W、X、Y、Z、N是短周期元素,它們的核電核數(shù)依次增大。下表列出它們的性質(zhì)和結(jié)構(gòu):
元素編號 | 元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu) |
W | 原子核內(nèi)無中子 |
X | 核外s亞層上的電子總數(shù)與p亞層上的電子總數(shù)相等 |
Y | 元素的原子半徑在該周期中最大(除稀有氣體外) |
Z | 原子核外p亞層上的電子總數(shù)比s亞層上的電子總數(shù)多2 |
N | 最外層電子數(shù)比次外層電子數(shù)少1 |
(1)W元素單質(zhì)的結(jié)構(gòu)式: ____________。
(2)Y元素原子的電子排布式為_________________。
(3)W和X形成的化合物中的共價鍵按原子軌道的重疊方式屬于_______鍵。
(4)Y、Z和N三種元素第一電離能由大到小的順序為________________ (填元素符號)。
(5)Y、X和Z三種元素形成的單質(zhì)熔點由高到底的順序為______________ (填單質(zhì)的化學(xué)式)。
(6)Z和X形成的化合物構(gòu)成的晶體屬于_________晶體;Y和 N形成的化合物構(gòu)成的晶體中每個Y離子周圍等距離最近的N離子構(gòu)成的空間結(jié)構(gòu)為____________。
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
元素編號 | 元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu) |
W | 原子核內(nèi)無中子 |
X | 原子核外s亞層上的電子總數(shù)與p亞層上的電子總數(shù)相等 |
Y | 元素的離子半徑在該周期中最小 |
Z | 原子核外p亞層上的電子總數(shù)與s亞層上的電子總數(shù)多2 |
N | 最外層電子數(shù)比次外層電子數(shù)少1 |
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科目:高中化學(xué) 來源:2008年寧夏銀川一中高三年級第三次模擬考試、理科綜合試卷化學(xué)部分 題型:022
W、X、Y、Z、N是短周期元素,它們的核電核數(shù)依次增大.下表列出它們的性質(zhì)和結(jié)構(gòu):
(1)W元素單質(zhì)的結(jié)構(gòu)式:___________.
(2)Y元素原子的電子排布式為________.
(3)Y、Z和N三種元素第一電離能由大到小的順序為________(填元素符號).
(4)Y、X和Z三種元素形成的單質(zhì)熔點由高到底的順序為________(填單質(zhì)的化學(xué)式).
(5)Z和X形成的化合物構(gòu)成的晶體屬于________晶體;Y和N形成的化合物構(gòu)成的晶體中每個Y離子周圍等距離最近的N離子構(gòu)成的空間結(jié)構(gòu)為________.
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科目:高中化學(xué) 來源:江西省模擬題 題型:推斷題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
I.有四種化合物W、X、Y、Z,它們是由短周期元素A、B、C、D、E中的兩種元素組成。已知
(1)A、B、C、D、E的原子序數(shù)依次增大,且A、D同主族,C、E同主族;B、C 同周期;
(2)W由A、B組成,其分子中原子個數(shù)比為A:B=4:1,常溫為氣態(tài)。
(3)X由A、C組成,其分子中原子數(shù)比為A:C=1:1
(4)Y是C、D形成的離子化合物,且Y晶體中相應(yīng)元素的原子個數(shù)比為1:1
(5)Z是由D、E形成的離子化合物,其中陽離子比陰離子少一個電子層,陽離子數(shù)與陰離子數(shù)之比為2:1
則B為 ,W為 ,X的結(jié)構(gòu)式 Y的電子式為 。
II.(1).一元素原子的N層上只有1個電子,該元素原子各內(nèi)層均已充滿,寫出該原子電子排布式: ,
(2)一元素屬于短周期元素,該元素的原子核外所有P軌道全滿或者半滿,寫出該元素原子的價電子軌道排布圖 ,
(3)乙烯分子中有 個σ鍵, π鍵,以 雜化。
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