( 1分) 氫氣還原氧化銅的反應(yīng)不完全時(shí)，便得到Cu、Cu2O、CuO的固體混合物�；瘜W(xué)興趣小組同學(xué)為探究上述固體的成分進(jìn)行了如下操作和實(shí)驗(yàn)：

    (1)取一定質(zhì)量的均勻固體混合物A，將其分成兩等份。

    (2)取其中―份用足量的氫氣還原，測得反應(yīng)后固體質(zhì)量減少3.20g。

    (3)另一份加入500mL稀硝酸，固體恰好完全溶解，且同時(shí)收集到標(biāo)準(zhǔn)狀況下NO氣

體2.24L。

    請回答以下問題：

    (1)A中，n(Cu)+n(Cu2O)＝                   。

    (2)A中，n(CuO)的取值范圍是                    。

(3)試計(jì)算所用稀硝酸的物質(zhì)的量濃度（要求有計(jì)算過程）。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

單質(zhì)硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料．通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度為450℃～500℃），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅．以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置圖：

相關(guān)信息如下：
①四氯化硅遇水極易水解
②硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物
③有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表：
物質(zhì) SiCl4 BCl3 AlCl3 FeCl3 PCl5
沸點(diǎn)/℃ 57.7 12.8 - 315 -
熔點(diǎn)/℃ -70.0 -107.2 - - -
升華溫
度/℃		 - - 180 300 162
請回答下列問題：
（1）裝置A中g(shù)管的作用是
平衡壓強(qiáng)，使液體從分液漏斗中順利流下
平衡壓強(qiáng)，使液體從分液漏斗中順利流下
；裝置C中的試劑是
濃硫酸
濃硫酸
．
（2）甲方案：f接裝置Ⅰ；乙方案：f接裝置Ⅱ．但是裝置Ⅰ、Ⅱ都有不足之處，請你評價(jià)后填寫下表．
方案 優(yōu)點(diǎn) 缺點(diǎn)
甲
①收集產(chǎn)品的導(dǎo)管粗，不會(huì)堵塞導(dǎo)管
②冷凝產(chǎn)品，減少產(chǎn)品損失
①收集產(chǎn)品的導(dǎo)管粗，不會(huì)堵塞導(dǎo)管
②冷凝產(chǎn)品，減少產(chǎn)品損失
①空氣中的水蒸氣進(jìn)入產(chǎn)品收集裝置，使四氯化硅水解
②尾氣沒有處理，污染環(huán)境
①空氣中的水蒸氣進(jìn)入產(chǎn)品收集裝置，使四氯化硅水解
②尾氣沒有處理，污染環(huán)境
乙
①有尾氣處理裝置，注重環(huán)保
②避免空氣中的水蒸氣進(jìn)入裝置
①有尾氣處理裝置，注重環(huán)保
②避免空氣中的水蒸氣進(jìn)入裝置
①產(chǎn)品易堵塞導(dǎo)管
②沒有冷凝裝置，產(chǎn)品易損失
①產(chǎn)品易堵塞導(dǎo)管
②沒有冷凝裝置，產(chǎn)品易損失
（3）在上述（2）的評價(jià)基礎(chǔ)上，請你設(shè)計(jì)一個(gè)合理方案并用文字表達(dá)：
在裝置Ⅰ的i處接干燥管j
在裝置Ⅰ的i處接干燥管j
．
（4）SiCl4與H2反應(yīng)的化學(xué)方程式為
SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
Si+4HCl
SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
Si+4HCl
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

如圖所示是用于氣體制備、干燥（或除雜質(zhì)）、性質(zhì)驗(yàn)證、尾氣處理的部分儀器裝置（加熱及夾持固定裝置均已略去，各裝置可以不用，但不可重復(fù)使用，）．請根據(jù)下列要求回答問題．
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（1）若用A-D-B-E組合進(jìn)行探究氨氣與氧化銅的反應(yīng)，則分液漏斗中應(yīng)加入的試劑是
 
