于其次外層和最內(nèi)層的電子數(shù)之差，且等于最內(nèi)層電子數(shù)的整數(shù)倍。下列說法正確的是(　　)

A．X最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物一定是強(qiáng)酸

B．X元素的氫化物化學(xué)式一定為H2X

C．X的單質(zhì)一定是良好的半導(dǎo)體材料

D．X元素的氧化物一定能與燒堿反應(yīng)

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