硅是信息產(chǎn)業(yè)、太陽能電池光電轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)材料。鋅還原四氯化硅是一種有著良好應(yīng)用前景的制備硅的方法,該制備過程示意如下:          

(1)焦炭在過程Ⅰ中作______劑。
(2)過程Ⅱ中的Cl2用電解飽和食鹽水制備,制備Cl2的化學(xué)方程式是    。
(3)整個制備過程必須嚴格控制無水。
①SiCl4遇水劇烈水解生成SiO2和一種酸,反應(yīng)的化學(xué)方程式是     
②干燥Cl2時,從有利于充分干燥和操作安全的角度考慮,需將約90℃的潮濕氯氣先冷卻至12℃,然后再通入到濃H2SO4中。冷卻的作用是    。
(4)Zn還原SiCl4的反應(yīng)如下:
反應(yīng)1: 400℃~756℃ ,SiCl4(g) + 2Zn(l)  Si(s) + 2ZnCl2(l)   ΔH1 <0 
反應(yīng)2:  756℃~907℃ ,SiCl4(g) + 2Zn(l)  Si(s) + 2ZnCl2(g)  ΔH2 <0 
反應(yīng)3:  907℃~1410℃,SiCl4(g) + 2Zn(g)  Si(s) + 2ZnCl2(g)  ΔH3 <0 
① 對于上述三個反應(yīng),下列說法合理的是_____。
a.升高溫度會提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率      b.還原過程需在無氧的氣氛中進行
c.增大壓強能提高反應(yīng)的速率         d.Na、Mg可以代替Zn還原SiCl4
② 實際制備過程選擇“反應(yīng)3”,選擇的理由是    。
③ 已知Zn(l)=Zn(g)  ΔH =" +116" KJ/mol 。若SiCl4的轉(zhuǎn)化率均為90%,每投入1mol SiCl4,“反應(yīng)3”比“反應(yīng)2”多放出_____kJ的熱量。
(5)用硅制作太陽能電池時,為減弱光在硅表面的反射,采用化學(xué)腐蝕法在其表面形成粗糙的多孔硅層。腐蝕劑常用稀HNO3和HF的混合液。硅表面首先形成SiO2,最后轉(zhuǎn)化為H2SiF6。用化學(xué)方程式表示SiO2轉(zhuǎn)化為H2SiF6的過程     。
(1)還原劑(2分)
(2)2NaCl + 2H2O2NaOH + Cl2↑+ H2↑(2分)
(3)① SiCl4 + 2H2O = SiO2 + 4HCl (2分)
② 使水蒸氣冷凝,減少進入濃硫酸的水量,保持持續(xù)的吸水性,并降低放出的熱量(2分)
(4) ① b c d(1分)
② 溫度高,反應(yīng)速率快;與前兩個反應(yīng)比較,更易于使硅分離,使化學(xué)平衡向右移動,提高轉(zhuǎn)化率。(2分)
③ 208.8 (1分)
(5) SiO2 +6HF = H2SiF6 + 2H2O (2分)

試題分析:石英砂主要成分是SiO2,被碳還原為粗硅,與氯氣化合得到SiCl4,在被還原得高純硅。SiCl4水解生成的酸根據(jù)復(fù)分解原理,可推知為鹽酸;(4)①a、升高溫度,平衡逆向移動,降低SiCl4的轉(zhuǎn)化率,錯誤;b、鋅做還原劑應(yīng)在無氧的條件下進行,正確;c、增大壓強,平衡正向移動,提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率,正確;d、Na、Mg的還原性強,可以代替鋅,正確。③每投入1mol SiCl4,反應(yīng)2摩爾鋅,熱量為332kJ,利用率為90%,可計算出結(jié)果208.8kJ。
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

SiO2是一種化工原料,可以制備一系列物質(zhì)。下列說法正確的是(  )
A.圖中所有反應(yīng)都不屬于氧化還原反應(yīng)
B.硅酸鹽的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,常用于制造光導(dǎo)纖維
C.可用鹽酸除去石英砂(主要成分為SiO2)中少量的碳酸鈣
D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點很高

