SiO2是一種化工原料，可以制備一系列物質(zhì)。下列說(shuō)法正確的是（  ）
A．圖中所有反應(yīng)都不屬于氧化還原反應(yīng)
B．硅酸鹽的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，常用于制造光導(dǎo)纖維
C．可用鹽酸除去石英砂(主要成分為SiO2)中少量的碳酸鈣
D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高
C
圖中SiO2與CaO、CaCO3、Na2CO3反應(yīng)不屬于氧化還原反應(yīng)，SiO2與C、Si與Cl2、SiCl4與H2的反應(yīng)屬于氧化還原反應(yīng)，A錯(cuò)誤；光導(dǎo)纖維的主要成分是SiO2而不是硅酸鹽，B錯(cuò)誤；玻璃沒(méi)有固定的熔點(diǎn)，D錯(cuò)誤。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)曾授予“光纖之父”英國(guó)華裔科學(xué)家高錕以及兩位美國(guó)科學(xué)家威拉德·博伊爾和喬治·史密斯。光導(dǎo)纖維的主要成分是二氧化硅，下列關(guān)于二氧化硅的說(shuō)法正確的是
A．二氧化硅是酸性氧化物，因此能與水反應(yīng)生成硅酸
B．用二氧化硅制取單質(zhì)硅時(shí)，當(dāng)生成2．24 L氣體（標(biāo)準(zhǔn)狀況）時(shí)，得到2．8 g硅
C．二氧化硅制成的光導(dǎo)纖維，由于導(dǎo)電能力強(qiáng)而被用于制造光纜
D．二氧化硅不能與碳酸鈉溶液反應(yīng)，但能與碳酸鈉固體在高溫時(shí)發(fā)生反應(yīng)

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：計(jì)算題

普通玻璃中，Na2SiO3、CaSiO3、SiO2的物質(zhì)的量之比是Na2SiO3∶CaSiO3∶SiO2＝1∶1∶4。
(1)若以aNa2O·bCaO·mSiO2形式表示此玻璃的組成，則a∶b∶m＝____________。
(2)若要制備1 000 kg上述玻璃，需要原料各多少千克？共可產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)狀況下的CO2氣體多少升？

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

已知A、B、C、D、E、F、G、H可以發(fā)生如圖所示的轉(zhuǎn)化，反應(yīng)中部分生成物已略去。其中，A、G為同一主族元素的單質(zhì)，B、C、H在通常情況下為氣體，化合物C是一種形成酸雨的大氣污染物。

請(qǐng)完成以下填空：
（1）H的名稱是________。
（2）E的兩種用途是________、________。
（3）反應(yīng)③的化學(xué)方程式是________。
（4）反應(yīng)④的離子方程式是________。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

硅酸鈉是一種重要的無(wú)機(jī)功能材料,某研究性學(xué)習(xí)小組設(shè)計(jì)的利用海邊的石英砂(含氯化鈉、氧化鐵等雜質(zhì))制備硅酸鈉的流程如下:

(1)石英砂加水洗滌的目的是                     。
研磨后加入NaOH溶液溶解的離子方程式是                             　。
(2)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行蒸發(fā)操作要用到的儀器有鐵架臺(tái)(含鐵圈)、　　　　和　　　　。
(3)殘?jiān)竦某煞质?u>　　　　(填化學(xué)式)。將殘?jiān)袢苡邴}酸,再加入NaOH溶液得到沉淀,將該沉淀加入到NaClO和NaOH混合溶液中可制得一種優(yōu)質(zhì)凈水劑,完成反應(yīng)的離子方程式:　　 　　　+　ClO-+　OH-　　 　　　+　Cl-+　H2O
(4)按上述流程制得的硅酸鈉晶體可表示為Na2O·nSiO2,若石英砂的質(zhì)量為10.0 g,其中含SiO2的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為90%,最終得到硅酸鈉晶體15.2 g,則n=　　　　。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