，E裝置的作用
 
．
（2）為了進(jìn)行氨的催化氧化實(shí)驗(yàn)，若錐形瓶中盛裝足量的Na2O2粉末，分液漏斗中盛裝濃氨水，慢慢打開分液漏斗的活塞，產(chǎn)生的氣體通過紅熱的鉑粉，各儀器裝置按氣流方向從左到右連接順序是（填字母）
 
；裝置B中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
 
．
（3）若用A-C-D-B組合進(jìn)行氫氣還原氧化銅實(shí)驗(yàn)．分液漏斗中的試劑是鹽酸，C中試劑是水，其作用是
 
；A中反應(yīng)開始后，加熱B之前的實(shí)驗(yàn)操作是
 
，加熱后B中將觀察到的現(xiàn)象是
 
．

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科目：高中化學(xué) 來源：2013-2014學(xué)年四川省綿陽市高三第二次診斷性考試?yán)砭C化學(xué)試卷（解析版） 題型：實(shí)驗(yàn)題

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應(yīng)生成SiCl4和CO，SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備SiCl4的裝置示意圖。

實(shí)驗(yàn)過程中，石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應(yīng)氯化物，SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解，有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表：

物質(zhì)

SiCl4

AlCl3

FeCl3

沸點(diǎn)/℃

57.7

－

315

熔點(diǎn)/℃

-70.0

－

－

升華溫度/℃

－

180

300

 

請回答下列問題：

（1）寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式：_____________， 裝置D的硬質(zhì)玻璃管中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是                          。

（2）裝置C中的試劑是           ； D、E間導(dǎo)管短且粗的原因是              。

（3）G中吸收尾氣一段時(shí)間后，吸收液中肯定存在OH－、Cl－和SO42-。請?jiān)O(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)，探究該吸收液中可能存在的其他酸根離子（忽略空氣中CO2的影響）。

【提出假設(shè)】假設(shè)1：只有SO32-；假設(shè)2：既無SO32-也無ClO－；假設(shè)3：       。

【設(shè)計(jì)方案，進(jìn)行實(shí)驗(yàn)】可供選擇的實(shí)驗(yàn)試劑有：3 mol/L H2SO4、1 mol/L NaOH、0.01 mol/L KMnO4、溴水、淀粉-KI、品紅等溶液。

取少量吸收液于試管中，滴加3 mol/L H2SO4至溶液呈酸性，然后將所得溶液分置于a、b、c三支試管中，分別進(jìn)行下列實(shí)驗(yàn)。請完成下表：

序號

操  作

可能出現(xiàn)的現(xiàn)象

結(jié)論

①

向a試管中滴加幾滴          溶液

若溶液褪色

則假設(shè)1成立

若溶液不褪色

則假設(shè)2或3成立

②

向b試管中滴加幾滴          溶液

若溶液褪色

則假設(shè)1或3成立

若溶液不褪色

假設(shè)2成立

③

向c試管中滴加幾滴          溶液

              

假設(shè)3成立

 

 

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科目：高中化學(xué) 來源：2014屆廣東省高二第一階段考試化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

(6分)（1）氨氣催化氧化生產(chǎn)硝酸,硝酸廠常用催化還原法處理尾氣:催化劑存在時(shí)用H2將NO2還原為N2。

已知:2H2(g)+O2(g)= 2H2O(g)　ΔH=-483.6 kJ·mol-1

N2(g)+2O2(g)= 2NO2(g)　　ΔH=+67.7 kJ·mol-1

則H2還原NO2生成水蒸氣反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是　　　　　　　　　　　            。 

（2）氮?dú)夂蜌錃夂铣砂笔腔瘜W(xué)工業(yè)中極為重要的反應(yīng),其熱化學(xué)方程式可表示為:N2(g)+3H2(g) 2NH3(g)　ΔH=-92 kJ·mol-1。請回答下列問題:

①取1 mol N2(g)和3 mol H2(g)放在一密閉容器中,在催化劑存在時(shí)進(jìn)行反應(yīng),測得反應(yīng)放出的熱量　　　92 kJ(填“大于”“等于”或“小于”),原因是　　　　　　　　　　　　　　　；

 

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