4.根據(jù)下列反應(yīng):①H2S+I2═S↓+2HI;②2FeCl3+2HI═2FeCl2+2HCl+I2;③2FeCl2+Cl2═2FeCl3,可以判斷有關(guān)物質(zhì)的氧化性由強(qiáng)到弱的順序正確的是(  )
A.Cl2>Fe3+>I2>SB.S>I2>Fe3+>Cl2C.Fe3+>Cl2>H2S>I2D.Cl2>I2>Fe3+>H2S

分析 氧化還原反應(yīng)中含有元素化合價(jià)降低的物質(zhì)為氧化劑,通過氧化反應(yīng)得到的產(chǎn)物為氧化產(chǎn)物,根據(jù)氧化還原反應(yīng)中氧化劑的氧化性強(qiáng)于氧化產(chǎn)物的氧化性來解答.

解答 解:①反應(yīng)H2S+I2═S↓+2HI,氧化劑為I2,氧化產(chǎn)物為S,所以氧化性I2>S;
③2FeCl2+Cl2═2FeCl3,氧化劑為Cl2,氧化產(chǎn)物為FeCl3,所以氧化性Cl2>FeCl3;
②2FeCl3+2HI═I2+2FeCl2+2HCl,氧化劑為FeCl3,氧化產(chǎn)物為I2,所以氧化性FeCl3>I2;
所以氧化性Cl2>FeCl3>I2>S.
故選A.

點(diǎn)評 本題考查了根據(jù)方程式來比較氧化性和還原性,解題的關(guān)鍵是根據(jù)化合價(jià)找出氧化劑、還原劑、氧化產(chǎn)物和還原產(chǎn)物,題目難度不大.

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相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

14.下列物質(zhì)不屬于電解質(zhì)的是( 。
A.金剛石B.NaClC.NaOHD.BaSO4

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15.現(xiàn)代循環(huán)經(jīng)濟(jì)要求綜合考慮環(huán)境污染和經(jīng)濟(jì)效益.請?zhí)顚懴铝锌瞻祝?br />(1)實(shí)驗(yàn)室里,可用于吸收SO2尾氣的一種試劑是NaOH溶液.
(2)高純氧化鐵可作現(xiàn)代電子工業(yè)材料.以下是用硫鐵礦燒渣(主要成分為Fe2O3、Fe3O4、FeO、SiO2)為原料制備高純氧化鐵(軟磁α-Fe2O3)的生產(chǎn)流程示意圖:

①步驟Ⅰ中過濾所得濾渣的主要成分是SiO2
②步驟Ⅱ中加入鐵粉的目的是將Fe3+還原為Fe2+
③步驟Ⅲ中可選用C試劑調(diào)節(jié)溶液的pH(填標(biāo)號(hào)).
A.稀硝酸    B.雙氧水     C.氨水      D.高錳酸鉀溶液
④寫出在空氣中煅燒FeCO3,制備高純氧化鐵的化學(xué)方程式:4FeCO3+O2$\frac{\underline{\;煅燒\;}}{\;}$2Fe2O3+4CO2
⑤從濾液C中回收的主要物質(zhì)的一種用途是可作為氮肥.

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12.用來表示可逆反應(yīng):A(g)+B(g)?2C(g)(正反應(yīng)放熱)的正確圖象是如圖中的( 。
A.B.C.D.

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19.下列關(guān)于Na2CO3 和NaHCO3 的說法不正確的是( 。
A.Na2CO3的熱穩(wěn)定性比NaHCO3強(qiáng)
B.相同溫度時(shí),Na2CO3 的溶解度大于NaHCO3 的溶解度
C.Na2CO3 和NaHCO3都能和稀鹽酸反應(yīng)產(chǎn)生CO2 氣體
D.NaHCO3 一定條件下可轉(zhuǎn)化為Na2CO3,但Na2CO3 不能轉(zhuǎn)化為NaHCO3

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9.如圖所示的原電池裝置,X、Y為兩電極,電解質(zhì)溶液為稀硫酸,外電路中的電子流向如圖所示,對此裝置的下列說法正確的是( 。
A.外電路的電流方向?yàn)椋篨→外電路→Y
B.若兩電極分別為Zn和石墨棒,則X為石墨棒,Y為Zn
C.若兩電極都是金屬,則它們的活動(dòng)性為X>Y
D.X極上發(fā)生的是還原反應(yīng),Y極上發(fā)生的氧化反應(yīng)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