A元素的一種單質(zhì)是一種重要的半導(dǎo)體材料，含A元素的一種化合物C可用于制造高性能的現(xiàn)代通訊材料——光導(dǎo)纖維，C與燒堿反應(yīng)生成含A元素的化合物D。
（1）在元素周期表中，A位于第________族，與A同族但相對(duì)原子質(zhì)量比A小的元素B的原子結(jié)構(gòu)示意圖為_(kāi)_______，A與B在原子的電子層結(jié)構(gòu)上的相同點(diǎn)是_______________________。
（2）易與C發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的酸是______ （填名稱），反應(yīng)的化學(xué)方程式是_______。
（3）將C與純堿混合高溫熔融時(shí)也發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成D，同時(shí)還生成B的最高價(jià)氧化物E；將全部的E與全部的D在足量的水中混合后，又發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成含A的化合物F。
①寫(xiě)出生成D和F的化學(xué)方程式：______________________________________，___________________________________________________________________。
②要將NaOH高溫熔化，下列坩堝中不可選用的是_________________________。
A.普通玻璃坩堝                       B.石英玻璃坩堝
C.氧化鋁坩堝                         D.鐵坩堝
（4）100 g C與石灰石的混合物充分反應(yīng)后生成的氣體在標(biāo)準(zhǔn)狀況下的體積為11.2 L，100 g混合物中石灰石的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是________。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

以色列科學(xué)家Danici Shcchtman因發(fā)現(xiàn)準(zhǔn)晶體獲得2011年諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)。人們?cè)谧匀唤缰幸舱业搅私M成為Al63Cu24Fe13的天然準(zhǔn)晶體。將相同質(zhì)量的此準(zhǔn)晶體分別與足量的鹽酸、燒堿和稀硝酸反應(yīng)，產(chǎn)生氣體的物質(zhì)的量關(guān)系為
A．n（燒堿）<n（稀硝酸）<n（鹽酸）
B．n（燒堿）<n（鹽酸）<n（稀硝酸）
C．n（稀硝酸）<n（燒堿）<n（鹽酸）
D．n（鹽酸）<n（稀硝酸）<n（燒堿）

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

硅及其化合物在材料領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛。下列說(shuō)法正確的是
A．硅酸鈉可用于制備木材防火劑B．硅單質(zhì)廣泛用于光纖通訊
C．利用鹽酸刻蝕石英制作藝術(shù)品D．水晶項(xiàng)鏈?zhǔn)枪杷猁}制品

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

硅是信息產(chǎn)業(yè)、太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)材料。鋅還原四氯化硅是一種有著良好應(yīng)用前景的制備硅的方法，該制備過(guò)程示意如下：          

（1）焦炭在過(guò)程Ⅰ中作______劑。
（2）過(guò)程Ⅱ中的Cl2用電解飽和食鹽水制備，制備Cl2的化學(xué)方程式是    。
（3）整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水。
①SiCl4遇水劇烈水解生成SiO2和一種酸，反應(yīng)的化學(xué)方程式是     。
②干燥Cl2時(shí)，從有利于充分干燥和操作安全的角度考慮，需將約90℃的潮濕氯氣先冷卻至12℃，然后再通入到濃H2SO4中。冷卻的作用是    。
（4）Zn還原SiCl4的反應(yīng)如下：
反應(yīng)1： 400℃～756℃ ，SiCl4(g) + 2Zn(l)  Si(s) + 2ZnCl2(l)   ΔH1 <0 
反應(yīng)2：  756℃～907℃ ，SiCl4(g) + 2Zn(l)  Si(s) + 2ZnCl2(g)  ΔH2 <0 
反應(yīng)3：  907℃～1410℃，SiCl4(g) + 2Zn(g)  Si(s) + 2ZnCl2(g)  ΔH3 <0 
① 對(duì)于上述三個(gè)反應(yīng)，下列說(shuō)法合理的是_____。
a．升高溫度會(huì)提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率      b．還原過(guò)程需在無(wú)氧的氣氛中進(jìn)行
c．增大壓強(qiáng)能提高反應(yīng)的速率         d．Na、Mg可以代替Zn還原SiCl4
② 實(shí)際制備過(guò)程選擇“反應(yīng)3”，選擇的理由是    。
③ 已知Zn(l)=Zn(g)  ΔH =" +116" KJ/mol 。若SiCl4的轉(zhuǎn)化率均為90%，每投入1mol SiCl4，“反應(yīng)3”比“反應(yīng)2”多放出_____kJ的熱量。
（5）用硅制作太陽(yáng)能電池時(shí)，為減弱光在硅表面的反射，采用化學(xué)腐蝕法在其表面形成粗糙的多孔硅層。腐蝕劑常用稀HNO3和HF的混合液。硅表面首先形成SiO2，最后轉(zhuǎn)化為H2SiF6。用化學(xué)方程式表示SiO2轉(zhuǎn)化為H2SiF6的過(guò)程     。

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