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

A、B、C、D、E代表單質(zhì)或化合物,它們之間的相互轉(zhuǎn)化關(guān)系如下圖所示。A為地殼中含量僅次于氧的非金屬元素的單質(zhì)。

請?zhí)羁眨?br />(1)形成單質(zhì)A的元素,在化合物中的最高化合價為        。 
(2)B和碳反應(yīng)生成A和E的化學(xué)方程式是                     。
(3)C的化學(xué)式為         ,D 的化學(xué)式為         。

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

高純硅生產(chǎn)流程如下:

(1)由SiO2制粗硅的化學(xué)方程式是       ,該反應(yīng)不能說明碳的非金屬性強于硅,原因是       ,請寫出一個能說明碳的非金屬性強于硅的化學(xué)方程式       。
(2)900℃以上,H2與SiHCl3發(fā)生反應(yīng):SiHCl3(g)+ H2(g)Si(s) + 3HCl(g)  ΔH>0。將一定量的反應(yīng)物通入固定容積的密閉容器中進行反應(yīng)。下列說法正確的是      (填字母)。
a.在恒溫條件下,若容器內(nèi)壓強不變,則該反應(yīng)一定達到化學(xué)平衡狀態(tài)
b.增大SiHCl3的用量,可提高SiHCl3的平衡轉(zhuǎn)化率
c.升高溫度可加快反應(yīng)速率,且提高硅的產(chǎn)率
(3)該流程中可以循環(huán)使用的物質(zhì)是       

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:實驗題

高純度單晶硅是典型的無機非金屬材料,是制備半導(dǎo)體的重要材料,它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計算機的一場“革命”。高純硅通常用以下方法制備:用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含F(xiàn)e、Al、B、P等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度為450~500℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置圖。

相關(guān)信息:a.四氯化硅遇水極易水解;b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接化合生成相應(yīng)的氯化物;c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:
物質(zhì)
SiCl4
BCl3
AlCl3
FeCl3
PCl5
沸點/℃
57.7
12.8

315

熔點/℃
-70.0
-107.2



升華溫度/℃


180
300
162
 
請回答下列問題:
(1)儀器e的名稱為____________,裝置A中f管的作用是_______________________________________,其中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為_____        ____________________________________    _______。
(2)裝置B中的試劑是____________。
(3)某學(xué)習(xí)小組設(shè)計了以下兩種實驗方案:方案甲:g接裝置Ⅰ;方案乙:g接裝置Ⅱ。但是甲乙兩個方案中虛線內(nèi)裝置均有不足之處,請你評價后填寫下表。
方案
不足之處

 

 
 
(4)在上述(3)的評價基礎(chǔ)上,請設(shè)計一個合理方案:___________    ________                 。
(5)通過上述合理的裝置制取并收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是   (填寫元素符號)。

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列有關(guān)硅及其化合物的說法正確的是
A.單質(zhì)硅常用作半導(dǎo)體和光導(dǎo)纖維材料
B.硅在自然界中只以化合態(tài)的形式存在
C.SiO2與純堿高溫生成CO2,說明硅酸的酸性比碳酸強
D.SiO2是非金屬氧化物,它不與任何酸反應(yīng)

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列關(guān)于硅的說法不正確的是
A.硅是非金屬元素,它的單質(zhì)是灰黑色有金屬光澤的固體
B.硅的導(dǎo)電性能介于金屬和絕緣體之間,是良好的半導(dǎo)體材料
C.硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑,常溫下不與任何物質(zhì)起反應(yīng)
D.加熱到一定溫度時,硅能與氫氣、氧氣等非金屬反應(yīng)

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列說法不正確的是(  )      
A.二氧化硅是制造光導(dǎo)纖維的材料, 單質(zhì)硅是良好的半導(dǎo)體材料
B.SiO2和CO2都是酸性氧化物,但SiO2不能和水反應(yīng)生成硅酸
C.保存NaOH溶液時不能用玻璃塞
D.二氧化硅性質(zhì)穩(wěn)定,不與任何酸反應(yīng)

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列物質(zhì)中,主要成分不是硅酸鹽的是(   )
A.玻璃B.大理石C.陶瓷D.水泥

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊答案