16.由Cu、N、B、Ni等元素組成的新型材料有著廣泛用途.
(1)基態(tài) Cu+的最外層電子排布式為3s23p63d10
(2)研究者預(yù)想合成一個(gè)純粹由氮組成的新物種 N5+ 與N3-,若N5+ 離子中每個(gè)氮原子均滿足8電子且呈對稱結(jié)構(gòu),以下有關(guān)推測正確的是CD
A.N5+有24個(gè)電子
B. N5+離子中存在三對未成鍵的電子對
C. N5+陽離子中存在兩個(gè)氮氮三鍵
D.N3-離子的空間構(gòu)型為直線形
(3)化合物A(H3BNH3)是一種潛在儲(chǔ)氫材料,它可由六元環(huán)狀化合物(HB=NH)3通過3CH4+2(HB=NH)3+6H2O═3CO2+6H3BNH3 制得.
①與上述化學(xué)方程式有關(guān)的敘述不正確的是A.(填標(biāo)號(hào))
A.反應(yīng)前后碳原子的軌道雜化類型不變
B.CH4、H2O、CO2分子空間構(gòu)型分別是:正四面體形、V形、直線形
C.第一電離能:N>O>C>B
D.化合物A中存在配位鍵
②1個(gè)(HB=NH)3 分子中有12個(gè)σ 鍵.
③Na與Cl形成的晶體很脆,經(jīng)不起錘擊,Si與O形成的晶體同樣很脆,也經(jīng)不起錘擊,然而二者的摩氏硬度卻相差極大,請解釋摩氏硬度相差大的原因氯化鈉屬于離子晶體,陰陽離子通過離子鍵相互作用,二氧化硅屬于原子晶體,原子之間以共價(jià)鍵相互結(jié)合形成空間立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu).
(4)在硼酸鹽中,陰離子有鏈狀、環(huán)狀等多種結(jié)構(gòu)形式.圖1(a)是一種鏈狀結(jié)構(gòu)的多硼酸根,則多硼酸根離子符號(hào)為[BO2]nn-(或BO2-)圖1(b)是硼砂晶體中陰離子的環(huán)狀結(jié)構(gòu),其中硼原子采取的雜化類型為sp2、sp3
(5)NiO晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體類似,其晶胞的棱長為acm,則該晶體中距離最近的兩個(gè)陽離子核間的距離為$\frac{\sqrt{2}}{2}$acm(用含有a的代數(shù)式表示).在一定溫度下,NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”(如圖2),可以認(rèn)為氧離子作密置單層排列,鎳離子填充其中,列式并計(jì)算每平方米面積上分散的該晶體的質(zhì)量為1.83×10-3g(氧離子的半徑為1.40×10-10m,$\sqrt{3}$≈l.732).

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13.二氧化碳?xì)怏w中含有少量氯化氫雜質(zhì),若要除雜,最好選用(  )
A.飽和碳酸鈉溶液B.濃硫酸
C.飽和碳酸氫鈉溶液D.飽和石灰水

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14.硼元素在化學(xué)中很重要的地位,硼及其化合物廣泛應(yīng)用于水磁材料、超導(dǎo)材料、富燃料材料、復(fù)合材料等高新材料領(lǐng)域應(yīng)用.
(1)三氟化硼在常溫常壓下為具有刺鼻惡臭和強(qiáng)刺激性的無色有毒腐蝕性氣體,其分子的立體構(gòu)型為平面三角形,B原子雜化類型為sp2
(2)BF3與水一定量形成晶體(H2O)2•BF3,晶體結(jié)構(gòu)如圖,則晶體中各種微粒的作用力可能涉及:
①配位鍵  ②氫鍵  ③范德華力  ④極性共價(jià)鍵  ⑤非極性共價(jià)鍵.
其中正確的是①②③④;
(3)NH4BF4(氟硼酸銨)是合成硼納米管的原料之一.1mol NH4BF4含有2mol配位鍵.

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